磁保护器壳体、磁保护器和磁保护系统的制作方法

本发明属于磁场屏蔽技术领域，具体而言，涉及一种磁保护器壳体、磁保护器和磁保护系统。

背景技术：

传统磁技术的磁发生设备使用金属合金磁铁包括钕铁硼磁铁(nd2fe14b)、铝镍钴磁铁(alnico)、钐钴磁铁(smco)和铁氧体永磁材料(bafe12o19和srfe12o19)，与金属导线进行切割，产生磁场或电。这些磁作用于铁、镍、钴及其合金上，固体物质的旋转能力受到限制，导致磁的快速变化能力非常弱，磁场强度变化能力弱，也限制了这种产生磁的工艺使用范围。

随着各种新的磁设备出现，包括：射频技术应用、激光技术应用等，产生了磁场保护需求。

现有技术中，一般的磁保护器只针对电磁进行保护：包括持续磁场输出的电力持续性方面保护，缺乏对于其他类型磁场的保护，如wi－fi、手机、电视、γ射线等相关类型磁场。另外，现有的一些磁保护器，未能有效屏蔽电磁场，有效防止电磁场的向外扩散，容易造成磁波的泄漏。

鉴于此，特提出本发明。

技术实现要素：

本发明的第一目的在于提供一种磁保护器壳体，能够有效防止磁波的泄漏，将磁污染和辐射污染屏蔽在保护器内，并可以对置于保护器中的产品提供安全的运行环境，能够克服上述问题或者至少部分地解决上述技术问题。

本发明的第二目的在于提供一种磁保护器，该磁保护器包括上述的磁保护器壳体。

本发明的第三目的在于提供一种磁保护系统，该磁保护系统包括上述的磁保护器。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

根据本发明的一个方面，本发明提供一种磁保护器壳体所述壳体包括：

第一屏蔽层；

在所述第一屏蔽层的表面上形成有薄膜，所述薄膜具有蜂巢结构。

优选地，所述第一屏蔽层的厚度为10－1000nm，优选为40－60nm，进一步优选为50nm。

优选地，所述第一屏蔽层的基体材质为铜材质，所述薄膜的材质为氧化铜；

优选地，所述氧化铜为纳米氧化铜。

优选地，所述壳体还包括：

第二屏蔽层；

所述第二屏蔽层位于所述第一屏蔽层的外侧，所述第一屏蔽层的外侧饶有线组，所述线组设于所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间。

优选地，所述第二屏蔽层的材质为铁；

优选地，所述铁为灰口铁，所述灰口铁的含碳量低于1.8％；

优选地，所述第二屏蔽层的厚度为200－400nm，优选为300nm。

优选地，所述壳体还包括第二屏蔽层和第三屏蔽层；

所述第二屏蔽层位于所述第一屏蔽层的外侧，所述第三屏蔽层位于所述第二屏蔽层的外侧，所述第一屏蔽层和/或第二屏蔽层的外侧饶有线组。

优选地，所述第二屏蔽层的材质为铁；

优选地，所述铁为灰口铁，所述灰口铁的含碳量低于1.8％；

优选地，所述第二屏蔽层的厚度为200－400nm，优选为300nm；

优选地，所述第三屏蔽层的材质为合金，优选为奥氏体合金；

优选地，所述奥氏体合金包括304不锈钢；

优选地，所述第三屏蔽层的厚度为700－900nm，优选为800nm。

优选地，所述第一屏蔽层内部的磁场沿第一屏蔽层内表面横向循环。

根据本发明的另一个方面，本发明提供一种磁保护器，包括设备和用于容纳所述设备的磁保护器壳体；

所述磁保护器壳体为如上所述的磁保护器壳体。

根据本发明的另一个方面，本发明还提供一种磁保护系统，包括以上所述的磁保护器。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明提供的磁保护器壳体，包括第一屏蔽层，通过在第一屏蔽层的表面上设置具有蜂巢结构的薄膜，来增强壳体的磁屏蔽能力，可以有效防止磁波的泄漏，使得屏蔽层内部的磁场处于一个封闭的环境中，从而可以很好的防止屏蔽层内部的磁场外泄，较好的起到磁屏蔽效果，且可以对置于保护器中的产品提供安全的运行环境。

