集合基板的制作方法

本实用新型涉及具有多个子基板区域的集合基板，尤其是涉及具备记录了与集合基板有关的信息的rfic芯片的集合基板。

背景技术：

在制造构成给定电路的基板时，以具有多个子基板的集合基板状态进行制造并在最终阶段将各子基板分离的制造方法是普遍的，而关于该集合基板将识别信息赋予给rfic芯片并在制造过程中对其进行利用正在被推进。

例如，在专利文献1中示出如下内容，即，在集合基板的缘部导体图案形成环路部，在该环路部搭载rfic芯片。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/060073号

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

在专利文献1所示的集合基板的构造中具有如下优点，即，能够不给多个子基板区域造成实质性影响地设置rfic芯片。

但是，在集合基板的缘部搭载比较大的芯片部件在集合基板的制造工艺上的难易度高。此外，由于在集合基板的缘部容易施加应力，因此芯片部件的连接部或者芯片部件自身在制造过程中容易破损。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中不易破损的集合基板。

用于解决课题的手段

(1)本实用新型的集合基板具有多个子基板区域以及外缘，通过将这些多个子基板区域分离来形成多个子基板，所述集合基板的特征在于，

具备记录了与所述集合基板有关的信息的rfic，

所述rfic设置在由沿着所述外缘的边包围所述多个子基板区域的包围区域内。

根据上述结构，可缓和施加于rfic的应力，可防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

(2)优选的是，所述rfic设置在俯视下环绕全部的所述子基板区域的最小范围的内侧。多个子基板区域原本就是从集合基板的缘部向内侧远离的区域，因此像这样在俯视下环绕全部的子基板区域的最小范围的内侧是从集合基板的缘部向内侧远离的、不易施加应力的区域。通过在该区域设置rfic芯片，从而可缓和施加于rfic的应力，可防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

(3)优选的是，设置有所述rfic的区域是所述多个子基板区域中的被两个子基板区域夹着的区域。根据该构造，可缓和施加于rfic的应力，可有效地防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

(4)优选的是，所述rfic内置于所述集合基板的厚度方向的内部。根据该构造，rfic被集合基板的基材保护，可缓和施加于rfic的应力，可防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

(5)也可以是，具备与所述rfic连接的辐射体，该辐射体是形成在作为设置有所述rfic的区域外的、所述集合基板的缘部的导体图案。根据该构造，可抑制向rfic的连接部或者rfic自身施加的应力，且可有效地利用集合基板的缘部。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中不易破损的集合基板。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的集合基板10的立体图。

图2是rfic配置区域9的俯视图。

图3(a)是集合基板10的多个基材的层叠前的剖视图。图3(b)是集合基板10的多个基材的层叠后的剖视图。

图4是遍及集合基板10的整个宽度的剖视图。

图5是rfic20的电路图。

图6是第1实施方式涉及的另一集合基板10的立体图。

图7(a)、图7(b)是示出第2实施方式涉及的集合基板10的、包围多个子基板区域的区域与rfic配置区域9的关系的俯视图。

图8(a)、图8(b)是第3实施方式涉及的集合基板10的俯视图。

具体实施方式

以下，参照图并列举几个具体的例子来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

《第1实施方式》

图1是第1实施方式涉及的集合基板10的立体图。集合基板10具有呈格子状配置的多个子基板区域11。集合基板10具有将lcp(liquidcrystalpolymer，液晶聚合物)、tpi(热塑性聚酰亚胺)等热塑性树脂层进行层叠而成的多层构造。各热塑性树脂层具有可挠性，集合基板10具有可挠性。通过切断图1中的由双点划线示出的区域，从而从该集合基板10分离多个子基板区域11。即，得到多个子基板。

集合基板10在子基板区域11以外具备配置rfic的rfic配置区域9。在本实施方式中，rfic配置区域9是与子基板区域11相同的尺寸，且相当于多个子基板区域的纵横的排列位置的一个位置。

图2是rfic配置区域9的俯视图。在该rfic配置区域9形成有面状导体15。此外，在该面状导体15的一部分形成有开口15ap，并形成有将该开口15ap与外缘之间连结的缝隙15sl。而且，电连接有rfic20，使得横跨该缝隙15sl。在该rfic20中记录与集合基板10有关的制造上的各种信息。

图2中的沿着面状导体15的边缘的箭头示出流过面状导体图案的电流的简略路径。面状导体15作为使用了rfic20的通信电路的辐射体发挥作用。即，由rfic20和面状导体15构成了rfid标签。

图3(a)是集合基板10的多个基材的层叠前的剖视图。图3(b)是层叠后的剖视图。

集合基板10是层叠了包含热塑性树脂层10a、10b、10c、10d、10e、10f的多个热塑性树脂层的构造。在热塑性树脂层10b、10c形成腔14，并在该腔14内埋设rfic20。

在热塑性树脂层10a的上表面形成有面状导体15，并在热塑性树脂层10a的内部形成有过孔导体13。

rfic20是将ic芯片24和电路图案22包含在内进行封装而成的。rfic20具有在基材21的表面搭载了ic芯片24的构造。在ic芯片24的周围形成保护层25。

基材21是与集合基板10的热塑性树脂层为同种材料的热塑性树脂层的层叠体。在基材21的内部形成有电路图案22，并在基材21的上表面形成有端子电极23。电路图案22包含基于面内导体图案、层间导体图案等的电感器或者电容器。该电路图案22包含具有给定谐振频率的谐振电路，构成了能够在宽频带进行阻抗匹配的宽频带匹配电路。

