用于电子设备的强化的盖的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请为2018年12月20日提交的并且标题为“strengthenedcoversforelectronicdevices”的美国临时专利申请no.62/783,162的非临时专利申请并要求其权益，该临时专利申请的公开内容全文以引用方式并入本文。

所述实施方案整体涉及用于电子设备的化学强化的盖和相关方法。更具体地，本文所述的实施方案涉及使用化学强化和材料移除的组合进行处理以减轻盖的安装表面的翘曲或畸变的玻璃盖。

背景技术：

用于便携式电子设备的常规盖可由玻璃制成。此类常规玻璃盖可通过离子交换进行化学强化。例如，化学强化可改善玻璃盖的抗冲击性。

然而，一些常规玻璃盖可能在化学强化期间翘曲。盖的翘曲可使得更难以在玻璃盖和电子设备外壳的另一部分之间形成密封。翘曲的趋势可以随着化学强化的量的增加而增加。

技术实现要素：

以下公开的方面涉及用于化学强化电子设备的盖的方法。在实施方案中，盖限定了与电子设备的壳体部件形成密封的安装表面。在实施方案中，盖具有包括限定安装表面的凸缘的三维(3d)形状。

盖可由可离子交换的材料诸如玻璃形成。在一些实施方案中，所述方法包括至少两个离子交换操作和从盖的安装表面局部地移除材料的中间操作。从安装表面局部地移除材料的操作可至少部分地抵消由于在前离子交换操作引起的盖翘曲。之后的离子交换操作可向盖提供附加的强度，同时保持足以允许在盖和壳体部件之间形成密封的安装表面平坦度。

如本文所述的化学强化的盖可被包括在电子设备的盖组件中。例如，化学强化的玻璃盖或玻璃陶瓷盖可用作盖组件的一个部件。盖组件还可包括一个或多个涂层或其他部件。

本公开提供了一种方法，该方法包括将玻璃盖放置在第一离子交换浴中以形成第一离子交换层，玻璃盖限定中心部分和至少部分地包围所述中心部分的安装表面。该方法还可包括从第一离子交换浴中移除玻璃盖。此外，该方法包括从安装表面移除材料，从而局部地减小第一离子交换层沿着安装表面的深度。在从安装表面移除材料的操作之后，该方法还包括将玻璃盖放置在第二离子交换浴中以在第一离子交换层内形成第二离子交换层，从而沿着安装表面产生压缩应力层。然后将玻璃盖从第二离子交换浴中移除。

本公开的附加方面涉及通过本文所述的方法制备的化学强化的盖。在一些情况下，化学强化的盖具有平坦到公差范围内的安装表面。在一些实施方案中，化学强化的盖可具有离子交换层和压缩应力层，压缩应力层的特性沿着盖的一个或多个表面变化。例如，压缩应力层的特性可沿安装表面变化。此外，压缩应力层的特性可在安装表面和盖的中心部分的一个或多个表面之间变化。拉伸应力层也可存在于玻璃盖内并位于压缩应力层的内侧。

本公开还提供了一种电子设备，该电子设备包括限定第一安装表面的壳体部件、显示器和定位在显示器上的玻璃盖。玻璃盖包括中心部分和至少部分地包围中心部分的凸缘。凸缘限定第一区段、第二区段和拐角区段，该第一区段沿中心部分的第一侧延伸并限定第二安装表面的第一区域，该第二区段沿中心部分的第二侧延伸并限定第二安装表面的第二区域，该拐角区段从第一区段延伸到第二区段并限定第二安装表面的第三区域。玻璃盖还包括压缩应力层，该压缩应力层具有在第一区域处的第一深度，以及在第三区域处的大于第一深度的第二深度。

本公开还提供了一种用于电子设备的强化的玻璃盖，该强化的玻璃盖包括中心部分、至少部分地包围中心部分的安装表面、以及压缩应力层。压缩应力层具有沿着安装表面的第一区域的第一深度，以及沿着安装表面的第二区域的大于第一深度的第二深度。

