一种电磁屏蔽袋的制作方法

本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种电磁屏蔽袋。

背景技术：

随着现代电子工业、无线通信和数字化技术的快速发展，电子电气设备越来越普及，大大提高了生活的质量，但这些设备都会不同程度地产生电磁辐射。目前，电磁辐射已成为继噪声污染、大气污染、水污染、固体废物污染之后的又一大公害，电磁辐射不仅造成辐射源之间的相互干扰，而且还污染人类生存的空间，科学研究证实电磁辐射达到一定的强度就会影响人的神经、生殖、免疫及心血管系统，从而诱发各种疾病。因此，急需各种各样的电磁屏蔽产品。

技术实现要素：

本实用新型提供一种电磁屏蔽袋，可以对袋内的物品进行有效地电磁屏蔽。

本实用新型提供一种电磁屏蔽袋，采用如下技术方案：

所述电磁屏蔽袋包括袋体、屏蔽层和封装层，其中，所述屏蔽层位于所述袋体的内侧，所述封装层位于所述屏蔽层远离所述袋体的一侧，所述屏蔽层包括沿远离所述袋体方向依次设置的胶黏剂层和复合层，所述复合层包括导电丝网和填充于所述导电丝网的空隙中的填充物，所述填充物包括低熔点金属。

可选地，所述袋体的袋口的内侧设置有魔术贴，其中，所述魔术贴包括勾面和与所述勾面相匹配的毛面，沿所述袋口的周向，所述勾面和所述毛面首尾连接。

可选地，所述封装层上设置有开口，所述开口与所述魔术贴所在位置相对应，且所述开口位置处所述复合层内的低熔点金属为固态；所述魔术贴为导电魔术贴。

可选地，所述袋体的袋口的边缘处设置有导电拉链，所述导电拉链包括两片导电链带，在所述袋口的边缘处，所述复合层具有超出所述封装层的超出部分，所述超出部分内的低熔点金属为固态，每片所述导电链带均与对应的所述超出部分连接。

可选地，所述屏蔽层还包括位于所述胶黏剂层和所述复合层之间的第一导电层，和/或，位于所述封装层和所述复合层之间的第二导电层。

可选地，所述填充物还包括屏蔽填料，所述屏蔽填料用于屏蔽磁场和/或电场。

可选地，所述袋体包括边缘相互粘合的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层之间填充有金属层，所述金属层的材质为熔点高于室温且低于100摄氏度的低熔点金属。

可选地，所述金属层的厚度与所述第一膜层的厚度之间的比值为1∶3～1∶1；所述金属层的厚度为1～2mm。

可选地，所述第一膜层的材质为硅胶、UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯、丙烯酸-聚氨酯、聚四氟乙烯、氟烯烃与乙烯基醚共聚树脂、氟硅树脂中的一种；所述第二膜层的材质为硅胶、UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯、丙烯酸-聚氨酯、聚四氟乙烯、氟烯烃与乙烯基醚共聚树脂、氟硅树脂中的一种。

可选地，所述袋体包括基材，以及可拆卸设置于所述基材内侧的多个柔性管，所述柔性管内灌装有熔点高于室温且低于100摄氏度的低熔点金属。

本实用新型提供的一种电磁屏蔽袋，该电磁屏蔽袋包括袋体、屏蔽层和封装层，屏蔽层包括沿远离袋体方向依次设置的胶黏剂层和复合层，复合层包括导电丝网和填充于导电丝网的空隙中的填充物，填充物包括低熔点金属，复合层中的导电丝网可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10kHz～30MHz级别的信号，填充物中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30MHz～40GHz的信号，以及屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，使得电磁屏蔽袋可以对袋内的物品进行有效地电磁屏蔽。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽袋的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的图1沿AA’方向的截面示意图一；

图3为本实用新型实施例提供的袋口的结构示意图一；

图4为本实用新型实施例提供的袋口的结构示意图二；

图5为本实用新型实施例提供的图1沿AA’方向的截面示意图二；

图6为本发明实施例提供的袋体的结构示意图一；

图7为本发明实施例提供的袋体的结构示意图二。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下本实用新型实施例中的各技术特征均可以相互结合。

本实用新型实施例提供一种电磁屏蔽袋，具体地，如图1和图2所示，图1为本实用新型实施例提供的电磁屏蔽袋的结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的图1沿AA’方向的截面示意图一，电磁屏蔽袋包括袋体1、屏蔽层2和封装层3，其中，屏蔽层2位于袋体1的内侧，封装层3位于屏蔽层2远离袋体1的一侧，屏蔽层2包括沿远离袋体1方向依次设置的胶黏剂层21和复合层22，复合层22包括导电丝网221和填充于导电丝网221的空隙中的填充物222，填充物222包括低熔点金属。图1中未示出封装层3。