同时，本发明的磁保护器壳体能够缓解现有的磁保护器只针对电磁进行保护，缺乏对于其他类型磁场的保护，如wi－fi、手机、电视、γ射线等相关类型磁场的问题，具有适用范围广、适应性强等特点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1提供的磁保护器壳体的结构示意图；

图2为实施例提供的一种纳米氧化铜薄膜显微结构图；

图3为实施例提供的另一种纳米氧化铜薄膜显微结构图；

图4为本发明实施例2提供的磁保护器壳体的结构示意图；

图5为本发明实施例3提供的磁保护器壳体的结构示意图。

图标：1－第一屏蔽层；2－第二屏蔽层；3－第三屏蔽层；4－线组。

具体实施方式

下面将结合实施方式和实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施方式和实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有定义或说明，本文中所用的专业与科学术语与本领域熟练人员所熟悉的意义相同。

为克服现有技术的不完善，本发明提供一种磁保护器壳体、磁保护器和磁保护系统，通过在第一屏蔽层的表面上设置具有蜂巢结构的薄膜，来增强壳体的磁屏蔽能力，可以有效防止磁波的泄漏，使得屏蔽层内部的磁场处于一个封闭的环境中，从而可以很好的防止屏蔽层内部的磁场外泄，较好的起到磁屏蔽效果，且可以对置于保护器中的产品提供安全的运行环境。

因而，根据本发明的第一个方面，在至少一个实施例中提供一种磁保护器壳体，所述壳体包括：

第一屏蔽层；

在所述第一屏蔽层的表面上形成有薄膜，所述薄膜具有蜂巢结构。

屏蔽主要是对两个空间区域之间进行金属的隔离，可以用来控制电场或磁场从空间的一个区域到另一个区域的传播，即可以控制电场、磁场或电磁波由一个区域对另一个区域的感应或辐射，防止干扰电磁场向外扩散，或防止一些电路、设备等受到外界电磁场的影响。

真正影响电磁屏蔽效能的有两个因素：一个是整个屏蔽体表面必须是导电连续的，另一个是不能有直接穿透屏蔽体的导体。屏蔽体上有很多导电不连续点，最主要的一类是屏蔽体不同部分结合处形成的不导电缝隙。

这些不导电的缝隙就产生了电磁泄漏，如同流体会从容器上的缝隙上泄漏一样。解决这种泄漏的一个方法是在缝隙处填充导电弹性材料，消除不导电点。这就像在流体容器的缝隙处填充橡胶的道理一样。这种弹性导电填充材料就是电磁密封衬垫。并非用导电弹性材料将缝隙密封到滴水不漏的程度才能够防止电磁波泄漏。因为缝隙或孔洞是否会泄漏电磁波，取决于缝隙或孔洞相对于电磁波波长的尺寸。当波长远大于开口尺寸时，并不会产生明显的泄漏。

根据本发明，所述壳体包括第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的表面上覆盖有蜂巢结构的薄膜。

本发明的发明人为了防止磁波的泄漏，在屏蔽层的表面覆盖具有蜂巢结构的材料层，使得屏蔽层内部的磁场处于一个封闭的环境中，从而可以很好的防止屏蔽层内部的磁场外泄。

进一步，通过该磁保护器壳体可以有效屏蔽磁污染和放射性辐射污染，如果太多、太强经常性的磁污染对人体会产生很大的伤害。医学研究证明，长期处于高电磁辐射的环境中，会使血液、淋巴液和细胞原生质发生改变。磁污染对人体造成的危害具有累加效应，能从基因上改变人的各种机能，而这种改变是长期的，有时甚至要经过几代人才能显现。而通过磁保护器将磁污染和辐射污染屏蔽在保护器内，在人体与污染源之间构筑一道健康防线。

