逻辑门电路的制作方法

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种数字电路中的逻辑门电路。

背景技术：

在数字电路中，所谓“门”就是只能实现基本逻辑关系的电路。最基本的逻辑关系是与、或、非，最基本的逻辑门是与门、或门和非门。逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。集辑门是在集成电路上的基本组件。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”闸，“或”闸，“非”闸，“异或”闸(也称：互斥或)等等。逻辑门是组成数字系统的基本结构，通常组合使用实现更为复杂的逻辑运算。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路，例如可编程逻辑器件等。

与门(英语：andgate)是数字逻辑中实现逻辑与的逻辑门。仅当输入均为高电压(1)时，输出才为高电压(1)；若输入中至多有一个高电压时，则输出为低电压。与门的功能是得到两个二进制数的最小值，而或门的功能是得到两个二进制数的最大值。

或门(英语：orgate)是数字逻辑中实现逻辑或的逻辑门。只要两个输入中至少有一个为高电平(1)，则输出为高电平(1)；若两个输入均为低电平(0)，输出才为低电平(0)。或门的功能是得到两个二进制数的最大值，而与门的功能是得到两个二进制数的最小值。

反相器(英语：inverter)也称非门(英语：notgate)，是数字逻辑中实现逻辑非的逻辑门。cmos反相器的非理想过渡区表现使其能在模拟电路中用作a类功率放大器(如作为运算放大器的输出级)。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种基于phemt工艺的逻辑门电路。

phemt，基于砷化镓或者氮化镓赝配高电子迁移率晶体管技术。

为解决上述技术问题，本发明提供的第一种逻辑门电路，形成逻辑电路非门，包括：第一类型第一phemtdm、第二类型的第一～第三phemtem1～em3和电阻r；

第一类型第一phemtdm第一连接端和第二类型第一phemtem1第一连接端接工作电压vdd，第一类型第一phemtdm第二连接端通过电阻r连接其第三连接端，第一类型第一phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第二类型第一phemtem1第二连接端和第二类型第二phemtem2第一连接端，第二类型第一phemtem1第三连接端和第二类型第三phemtem3第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二类型第二phemtem2第二连接端和第二类型第三phemtem3第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端vin，第二类型第二phemtem2第三连接端和第二类型第三phemtem3第三连接端连接地vss。

进一步改进所述逻辑门电路，形成第二种逻辑门电路，形成逻辑电路或非门，还包括：第二类型的第四phemtem4和第二类型第五phemtem5；

第一类型第一phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第二类型第一phemtem1第二连接端、第二类型第三phemtem3第一连接端和第二类型第五phemtem5第一连接端，第二类型第一phemtem1第三连接端、第二类型第二phemtem2第一连接端和第二类型第四phemtem4第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二类型第四phemtem4第二连接端和第二类型第五phemtem5第二连接端相连作为该逻辑门电路第一输入端a，第二类型第二phemtem2第二连接端和第二类型第三phemtem3第二连接端相连作为该逻辑门电路第二输入端b，第二类型第二～第五phemtem2～em5第三连接端连接地vss。

进一步改进所述第一种逻辑门电路，形成第三种逻辑门电路，形成逻辑电路与非门，还包括：第二类型的第四phemtem4和第二类型第五phemtem5；

第一类型第一phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第二类型第一phemtem1第二连接端和第二类型第四phemtem4第一连接端，第二类型第一phemtem1第三连接端和第二类型第二phemtem2第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二类型第二phemtem2第二连接端和第二类型第四phemtem4第二连接端相连作为该逻辑门第一电路输入端a，第二类型第二phemtem2第三连接端连接第二类型第三phemtem3第一连接端，第二类型第四phemtem4第三连接端连接第二类型第五phemtem5第一连接端，第二类型第三phemtem3第二连接端和第二类型第五phemtem5第二连接端相连作为该逻辑门第一电路输入端b，第二类型第三phemtem3第三连接端和第二类型第五phemtem5第三连接端连接地vss。