附图说明

本公开通过下面结合附图的具体描述将更易于理解，其中类似的附图标记表示类似的元件。

图1a示出了包括强化的盖的示例性电子设备的透视图。

图1b示出了图1a的电子设备的分解图。

图2a示出了图1a的电子设备的剖视图的示例。

图2b示出了图1a的电子设备的剖视图的另一示例。

图3示出了被定位成示出盖的内表面的强化的盖的示例。

图4a示出了化学强化之前的盖的顶视图。

图4b示出了第一离子交换操作之后的盖的顶视图。

图5示出了用于制备化学强化的盖的示例性方法的流程图。

图6示出了用于制备化学强化的盖的附加的示例性方法的流程图。

图7a、7b和7c示意性地示出了在图5的示例性方法的各个阶段形成的离子交换层。

图8a和图8b示意性地示出图3的强化的盖中的离子分布。

图9a和图9b示意性地示出了从盖的安装表面移除材料的示例性操作中的阶段。

图10a和图10b示出了图3的强化的盖中的压缩应力层的示例。

图11a和图11b示出了图3的强化的盖的应力作为距离的函数的示例。

图12示出了电子设备的部件的框图。

附图中的交叉阴影线或阴影的用途通常被提供以阐明相邻元件之间的边界并且还有利于附图的易读性。因此，存在或不存在交叉阴影线或阴影均不表示或指示对特定材料、材料属性、元件比例、元件尺寸、类似图示元件的共同性或在附图中所示的任何元件的任何其他特性、性质或属性的任何偏好或要求。

此外，应当理解，各个特征部和元件(以及其集合和分组)的比例和尺寸(相对的或绝对的)以及其间呈现的界限、间距和位置关系在附图中被提供，以仅用于促进对本文所述的各个实施方案的理解，并因此可不必要地被呈现或示出以进行缩放并且并非旨在指示对所示的实施方案的任何偏好或要求，以排除结合其所述的实施方案。

具体实施方式

现在将具体地参考在附图中示出的代表性实施方案。应当理解，以下描述并非旨在将实施方案限制于一个优选的具体实施。相反，所述实施方案旨在涵盖可被包括在本公开以及由所附权利要求限定的实质和范围内的替代形式、修改形式和等同形式。

以下公开的方面涉及用于化学强化电子设备的盖的方法。在一些实施方案中，盖具有安装表面，该安装表面耦接到电子设备的另一部件(例如，壳体部件)的对应安装表面。安装表面之间的界面可形成密封以防止液体、碎屑或其他污染物进入电子设备的内部体积。在一些情况下，化学强化的盖的安装表面足够平坦以允许形成密封，同时也保持所需的弯曲强度水平。

安装表面可由盖的周边部分限定。盖的周边部分还可限定凸缘(或凸缘部分)。此外，与盖的中心部分相比，盖的周边部分可具有减小的厚度。

在一些实施方案中，通过第一离子交换操作化学强化盖使盖翘曲，使得盖的安装表面不足够平坦以形成针对壳体部件的良好密封。为了抵消安装表面的翘曲，可在第一离子交换操作之后和后续离子交换操作之前将材料从安装表面移除。从安装表面移除材料的操作可通过改善盖中的内部应力的总体平衡来改善安装表面的平坦度或平面度。材料的移除也可用于物理地压平在强化或其他处理期间变得扭曲或翘曲的安装表面。然后可使用第二离子交换操作来进一步化学强化盖并获得所需的强度。第二离子交换操作中的离子交换可产生比第一离子交换操作所得的离子交换层更浅的离子交换层。值得注意的是，通过在第一离子交换操作和第二离子交换操作之间从安装表面移除材料，可以减轻或消除两个离子交换操作对盖的平坦度的负面影响，从而具有产生足够平坦度的盖以形成足够的密封，同时保持由双离子交换操作提供的附加强度中的一些或全部。

在一些情况下，从安装表面局部地移除材料，而不是从整个安装表面均匀地移除材料。例如，也可以从安装表面的第一区域移除比从安装表面的第二区域更大量的材料。此外，从安装表面移除的材料量可以大于从盖的另一表面移除的材料量。例如，可从盖的限定安装表面的周边部分的内表面移除比从盖的中心部分的内表面更大量的材料。

在一些实施方案中，在第一离子交换操作期间，盖可能不会显著翘曲，但是在第二离子交换操作之前从安装表面移除材料可以提供其他益处。例如，如果盖的周边部分相对于盖的中心部分是薄的，则对称化学强化可在周边部分产生比在中心部分中更高的中心张力。从安装表面移除材料可以减小沿着安装表面的压缩应力层的总体深度，因此有助于防止盖的周边部分中的中心张力超过指定的水平。