需要说明的是：

本文中，第一屏蔽层的表面上覆盖有蜂巢结构的薄膜，主要是指该第一屏蔽层的表面上设有或具有薄膜，该薄膜具有蜂巢状的结构或具有类似于蜂巢状的结构。

上述蜂巢结构可以理解为具有多个孔穴或多个通孔的蜂巢结构，孔穴或通孔的数量或形状等都不受限制。

上述壳体为空心壳体，壳体内部具有用于容纳各种装置或设备的容置空间。

可选的，第一屏蔽层具有内表面和外表面，在所述内表面和/或外表面上设有蜂巢结构的薄膜。也就是说，可以在内表面上设有蜂巢结构的薄膜，也可以在外表面上设有蜂巢结构的薄膜，也可以同时在内表面和外表面上设有蜂巢结构的薄膜。

上述内表面为朝向壳体内部空间的一面，上述外表面为朝向壳体外部或与其他层相结合的一面。较佳的，在第一屏蔽层的内表面和外表面上都设有蜂巢结构的薄膜。

在一种优选的实施方式中，所述第一屏蔽层的基体材质为铜材质，所述铜材质的表面覆盖有蜂巢结构的氧化铜薄膜；

优选地，所述氧化铜薄膜为纳米氧化铜薄膜。

优选地，所述第一屏蔽层内部的磁场沿第一屏蔽层内表面横向循环。

铜箔是现有的较为常见的一种电磁屏蔽材料，多用于制备各类金属屏蔽胶带。虽然现有技术中已有一些关于铜材质作为电磁屏蔽材料的报道，但是，现有的铜屏蔽材料的电磁屏蔽效果还有待提升，容易导致屏蔽功能的失效。目前为止，尚未发现通过在铜材质的表面设置蜂巢状结构的氧化铜薄膜，以提高壳体的磁屏蔽能力，进而有效防止磁波的泄漏的报道。因此，本发明创造性的提出采用铜材质作为第一屏蔽层的基体材料，并在铜材质的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，不仅可以提高壳体的磁屏蔽能力，有效防止磁波的泄漏，而且蜂巢状的结构有利于提高产品的结构稳定性，结合力强，使得产品具有安全、稳定、可靠的特点。

根据本发明的实施例，用于磁场屏蔽的容器的壳体的最里层(第一层)采用铜原材料制备，利用了铜的纯度属性、易延展，材料容易获得等属性；同时通过采用氧化、碱化等工艺对铜进行多次纳米化，用于屏蔽不同强度的磁场。如将铜材料纳米化7800层，可屏蔽1特斯拉磁场；将铜材料纳米化32000层，可屏蔽100特斯拉磁场。

发明人发现，对材质表面进行纳米化可实现材料表面原子的特定排列，而形成的这种特定的排列具有吸收磁场的效果，可将纵向的磁场，转换为沿磁保护器最里层屏蔽层内表面横向循环，从而达到磁场不外泄，封闭磁场的目的；就像利用离心力把水封闭在一个敞口容器里，而水并不受引力的作用从杯子里溢出一样的道理。

磁保护器的第一层屏蔽层采用铜基材质，并在铜基材质的表面形成具有蜂巢结构的纳米氧化铜薄膜，该氧化铜薄膜用于保护一些高精电子产品、锂电池、以及以铁、铜、银为介质的微电路短板，进而避免因高温氧化而造成短路。

根据本发明的实施例，上述第一屏蔽层的制备可以采用如下方式：

第一屏蔽层的基体材质为铜材质，将铜放入含有naoh与koh的水溶液中，向该水溶液中加入一定量的铝箔，浸泡一段时间，然后取出浸泡后的铜将其放入真空箱里干燥几天；使铜的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，外界磁场无法穿透。

优选地，第一屏蔽层的基体材质为铜材质，将铜放入含有naoh与koh的水溶液中，其中naoh与koh的质量比为2：1，再向该水溶液中加入5－20g的铝箔，浸泡0.5－2天，将铜放入真空箱里干燥7－14天；使铜的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，外界磁场无法穿透。

由此，上述纳米氧化铜薄膜可以采用烧碱纳米化工艺制备，(纳米化7800层，可屏蔽1特斯拉强度磁场；纳米化32000层，可屏蔽100特斯拉强度磁场，纳米42800层以上时，可屏蔽170特斯拉强度)。此外，若采用燃烧氧化法，可达到一般磁场屏蔽要求；而采用烧碱二次保护，可实现100年以上保护。