通过与热塑性树脂层10a～10f一起层叠rfic20，并进行加热加压，从而如图3(b)所示热塑性树脂层10a～10f的相邻的层间被热压接。此外，树脂层10a、10b与rfic20的基材21被热压接，树脂层10c、10d与rfic20的保护层25被热压接。进而，过孔导体13与rfic20的端子电极23导通。上述热压接时的温度例如为300℃。

图4是遍及集合基板10的整个宽度的剖视图。在本实施方式中，rfic配置区域9在俯视下处于夹在两个子基板区域11之间的位置。在子基板区域11形成有电路图案32，因此子基板区域11的平均硬度比集合基板10的热塑性树脂层单体硬。因而，根据该构造，可进一步缓和施加于rfic20的应力，可有效地防止rfic20的连接部或者rfic20自身在制造过程中的破损。

图5是rfic20的电路图。如图5所示，rfic20在ic芯片24与端子电极23之间形成包含电感器l1、l2以及电容器c1、c2的匹配电路。电感器l1插入在ic芯片24的一个端子与一个端子电极23之间，电感器l2插入在ic芯片24的一个端子与另一个端子之间(在图5的例子中，电感器l2经由电感器l1插入在ic芯片24的一个端子与另一个端子之间。)。电感器l1和电感器l2经由磁场m而耦合。电容器c1插入在ic芯片24的一个端子与一个端子电极23之间(在图5的例子中，电容器c1经由电感器l1插入在ic芯片24的一个端子与一个端子电极23之间。)。电容器c2插入在ic芯片24的另一个端子与另一个端子电极23之间。由这些电容器、电感器构成具有多个谐振频率的供电电路，可谋求宽频带化。该谐振电路的谐振频率实质上相当于无线通信设备的通信频率。

图6是第1实施方式涉及的另一集合基板10的立体图。与图1所示的集合基板10不同，将rfic配置区域9设置在多个子基板区域的纵横的排列位置中的角位置。这样，rfic配置区域9只要是从集合基板10的缘部向内侧远离的区域即可。此外，rfic配置区域9也可以设置在多个子基板区域的纵横的排列位置中的中央等内部的位置。

根据本实施方式，可缓和施加于rfic20的应力，可防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出多个子基板区域与rfic配置区域的几种关系。此外，示出rfic配置区域是与子基板区域不同的尺寸的例子。

图7(a)、图7(b)是示出第2实施方式涉及的集合基板10的、包围多个子基板区域的区域与rfic配置区域9的关系的俯视图。

在图7(a)中，由双点划线示出的包围区域cr1是由沿着集合基板10的外缘的边包围多个子基板区域11的矩形区域。在该图7(a)所示的例子中，在包围区域cr1内且子基板区域11以外的位置设置了rfic配置区域9。

在图7(b)中，由双点划线示出的包围区域cr2是在俯视下环绕全部的子基板区域11的最小范围。在该图7(b)所示的例子中，在包围区域cr2内且子基板区域11以外的位置设置了rfic配置区域9。

这样，如果在由沿着集合基板10的外缘的边包围多个子基板区域11的区域即包围区域cr1内设置rfic配置区域9，则可缓和施加于rfic的应力，可防止rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损。

此外，如果在俯视下环绕全部的子基板区域11的最小范围即包围区域cr2内设置rfic配置区域9，则可进一步缓和施加于rfic的应力，rfic的连接部或者rfic自身在制造过程中的破损防止效果进一步提高。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出与rfic连接的辐射体处于rfic配置区域外的例子。

图8(a)、图8(b)是第3实施方式涉及的集合基板10的俯视图。在图8(a)、图8(b)中，集合基板10均具备多个(8个)子基板区域11以及一个rfic配置区域9。此外，在集合基板10的缘部形成有缘部导体图案12。进而，从缘部导体图案12连续的面状导体15进入到rfic配置区域9内。

在图8(a)所示的例子中，在rfic配置区域9内的面状导体15形成有开口15ap。此外，在面状导体15形成有将开口15ap和rfic配置区域9内连结的缝隙15sl。而且，电连接有rfic20，使得横跨该缝隙15sl。

在图8(b)所示的例子中，在rfic配置区域9内的面状导体15形成有开口15ap、和将该开口15ap与外缘之间连结的缝隙15sl。而且，电连接有rfic20，使得横跨该缝隙15sl。

缘部导体图案12主要作为辐射体发挥作用，在开口15ap以及缝隙15sl形成的面状导体15主要作为用于使rfic20与缘部导体图案12的阻抗进行匹配的阻抗匹配部发挥作用。

根据本实施方式，rfic20配置在比集合基板10的缘部更靠内部，因此可抑制向rfic20的连接部或者rfic20自身施加的应力。而且，形成于集合基板10的缘部的缘部导体图案12作为辐射体被有效利用，从而可得到高的通信特性。

另外，缘部导体图案12并不限定于环状，例如也可以构成偶极(dipole)型的辐射体。

在以上所示的各实施方式中，示出了将rfic20内置于集合基板10的厚度方向的内部的例子，但该rfic20也可以安装于集合基板10的表面。

最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，并不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包括从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。

附图标记说明

c1、c2...电容器；

cr1、cr2...包围区域；

l1、l2...电感器；

9...rfic配置区域；

10...集合基板；

10a、10b、10c、10d、10e、10f...热塑性树脂层；

11...子基板区域；

12...缘部导体图案；

13...过孔导体；

14...腔；

15...面状导体；

15ap...开口；

15sl...缝隙；

20...rfic；

21...基材；

22...电路图案；

23...端子电极；

24...ic芯片；

25...保护层；

32...电路图案。