其中，所述第一类型phemt是耗尽型phemt，第二类型phemt是增强型。

其中，第一类型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

其中，第二类型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

本发明至少具有以下技术效果：

1，相比现有技术，本发明的功耗更低。

逻辑单元电路输入低电平时，下方两个增强型场效应管em2、em3被关断，耗尽型场效应管dm打开，没有直流通路，逻辑电路功耗为0，输出拉到电源电压vdd。

输入高电平时，下方两增强型场效应管em2、em3打开，耗尽型场效应管dm与电阻r所在通路有电流时，栅端电压降会低于源端，迫使耗尽型场效应管dm管趋向关断，使右上增强型场效应管em1栅极推向低电平关断其源端漏端，功耗降低。

现有技术功耗大约为几百ua，本发明在同样电路版图面积的情况下，可降低一个数量级达到几十ua。逻辑输出电压为0电位。

2，相比现有技术，本发明的驱动能力更强。

本发明输出端上下均为增强型场效应管，逻辑输入为低电平时，输出端上端增强型场效应管em1栅极拉到vdd，下端增强型场效应管em2栅下拉接近0电位，驱动能力强。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明第一种逻辑门电路结构示意图。

图2是本发明第二种逻辑门电路结构示意图。

图3是本发明第三种逻辑门电路结构示意图。

附图标记说明

dm是第一类型第一phemt

em1～em5是第二类型的第一～第五phemt

r是电阻

vin是逻辑门电路输入端

vout是逻辑门电路输出端

vdd工作电压

vss是地

a是逻辑门电路第一输入端

b是逻辑门电路第二输入端。

具体实施方式

如图1所示，本发明提供的第一种逻辑门电路，形成逻辑电路非门，包括：第一耗尽型phemtdm、第一～第三增强型phemtem1～em3和电阻r；

第一耗尽型phemtdm第一连接端和第一增强型phemtem1第一连接端接工作电压vdd，第一耗尽型phemtdm第二连接端通过电阻r连接其第三连接端，第一耗尽型phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第一增强型phemtem1第二连接端和第二增强型phemtem2第一连接端，第一增强型phemtem1第三连接端和第三增强型phemtem3第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二增强型phemtem2第二连接端和第三增强型phemtem3第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端vin，第二增强型phemtem2第三连接端和第三增强型phemtem3第三连接端连接地vss。

增强型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

耗尽型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

如图2所示，本发明提供的第二种逻辑门电路，形成逻辑电路或非门，在上述非门实施例的基础上，还包括：第四增强型phemtem4和第五增强型phemtem5；

第一耗尽型phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第一增强型phemtem1第二连接端、第三增强型phemtem3第一连接端和第二类型第五phemtem5第一连接端，第一增强型phemtem1第三连接端、第二增强型phemtem2第一连接端和第二类型第四phemtem4第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二类型第四phemtem4第二连接端和第二类型第五phemtem5第二连接端相连作为该逻辑门电路第一输入端a，第二增强型phemtem2第二连接端和第三增强型phemtem3第二连接端相连作为该逻辑门电路第二输入端b，第二类型第二～第五phemtem2～em5第三连接端连接地vss。

增强型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

耗尽型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

如图3所示，本发明提供的第三种逻辑门电路，形成逻辑电路与非门，在上述非门实施例的基础上，还包括：第四增强型phemtem4和第五增强型phemtem5

第一耗尽型phemtdm第三连接端通过电阻r分别连接第一增强型phemtem1第二连接端和第二类型第四phemtem4第一连接端，第一增强型phemtem1第三连接端和第二增强型phemtem2第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端vout，第二增强型phemtem2第二连接端和第二类型第四phemtem4第二连接端相连作为该逻辑门第一电路输入端a，第二增强型phemtem2第三连接端连接第三增强型phemtem3第一连接端，第二类型第四phemtem4第三连接端连接第二类型第五phemtem5第一连接端，第三增强型phemtem3第二连接端和第二类型第五phemtem5第二连接端相连作为该逻辑门第一电路输入端b，第三增强型phemtem3第三连接端和第二类型第五phemtem5第三连接端连接地vss。

增强型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

耗尽型phemt为n型掺杂时，其第一连接端是漏极，其第二连接端是栅极，其第三连接端是源极。

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。