在一种优选的实施方式中，所述第一屏蔽层的厚度为10－1000nm，优选为40－60nm，进一步优选为50nm。

根据本发明的实施例，典型但非限制性的，上述第一屏蔽层的厚度例如可以为10nm、20nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、800nm、900nm或1000nm。

在上述适宜的第一屏蔽层厚度范围内，可以达到在保证其电磁屏蔽性能的同时，降低成本，避免材料的浪费，产品的柔韧性和硬度适中，还有利于延长使用寿命。

在一种优选的实施方式中，所述壳体还包括：

第二屏蔽层；

所述第二屏蔽层位于所述第一屏蔽层的外侧，所述第一屏蔽层的外侧饶有线组，所述线组设于所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间。

也就是说，所述壳体由内至外依次包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层的外表面上饶有线组。

在另一种优选的实施方式中，所述壳体还包括第二屏蔽层和第三屏蔽层；

所述第二屏蔽层位于所述第一屏蔽层的外侧，所述第三屏蔽层位于所述第二屏蔽层的外侧，所述第一屏蔽层和/或第二屏蔽层的外侧饶有线组。

也就是说，所述壳体由内至外依次包括第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，所述第一屏蔽层和/或第二屏蔽层的外表面上饶有线组。

可以理解的是，本发明的壳体包括了至少一层屏蔽层。即该壳体可以为一层结构，第一屏蔽层；该壳体也可以为两层结构，包括第一屏蔽层和第二屏蔽层；该壳体也可以为三层结构，包括第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层。

根据本发明，壳体具有用于容纳各种装置或设备的内部空间，上述由内至外可以称为从内至外，主要是指由朝向壳体内部空间的一侧至朝向壳体外的一侧。即，当该壳体具有三层结构时，第一屏蔽层位于最里层，第三屏蔽层位于最外层。

根据本发明，当该壳体具有三层结构时，第一屏蔽层和/或第二屏蔽层的外表面上饶有线组，主要是指第一屏蔽层的外表面上饶有线组，或者第二屏蔽层的外表面上饶有线组，或者第一屏蔽层和第二屏蔽层的外表面上同时饶有线组。

可以理解的是，缠绕在屏蔽层外的绕线组实则是导出线，作用类似于接地线，将每层的电势导出接地，而导出线可用金属，如铜、银、黄金等，导出电势，不形成电势差，消除磁场产生的条件。同时进行结构空间上的不同层次的保护。

需要说明的是，上述第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层是通过绕组互相嵌套在一起。

根据本发明的实施例，所述第二屏蔽层的材质为铁；

优选地，所述铁为灰口铁，所述灰口铁的含碳量(质量含量)低于1.8％。

磁保护器壳体从内至外的第二层屏蔽层采用灰口铁材质，灰口铁用于提供抗氧化性，同时能进行结构上的保护，利于内部导电材料布线，不降低内部电子设备或其他装置的功能且起到保护地磁的功能。

根据本发明，所采用的铁为灰口铁，灰口铁具有质地较软，容易切削和容易进行机械加工，铸造性能好等特点。含碳量低于1.8％的灰口铁，更有助于提供抗氧化性，更好的起到保护地磁的功能，增强壳体的磁屏蔽能力，防止磁波的泄漏。

根据本发明的实施例，所述第三屏蔽层的材质为合金，优选为奥氏体合金；

优选地，所述奥氏体合金包括304不锈钢。

为了进一步保护，磁保护器壳体还可以在第二层屏蔽层外设置第三层屏蔽层，第三层屏蔽层优选奥氏体合金，奥氏体合金由于具有抗酸碱性，所以用于磁保护器内部的设备不被氧化。

需要说明的是，本发明对于奥氏体合金的具体类型没有特殊限制，只要不对本发明的目的产生限制即可；其包括但不限于上述奥氏体304不锈钢，还列举出其他类似的奥氏体合金钢，例如奥氏体316不锈钢、奥氏体630不锈钢、奥氏体309不锈钢等。

