本发明涉及功率放大器领域，尤其涉及一种具有前端变压器的PA或LNA电路。
背景技术：
在TDD系统中，发射和接收路径在共享天线的同一频段内工作。 TRSW在TX和RX之间进行选择，并将两者相互隔离。在TX模式下，开关将接收器屏蔽在高PA输出功率下，而在RX模式下，开关可防止空闲PA在RX输入端提供泄漏路径或增加噪声。除了强大的隔离，TRSW还必须具有低IL，以最大限度地降低PA输出功率，PA效率以及RX噪声系数（NF）和灵敏度的降级。为了满足隔离和IL要求，许多商业TRSW模块仍然使用昂贵的材料，如GaAs或厚膜SOI来实现pHEMT或PIN二极管开关器件。由于PA的高输出电压摆幅超出了现代CMOS器件所容许的范围，第二，硅的低基板电阻在千兆赫兹频率下引起泄漏和损耗，所以将TRSW集成到体硅工艺上是具有挑战性的。在对发表的SoC系统的调查中，许多仍然没有集成的T/R或频带切换功能。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提供了一种65nm的CMOS无线TDD前端。
实施方案：
一种具有前端变压器的PA或LNA电路，包括LNA、变压器，所述变压器有两个，所述LNA横跨两个变压器，变压器的中心抽头节点CTAP1,CTAP2连接到PA电源，相邻的PA分支关闭，并作为LNA输入端的电容；侧面PA分支导通创建LNA到地的DC输入,中间的两个Cc为LNA的升压电容器，另外还有两个外部Cc为PA模式下的对称负载，电路还设置有三个附加的独立开关。
进一步的，相邻的PA分支的每个子PA有18个半单元，侧面PA分支的每个子PA有20个半单元。
进一步的，在PA模式里第一排晶体管是PA输入设备，由开关输入驱动。
进一步的，开关SW1和SW2在LNA支路的LNA负载以及PA的地之间选择通断，LNA电源开关SW1位于LNA分流电感的中心抽头，位于信号路径之外，PA接地开关SW2位于LNA的输出节点处。
有益效果：本发明仅通过使用直流电源开关就完成PA与LNA的相互转换，PA输出和LNA输入共享一个端口，无需特殊技术或是工艺，例如堆叠式开关或是隔离阱，设计巧妙。
附图说明
图1为本发明PA或LNA电路图；
图2为本发明PA或LNA电路PA模式和LNA模式原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。
如图所示，一种具有前端变压器的PA或LNA电路， LNA横跨两个子变压器，子变压器的中心抽头节点CTAP1,CTAP2连接到PA电源，在PA模式下导通；相邻的PA分支（每个子PA有18个半单元）关闭，并作为LNA输入端的电容；侧面PA分支（每个子PA有20个半单元）导通以创建LNA到地的DC输入；中间的两个Cc是LNA的升压电容器，另外还有两个外部Cc，是PA模式下的对称负载；电路还包括三个附加的独立开关。
在PA模式里第一排晶体管是PA输入设备，由开关输入驱动。
开关SW1和SW2在LNA支路的LNA负载以及PA的地之间选择通断。LNA电源开关SW1位于LNA分流电感的中心抽头，位于信号路径之外，可以任意调整大小，而不会对性能产生不利影响。PA接地开关SW2发生在LNA的输出节点处，并且其尺寸必须相对较小以使负载最小化。
本发明仅通过使用直流电源开关就完成PA与LNA的相互转换，PA输出和LNA输入共享一个端口，无需特殊技术或是工艺，例如堆叠式开关或是隔离阱，设计巧妙。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。