本公开的附加方面涉及化学强化的盖。在实施方案中，本文所述的方法(包括在两个离子交换操作之间从安装表面局部地移除材料)产生离子交换层，其性质(诸如深度)沿着盖的安装表面变化。此外，在离子交换层内形成的压缩应力层的特性(诸如深度和表面压缩应力)可以沿着安装表面改变。此外，离子交换层和压缩应力层沿着安装表面的区域的特性可以与沿着盖的其他表面(诸如盖的中心区域的外表面)的特性不同。

下文参考图1a至图12对这些实施方案和其他实施方案进行论述。然而，本领域的技术人员将容易地理解，本文相对于这些附图所给出的详细描述仅出于说明性目的，而不应被理解为是限制性的。

图1a示出了包括强化的盖120的示例性电子设备100。如图1a所示，电子设备100包括外壳110，该外壳包括盖120和壳体部件130。盖120可以限定电子设备100的前外表面102的至少一部分。壳体部件130限定电子设备100的侧外表面104的至少一部分。

盖120定位在显示器108上(用虚线示出了显示器的边缘)，显示器108至少部分地定位在外壳110的壳体部件130内。盖120可以限定窗口或对可见光透明的其他区域，用于查看显示器108。盖120还可以与触摸传感器成一体或耦接到触摸传感器。触摸传感器可被配置为检测或估计沿电子设备的前外表面102的触摸事件的位置。在附加的实施方案中，盖120可以与力传感器成一体或耦接到力传感器。力传感器可以被配置为检测与沿着前外表面102的触摸事件相关联的力的量或大小。

在一些实施方案中，盖120包括玻璃、玻璃陶瓷或它们的组合。在实施方案中，玻璃或玻璃陶瓷是可离子交换的，从而允许对盖进行化学强化。以举例的方式，盖120可为玻璃盖或玻璃陶瓷盖。

在附加的实施方案中，图1a的盖120可以是由多个部件形成的盖组件，该多个部件中的一个部件是可离子交换的盖部件。例如，盖120可包括用作盖组件的部件的玻璃或玻璃陶瓷盖。玻璃或玻璃陶瓷盖可以限定配合表面，该配合表面可用于与电子设备的另一部件(诸如壳体部件132)形成密封。在一些情况下，玻璃或玻璃陶瓷盖可在显示器108的一部分或全部上延伸。玻璃或玻璃陶瓷盖可为对可见光透明的、半透明的或它们的组合。盖120的其他部件可包括沿玻璃或玻璃陶瓷盖的表面的表面涂层，诸如疏水或疏油涂层和/或装饰性涂层。

一般来讲，盖120或盖部件包括可离子交换的玻璃、可离子交换的玻璃陶瓷或它们的组合。可离子交换的玻璃或玻璃陶瓷可以是基于金属氧化物的材料，诸如基于二氧化硅的材料。在实施方案中，盖包括铝硅酸盐玻璃或铝硅酸盐玻璃陶瓷。铝硅酸盐玻璃或玻璃陶瓷可包含一价或二价离子，其补偿由于铝离子替换硅离子而引起的电荷。合适的一价离子包括但不限于碱金属离子，诸如li⁺、na⁺或者k⁺。合适的二价离子包括碱土离子，诸如ca²⁺或者mg²⁺。盖120的描述一般适用于如本文所述的其他盖，包括但不限于盖220a、220b、320、420、920和1020。

壳体部件130可包括金属、陶瓷、玻璃、玻璃陶瓷或它们的组合。此外，壳体部件可限定一个或多个开口。如图1a所示，一个或多个开口可以被配置为包围输入设备，诸如冠部112和按钮114。

电子设备100可以包括冠部112，该冠部112具有帽、头部、突出部分或沿着电子设备的侧外表面104定位的部件。冠部112的至少一部分可从壳体部件130突出。冠部可以被配置为从用户接收旋转输入、平移/轴向输入或它们的组合。

除了冠部112之外或代替冠部112，电子设备100可以包括其他输入、开关、按钮等。如图1a所示，电子设备100包括按钮114。在图1a的示例中，按钮114是可动的。在附加的示例中，按钮可以是固定的，但对触摸事件进行响应。

如图1a所示，电子设备100为可穿戴电子设备并且包括耦接到壳体部件130的带106。带106可被配置为将电子设备100附接到用户。例如，带可围绕用户的手腕或臂扣紧。在其他情况下，电子设备可为便携式电子设备，诸如移动电话、计算设备或其他形式的电子设备。

