1.一种基于晶体管堆叠技术的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、高效连续F类输出匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络；
所述输入基波匹配网络的输入端为整个所述高效率连续F类功率放大器的输入端，其输出端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；
所述高效连续F类输出匹配网络的输出端为整个所述高效率连续F类功率放大器的输出端，其输入端与三堆叠自偏置功率放大网络的输出端连接；
所述三堆叠自偏置功率放大网络的输入端还与栅极供电偏置网络连接，所述漏极供电偏置网络分别与三堆叠自偏置功率放大网络以及高效连续F类输出匹配网络连接。
2.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述输入基波匹配网络包括微带线TL1，所述微带线TL1的一端为输入基波匹配网络的输入端，其另一端分别与电容C1的一端以及开路微带线TL2连接，所述电容C1的另一端为输入基波匹配网络的输出端。
3.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述三堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md3、中间层晶体管Md2以及底层晶体管Md1；
所述底层晶体管Md1的源极接地，其栅极与微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端为三堆叠自偏置功率放大网络的输入端；
所述中间层晶体管Md2的栅极分别与电阻R2的一端以及第一栅极补偿电路连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R4的一端以及接地电阻R5连接，所述第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4；
所述顶层晶体管Md3的漏极为三堆叠自偏置功率放大网络的输出端，其栅极分别与电阻R6的一端以及第二栅极补偿电路连接，所述电阻R6的另一端分别与电阻R4的另一端以及电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端与漏极供电偏置网络连接，所述第二栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R1和补偿接地电容C5；
所述底层晶体管Md1的漏极和中间层晶体管Md2的源极之间通过微带线TL5连接，所述中间层晶体管Md2的漏极和顶层晶体管Md3的源极之间通过微带线TL6连接。
4.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述栅极供电偏置网络包括微带线TL3，所述微带线TL3的一端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接，其另一端分别与接地电容C2、接地电容C3以及低压偏置电源VG连接。
5.根据权利要求3所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述高效连续F类输出匹配网络包括依次串联的微带线TL7、电容C8、微带线TL8、微带线TL15和微带线TL16，所述微带线TL7未连接电容C8的一端为高效连续F类输出匹配网络的输入端，所述微带线TL16未连接微带线TL15的一端为高效连续F类输出匹配网络的输出端；
所述微带线TL7和电容C8的连接节点还与漏极供电偏置网络连接，所述电容C8和微带线TL8的连接节点上还连接有接地电容C9，所述微带线TL8和微带线TL15的连接节点上还连接有接地微带线TL9、接地微带线TL10、接地微带线TL11、接地微带线TL12、接地微带线TL13和接地微带线TL14，所述微带线TL15和微带线TL16的连接节点上还连接有接地电容C10。
6.根据权利要求5所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述漏极供电偏置网络包括微带线TL17，所述微带线TL17的一端与微带线TL7和电容C8的连接节点连接，其另一端分别与接地电容C6、接地电容C7、电阻R7以及高压偏置电源VD连接。