技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高输出功率高效率的功率放大器，采用基于SiGe工艺的HBT堆叠结构，由三层HBT串联堆叠组成；包括二号HBT晶体管、三号HBT晶体管、四号HBT晶体管和电阻分压网络；二号HBT晶体管发射极接地，集电极连接三号HBT晶体管发射极，基极分别连接二号隔直电容和一号扼流电感；三号HBT晶体管集电极连接四号HBT晶体管发射极，基极连接三号偏置电阻和二号接地电容，三号HBT晶体管基极和发射极之间连接二号电感和三号隔直电容；四号HBT晶体管基极和发射极间连接三号电感和四号隔直电容；四号HBT晶体管基极连接二号偏置电阻和三号接地电容；四号HBT晶体管集电极连接一号电阻、二号扼流电感和五号隔直电容。
技术研发人员：马建国;魏世哲;傅海鹏;马凯学
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.09.20
技术公布日：2019.01.08