技术特征：
技术总结
本发明公开了一种单电容占空比可控振荡器，包括第一电流源I1、第一、二、三、四、五、六、七、八NMOS管、第一电容C1、第一电阻R1、第一反向器INV1、第一、二、三、四、五、六、七PMOS管；第一电容C1为充放电电容，第四、六NMOS管构成放电支路，第三PMOS管MP3构成充电支路，调节第三、四NMOS管镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比。本发明通过使用两条独立支路对第一电容C1进行充放电操作，可获得任意所需占空比；通过第七、八NMOS管精确设置了电路充放电的上下翻转点，降低了电路复杂度和功耗；同时第七、八NMOS管通过对电路上下翻转点引入迟滞，提高了电路抗干扰能力。
技术研发人员：奚冬杰;罗永波;宣志斌
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十八研究所
技术研发日：2018.04.25
技术公布日：2018.09.28