采用上述奥氏体不锈钢作为最外一层的保护层，具有高韧性、高可塑性等特点，具有优异的耐蚀性、成型性、相容性，可以保护磁保护器壳体内部的设备不被氧化，有利于对壳体中的设备提供安全的运行环境。

在一种优选的实施方式中，优选地，所述第二屏蔽层的厚度为200－400nm，优选为300nm。

在一种优选的实施方式中，所述第三屏蔽层的厚度为700－900nm，优选为800nm。

根据本发明的实施例，典型但非限制性的，上述第二屏蔽层的厚度例如可以为200nm、250nm、300nm、350nm或400nm。上述第三屏蔽层的厚度例如可以为700nm、750nm、800nm、850nm或900nm。

在上述适宜的第二屏蔽层厚度、第三屏蔽层厚度范围内，可以达到在保证其电磁屏蔽性能的同时，降低成本，避免材料的浪费，产品的柔韧性和硬度适中，还有利于延长使用寿命。

作为本发明的优选实施方式，该磁保护器壳体具有三层结构，由内至外依次包括第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层；其中，第一屏蔽层的基体材质为纯铜片，在铜片表面进行氧化形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，第二屏蔽层是铸铁，尤其是含碳量低于1.8％的灰口铁，第三屏蔽层是奥氏体合金，例如可以为奥氏体304不锈钢。磁保护器壳体的内部空间用于存放电子设备或其他装置，避免电子设备或其他装置受到非常高磁场(磁：特斯拉)的影响而产生的失效。

使用磁保护器壳体，需要定期将铜质屏蔽层取出，用直流电正负极交换充电共2000次，形成保护场。如果外界磁场干扰严重则充电次数需加倍。

本发明的磁场保护器可以任意采用不同材料：强度、层次堆叠、空间分布，以形成屏蔽不同的酸碱、盐、氧化及磁强度的目的。

第二方面，在至少一个实施例中提供一种磁保护器，包括设备和用于容纳所述设备的如上所述的磁保护器壳体；

可以理解的是，该磁保护器壳体内部的设备可以为电子设备、电路板、锂电池或其他的装置等，本发明对于设置在磁保护壳体内部的设备不作特殊限制，只要不对本发明的目的产生限制即可。

根据本发明的另一个方面，本发明还提供一种磁保护系统，包括以上所述的磁保护器。

可以理解的是，该磁保护系统，不仅包括本发明的磁保护器，还可以包括磁发生器等现有技术公知的其他设备，本发明对于其他的设备及位置关系不作特殊限制，该磁保护系统的核心在于包括了本发明的磁保护器。

本发明的磁场保护器装置及其与磁场发生器混合搭配可用于：消除磁污染、电力、运输、电子、建筑、医疗等方面。

应当理解的是，本发明的磁保护器、磁保护系统与上述的磁保护器壳体是基于同一发明构思的，因而至少具有与上述磁保护器壳体相同的优势，本发明在此不再赘述。

下面结合具体实施例和附图，对本发明作进一步说明。

实施例1

如图1所示，一种磁保护器壳体，所述壳体包括第一屏蔽层1，第一屏蔽层1的基体材质为铜材质，铜材质的表面覆盖有蜂巢结构的纳米氧化铜薄膜。

该第一屏蔽层1的制备包括：将铜放入含有naoh与koh的水溶液中，其中naoh与koh的质量比为2：1，再向该水溶液中加入10g的铝箔，浸泡1天，将铜放入真空箱里干燥10天；使铜的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，外界磁场无法穿透。

参照图2和图3所示，图2和图3分别显示了利用显微镜观察到的不同观测尺度的氧化铜薄膜，其中，图2为显微镜观察到的1μm尺度的纳米氧化铜薄膜，图3为显微镜观察到的10－500nm尺度的纳米氧化铜薄膜。从图中可以看出，纳米化铜具有sp3结构，即第一层sp3结构，1纳米。第二层sp2结构，50纳米；第三层平面结构，500纳米。因此，至少需要三层纳米化，才能得到适宜的具有蜂巢结构的氧化铜薄膜。