需要说明的是，本实用新型实施例中，如无特殊说明，低熔点金属的熔点低于300摄氏度。

其中，袋体1主要起承载作用；胶黏剂层21主要用于提高复合层22与袋体1的附着力；复合层22主要用于屏蔽电磁波；封装层3主要用于对复合层22进行封装，防止导电丝网221和填充物222因与外界接触而造成的氧化、腐蚀或者损坏。

该电磁屏蔽袋中，复合层22中的导电丝网221可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10kHz～30MHz级别的信号，填充物222中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30MHz～40GHz的信号，以及屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，使得电磁屏蔽袋可以对袋内的物品进行有效地电磁屏蔽。

本实用新型实施例中的电磁屏蔽袋可以应用于手机、电子元器件(例如印刷电路板、发光二极管等)等的包装或者存放。

在实际使用过程中，可以对袋体1的袋口进行封口，以防止放置于电磁屏蔽袋内的物品掉出，本实用新型实施例提供以下两种袋口密封的方式：

在一个例子中，如图3所示，图3为本实用新型实施例提供的袋口的结构示意图一，袋体1的袋口的内侧设置有魔术贴4，其中，魔术贴4包括勾面41和与勾面41相匹配的毛面42，以使得通过魔术贴4的勾面41和毛面42的贴合，进而对电磁屏蔽袋进行封口，防止袋内的物品掉出。进一步地，本实用新型实施例中选择，沿袋口的周向，勾面41和毛面42首尾连接，以使得袋口的所有位置均能被密封，密封效果好。

在此例子中，优选地，封装层3上设置有开口，开口与魔术贴4所在位置相对应，且开口位置处复合层22内的低熔点金属为固态，魔术贴4为导电魔术贴，以使得魔术贴4的勾面41和毛面42相互贴合后，袋口内侧的复合层22的各个位置相互电连接，可以避免电磁波从袋口进入电磁屏蔽袋内，有助于提高电磁屏蔽袋的屏蔽效果。其中，开口位置处复合层22内的低熔点金属为固态的原因在于，固态的低熔点金属不会从封装层3的开口处泄露，不容易造成污染以及电磁屏蔽效果的下降。

在又一个例子中，如图4所示，图4为本实用新型实施例提供的袋口的结构示意图二，袋体1的袋口的边缘处设置有拉链5，进而可以简单方便地对电磁屏蔽袋进行封口，防止袋内的物品掉出。进一步地，本实用新型实施例中选择，拉链5为导电拉链，导电拉链包括两片导电链带，在袋口1的边缘处，复合层22具有超出封装层3的超出部分，超出部分内的低熔点金属为固态，每片导电链带均与对应的超出部分连接，以使得将导电拉链拉上后，袋口边缘位置处的复合层22的各个位置相互电连接，可以避免电磁波从袋口进入电磁屏蔽袋内，有助于提高电磁屏蔽袋的屏蔽效果。其中，超出部分内的低熔点金属为固态的原因在于，固态的低熔点金属不会泄露，不容易造成污染以及电磁屏蔽效果的下降。

可选地，袋体1的材质为纺织品、橡胶、柔性塑料膜、纸张、无纺布、等中的一种。胶黏剂层21的材质包括环氧树脂类、不饱和聚酯类、聚氨酯类、聚乙烯醇胶类、聚乙烯吡咯烷酮胶类、丙烯酸树脂胶类、乙酸乙烯树脂胶类中的一种或多种。另外，发明人发现胶黏剂层21的厚度对电磁屏蔽袋的性能有一定影响，胶黏剂层21的厚度过小，则会使得复合层22与袋体1之间的附着不牢固，胶黏剂层21的厚度过大，则会使得胶黏剂层21的柔性不佳，电磁屏蔽袋的柔性不佳。基于此，本实用新型实施例中选择胶黏剂层21的厚度为1～20μm。

可选地，复合层22包括的导电丝网221为黄铜网、紫铜网、不锈钢网、镍网、铁网、银网、锡网、坡莫合金网、镀锡铜包钢网或者镀锡铜包铝网等。可选地，导电丝网221的丝径为5μm～1000μm。导电丝网221的厚度为10μm～2000μm。导电丝网221的目数为2目～2000目。

