1.一种集成电路，其形成于半导体基板，将从外部的受光元件输入的电流信号转换为电压信号，
该集成电路的特征在于，具有：
放大器，其将来自所述受光元件的所述电流信号放大，转换为所述电压信号；以及
低通滤波器，其对施加于所述受光元件的偏置电压进行滤波处理，
所述低通滤波器具有电阻和电容串联体，该电容串联体由多个电容元件串联连接而成，
所述电阻的一端与被输入所述偏置电压的电源端子连接，另一端与所述电容串联体的输入端以及所述受光元件的被施加所述偏置电压的偏置施加电极连接，
所述电容串联体构成为，串联连接的2个所述电容元件之间的连接端及所述电容串联体的输出端各自与电容端子连接，该电容端子选择性地连接于成为所述偏置电压的基准的接地电位。
2.一种集成电路，其形成于半导体基板，将从外部的受光元件输入的电流信号转换为电压信号，
该集成电路的特征在于，具有：
放大器，其将来自所述受光元件的所述电流信号放大，转换为所述电压信号；以及
低通滤波器，其对施加于所述受光元件的偏置电压进行滤波处理，
所述低通滤波器具有电阻和电容串联体，该电容串联体由多个电容元件串联连接而成，
所述电阻的一端与被输入所述偏置电压的电源端子连接，另一端与所述电容串联体的输入端以及所述受光元件的被施加所述偏置电压的偏置施加电极连接，
所述电容串联体构成为，串联连接的2个所述电容元件之间的连接端各自与电容端子连接，所述电容串联体的输出端固定于所述接地电位，其中，该电容端子选择性地连接于成为所述偏置电压的基准的接地电位。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，
所述电容端子是在该集成电路形成的导线键合焊盘。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其特征在于，
所述电容元件是mim型电容器。
5.一种光接收器，其具有：受光元件，其接收光信号；以及权利要求1至4中任一项所述的集成电路，其将从所述受光元件输入的电流信号转换为电压信号。
6.根据权利要求5所述的光接收器，其特征在于，
在所述受光元件是雪崩光电二极管的情况下，所述电容串联体的所述输出端侧的所述电容端子与所述接地电位连接。
7.根据权利要求5所述的光接收器，其特征在于，
在所述受光元件是与雪崩光电二极管相比所述偏置电压低的光电二极管的情况下，所述电容串联体的所述输入端侧的所述电容端子与所述接地电位连接。
8.一种光接收器，其具有：受光元件，其接收光信号；以及权利要求2所述的集成电路，其将从所述受光元件输入的电流信号转换为电压信号，
该光接收器的特征在于，
在所述受光元件是雪崩光电二极管的情况下，所有的所述电容端子均不与所述接地电位连接。