一种磁保护器，包括设备和用于容纳设备的如上所述的磁保护器壳体。

使用磁保护器，需要定期将铜质屏蔽层用直流电正负极交换充电共2000次，形成保护场，如果外界磁场干扰严重则充电次数需加倍。

实施例2

如图4所示，一种磁保护器壳体，所述壳体由内至外依次包括第一屏蔽层1和第二屏蔽层2，第一屏蔽层1的基体材质为铜材质，铜材质的表面覆盖有蜂巢结构的纳米氧化铜薄膜；第二屏蔽层2的材质为灰口铁。

该第一屏蔽层1的制备包括：将铜放入含有naoh与koh的水溶液中，其中naoh与koh的质量比为2：1，再向该水溶液中加入10g的铝箔，浸泡1天，将铜放入真空箱里干燥7天；使铜的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，外界磁场无法穿透。

在第一屏蔽层1外饶有线组4，缠绕在屏蔽层外的绕线组实则是导出线，作用类似于接地线，将每层的电势导出接地，而导出线可用金属，如铜、银、黄金，导出电势，不形成电势差。消除磁场产生的条件，同时进行结构空间上的不同层次的保护。

设于第一屏蔽层1外的为第二屏蔽层2，是为了防止一些高精电子产品、锂电池、以及以铁、铜、银为介质的微电路短板，避免因高温氧化而造成短路，同时能在结构上进行强度保护，有利于层间内部导电材料布线，不降低磁保护器内部电子设备或其他装置的功能且起到保护地磁的功能，第二屏蔽层2的材质选用灰口铁。

一种磁保护器，包括设备和用于容纳设备的如上所述的磁保护器壳体。

使用磁保护器，需要定期将铜质屏蔽层用直流电正负极交换充电共2000次，形成保护场，如果外界磁场干扰严重则充电次数需加倍。

实施例3

如图5所示，一种磁保护器壳体，所述壳体由内至外依次包括第一屏蔽层1、第二屏蔽层2和第三屏蔽层3，第一屏蔽层1的基体材质为铜材质，铜材质的表面覆盖有蜂巢结构的纳米氧化铜薄膜；第二屏蔽层2的材质为灰口铁，第三屏蔽层3的材质为奥氏体合金。

该第一屏蔽层1的制备包括：将铜放入含有naoh与koh的水溶液中，其中naoh与koh的质量比为2：1，再向该水溶液中加入10g的铝箔，浸泡1天，将铜放入真空箱里干燥14天；使铜的表面形成具有蜂巢结构的氧化铜薄膜，外界磁场无法穿透。

在第一屏蔽层1外饶有线组4，绕组一般采用铜线。

设于第一屏蔽层1外的为第二屏蔽层2，是为了提高抗氧化性，同时能进行结构上的保护，利于内部导电材料布线，不降低磁保护器内部电子设备或其他装置的功能且起到保护地磁的功能，第二屏蔽层2的材质选用灰口铁。

第二屏蔽层2外部缠绕有线组4，绕组一般采用铜线。

设于第二屏蔽层2外部的为第三屏蔽层3，是为了保护设备不被氧化，第三屏蔽层3采用具有抗酸碱性的奥氏体合金材料。

一种磁保护器，包括设备和用于容纳设备的如上所述的磁保护器壳体。

使用磁保护器，需要定期将铜质屏蔽层用直流电正负极交换充电共2000次，形成保护场，如果外界磁场干扰严重则充电次数需加倍。

缠绕在屏蔽层外的绕线组实则是导出线，作用类似于接地线，将每层的电势导出接地，而导出线可用金属，如铜、银、黄金，导出电势，不形成电势差。消除磁场产生的条件，同时进行结构空间上的不同层次的保护。

实施例4

一种磁保护器壳体，与实施例3的区别在于：

第一屏蔽层的制备包括：采用烧碱纳米化工艺(纳米化7800层，可屏蔽1特斯拉强度磁场；纳米化32000层，可屏蔽100特斯拉强度磁场。纳米42800层以上时，可屏蔽170特斯拉强度)；采用燃烧氧化法，可达到一般磁场屏蔽要求；采用烧碱二次保护，可实现100年以上保护。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。