发明人发现，导电丝网221的丝径、目数和厚度对电磁屏蔽袋的性能也有一定影响。具体地，导电丝网221的丝径过大，导电丝网221的厚度过大，复合层22的厚度过大，电磁屏蔽袋的柔性不佳，且需要的填充物222多，成本高，导电丝网221的丝径过小，导电丝网221的厚度过小，复合层22的厚度过小，电磁屏蔽袋的电磁屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中导电丝网221的丝径优选为30μm～200μm。导电丝网221的厚度约为导电丝网221的丝径的2倍左右，导电丝网221的厚度对电磁屏蔽袋的性能的影响与导电丝网221的丝径相同，本实用新型实施例中导电丝网221的厚度优选为60μm～400μm。导电丝网221的目数过大，导电丝网221的空隙过小，能够填充的填充物222的量太少，电磁屏蔽效果不佳，导电丝网221的目数过小，导电丝网221的空隙过大，对低频信号的屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中导电丝网221的目数优选为30目～300目。

由于复合层22包括导电丝网221和填充于导电丝网221的空隙中的填充物222，因此，复合层22的厚度与导电丝网3的厚度一致，即复合层22的厚度为10μm～2000μm，优选为60μm～400μm。

可选地，电磁屏蔽袋中复合层22包括的填充物222中的低熔点金属的熔点在300摄氏度以内，具体地，填充物222中的低熔点金属的熔点可以在室温以下，也可以在室温至300摄氏度之间，填充物222中的低熔点金属的熔点在室温以下时，在室温下低熔点金属即为液态，使得制备电磁屏蔽袋的方法较为简单，且电磁屏蔽袋可以具有较好的柔性，且低熔点金属的电导率高，电磁屏蔽效果好，填充物222中的低熔点金属的熔点在室温至300摄氏度之间时，低熔点金属的选材较为广泛，在室温下低熔点金属为固态，通过加热即可使低熔点金属熔化为液态，进而用于制备电磁屏蔽袋。

优选地，填充物222中的低熔点金属为镓铟合金或者镓铟锡合金，导电丝网221为黄铜网或者紫铜网，此时，填充物222中的低熔点金属中的镓和铟会与导电丝网221中的铜在室温下发生反应，生成具有一定厚度(20nm～1000nm)的化合物层，使得填充物222可更好地附着在导电丝网221上，以及更好地填充在导电丝网221的空隙中。

可选地，填充物222还包括屏蔽填料，该屏蔽填料用于屏蔽磁场和/或电场，即屏蔽填料可以仅用于屏蔽磁场，或者，屏蔽填料可以仅用于屏蔽电场，或者，屏蔽填料可以同时用于屏蔽磁场和屏蔽电场。

其中，填充物222包括的低熔点金属中的屏蔽填料过多，会使得屏蔽填料较难在液态的低熔点金属中分散均匀，且成本过高，填充物222包括的低熔点金属中的屏蔽填料过少，会使得屏蔽效果不佳，基于此，本实用新型实施例中选择填充物222包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为5～40％。

可选地，屏蔽填料包括铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉、金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉中的一种或几种。其中，铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉主要用于屏蔽磁场，金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉主要用于屏蔽电场。可选地，屏蔽填料的粒径为1nm～100μm。

在一个例子中，屏蔽填料为铁粉、镍粉、坡莫合金粉、铁氧体粉、非晶合金粉中的一种或几种，填充物222包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为5～15％；在又一个例子中，屏蔽填料为金粉、铂粉、银粉、铜粉、导电炭黑、导电石墨、镍包石墨粉、银包铜粉、银包镍粉中的一种或几种，填充物222包括的低熔点金属中屏蔽填料的重量百分比为10～40％。

另外，屏蔽填料(例如镍粉)的添加还会提高填充物222的粘性，有助于防止填充物222沿导电丝网221向下流。

可选地，本实用新型实施例中，封装层3的材质包括UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯中的一种或几种，以使得封装层3具有较好的封装效果和较好的柔性。可选地，封装层3的厚度为100μm以下，以使得封装层3具有较好的柔性。

可选地，如图5所示，图5为本实用新型实施例提供的图1沿AA′方向的截面示意图二，屏蔽层2还包括位于胶黏剂层21和复合层22之间的第一导电层23，和/或，位于封装层3和复合层22之间的第二导电层24，即屏蔽层2还包括位于胶黏剂层21和复合层22之间的第一导电层23，或者，屏蔽层2还包括位于封装层3和复合层22之间的第二导电层24，或者，屏蔽层2还包括位于胶黏剂层21和复合层22之间的第一导电层23，以及位于封装层3和复合层22之间的第二导电层24。

发明人发现，在复合层22的导电丝网221中可能会存在未被填充物222完全填充的空隙，影响电磁屏蔽袋的屏蔽效果，而第一导电层23和/或第二导电层24不仅本身就可以起到电磁屏蔽的作用，且还可以将上述空隙充分填满，进一步提高了电磁屏蔽袋的屏蔽效果。

示例性地，第一导电层23可由导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料固化后形成；第二导电层24也可由导电银浆、导电铜浆、导电碳浆、导电硅脂、低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料固化后形成。以上屏蔽填料的具体内容均可参见填充物222包括的屏蔽填料的具体内容，此处不再进行赘述。

优选地，第一导电层23由低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料固化后形成，且第一导电层23中的低熔点金属与填充物222包括的低熔点金属相同，同样地，第二导电层24由低熔点金属或者低熔点金属与屏蔽填料的复合材料固化后形成，且第二导电层24中的低熔点金属与填充物222包括的低熔点金属相同，以使得第一导电层23和/或第二导电层24与复合层22之间的兼容性好，几乎无接触界面或者接触界面的性能良好，使得电磁屏蔽袋的结构稳定性好。

可选地，第一导电层23和第二导电层24的厚度均在200μm以下。其中，第一导电层23和第二导电层24的厚度也会对电磁屏蔽袋的性能产生影响，具体地，第一导电层23或第二导电层24的厚度过小，会使得电磁屏蔽袋的电磁屏蔽效果不佳，第一导电层23或第二导电层24的厚度过大，会使得电磁屏蔽袋的厚度较大，柔性不佳，且成本较高，基于此，第一导电层23的厚度优选为20～100μm；第二导电层24的厚度优选为20～100μm。

可选地，如图6所示，图6为本发明实施例提供的袋体的结构示意图一，袋体1包括边缘相互粘合的第一膜层11和第二膜层12，第一膜层11和第二膜层12之间填充有金属层13，金属层13的材质为熔点高于室温且低于100摄氏度的低熔点金属，以使袋体1的形状可以根据实际需要进行改变。具体改变过程如下：对袋体1进行加热(例如用吹风机吹或者将袋体1放置于热水中)，使其中的金属层13熔化呈液态，将袋体1的形状改变为目标形状，然后使袋体1冷却，冷却后的袋体1即具有所需的目标形状。

可选地，金属层13的厚度与第一膜层11的厚度之间的比值为1∶3～1∶1，金属层13的厚度为1～2mm，以使得金属层13的强度可以维持袋体1具有目标形状，且袋体1的厚度和成本均较小。

可选地，第一膜层11的材质为硅胶、UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯、丙烯酸-聚氨酯、聚四氟乙烯、氟烯烃与乙烯基醚共聚树脂、氟硅树脂中的一种；第二膜层12的材质为硅胶、UV环氧丙烯酸酯、UV聚氨酯丙烯酸酯、UV聚醚丙烯酸酯、UV聚酯丙烯酸酯、UV不饱和聚酯、聚二甲基硅烷、柔软性聚丙烯酸、柔软性聚氨酯、丙烯酸-聚氨酯、聚四氟乙烯、氟烯烃与乙烯基醚共聚树脂、氟硅树脂中的一种。

可选地，如图7所示，图7为本发明实施例提供的袋体的结构示意图二，袋体1包括基材14，以及可拆卸设置于基材内侧的多个柔性管15，柔性管15内灌装有熔点高于室温且低于100摄氏度的低熔点金属，也可以使袋体1的形状可以根据实际需要进行改变。具体改变过程如下：对袋体1进行加热(例如用吹风机吹或者将袋体1放置于热水中)，使柔性管15中的低熔点金属熔化呈液态，对柔性管15的形状进行改变，使袋体1的形状为目标形状，然后使袋体1冷却，柔性管15中的低熔点金属固化，冷却后的袋体1即具有所需的目标形状。此种方式与之前所述的改变形状的方式相比，袋体的结构较为简单、重量较轻，但形状的多变性不如之前所述的方式，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

本实用新型实施例提供了一种电磁屏蔽袋，该电磁屏蔽袋包括袋体、屏蔽层和封装层，屏蔽层包括沿远离袋体方向依次设置的胶黏剂层和复合层，复合层包括导电丝网和填充于导电丝网的空隙中的填充物，填充物包括低熔点金属，复合层中的导电丝网可以有效屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，具体为10kHz～30MHz级别的信号，填充物中的低熔点金属可以有效屏蔽电磁波中的中频信号和高频信号，具体为30MHz～40GHz的信号，以及屏蔽电磁波中的低频信号和中频信号，使得电磁屏蔽袋可以对袋内的物品进行有效地电磁屏蔽。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。