图1b示出了图1a的电子设备100的示例性分解图。盖120包括中心部分140和凸缘部分150，其中凸缘部分150至少部分地包围中心部分140。凸缘部分150具有端部152。凸缘部分可另选地称为盖120的侧部。壳体部件130可限定与凸缘部分150的端部152配合的配合表面132。盖120的玻璃或玻璃陶瓷盖部件可具有类似的几何形状并且限定中心部分和凸缘部分或端部部分。图1b中所示的冠部112、按钮114和带106可类似于图1a中所示的那些，为简洁起见，此处不再重复说明。

如相对于图1a所讨论的，电子设备100包括显示器108。显示器108可耦接到盖120。显示器108可包括液晶显示器(lcd)、发光二极管、有机发光二极管(oled)显示器、有源层有机发光二极管(amoled)显示器、有机电致发光(el)显示器、电泳油墨显示器等等(如相对于图12进一步讨论的)。电子设备100通常还包括壳体部件130内的附加电子部件。图1b示意性地示出了壳体部件130内的电子部件109。例如，电子部件109可包括显示器、输入设备、传感器、存储器、处理器、控制电路和电池中的一者或多者。相对于图12进一步描述了电子设备部件的示例。

图2a示出了电子设备200a的局部剖视图(沿着图1a的线a-a)。电子设备200a的盖220a具有除平板之外的三维形状。如图2a中所示，盖220a包括在中心部分240a与凸缘部分250a的端部(例如，凸缘的远离盖的中心部分就位的远侧端部)之间的弯曲部224a(也称为弯曲区域或成曲线区域)。在实施方案中，弯曲部224a是盖220a的凸缘部分250a的一部分。凸缘部分250a至少部分地包围盖220a的中心部分240a。

盖220a的凸缘部分250a耦接到壳体部件230a。具体地，凸缘部分250a的端部限定安装表面252a，安装表面252a耦接到壳体部件的对应安装表面232a。盖的安装表面252a在本文也可以称为密封表面、盖安装表面或盖密封表面。壳体的安装表面232a在本文中也可称为壳体安装表面或壳体密封表面。

安装表面252a通过中间特征部216a耦接到安装表面232a。中间特征部216a可用作垫圈。在实施方案中，中间特征部216a为或包括粘合剂。在附加的实施方案中，中间特征部216a还包括电子设备部件。例如，力传感器可以定位在安装表面252a和安装表面232a之间，以测量在触摸事件期间施加到盖220a的力的量。壳体部件230a可以限定唇缘234a以及安装表面232a。唇缘234a可以限定开口、凹陷部或凸缘部分250a插入或至少部分地约束到其中的其他物理特征部。此外，唇缘234a可以帮助将凸缘部分250a保持在壳体部件230a内。

在一些情况下，诸如图2a中所示的实施方案，凸缘部分250a的端部和安装表面252a不与中心部分240a共面。相反，凸缘部分250a相对于中心部分240a以一角度延伸。以举例的方式，安装表面252a可以相对于由中心部分240a限定的平面限定一角度，诸如90度的角度或80度到100度的角度。盖220a的形状可以通过机械加工、模制、热成形或它们的组合来实现。

如图2a所示，盖220a的中心部分240a耦接到显示器208a。电子设备200a的显示器208a和电子部件209a可以类似于显示器108和电子部件109。为了简明起见，此处不再重复那些描述。

图2b示出了电子设备200b的剖视图的另一示例。盖220b包括至少部分地被周边部分250b包围的中心部分240b。如图2b中所示，中心部分240b的厚度tc大于周边部分250b的厚度。盖限定外表面246b和与外表面相对的内表面244b。外表面246b的由周边部分250b限定的区域限定了曲线224b，该曲线224b从外表面246b的由中心部分240b限定的区域延伸到内表面244b的由周边部分250b限定的区域。作为另外的示例，曲线224b可以延伸到侧表面而不是一直延伸到内表面244b。

由周边部分250b限定的内表面的区域限定安装表面252b。安装表面252b通过中间特征部216b耦接到壳体部件230b的安装表面232b。中间特征部216b可包括粘合剂。

如图2b所示，盖220b的中心部分240b耦接到显示器208b。电子设备200b的显示器208b和电子部件209b可以类似于显示器108和电子部件109。为了简明起见，此处不再重复那些描述。

图3示出了强化的盖320的示例，其被定位成示出安装表面352以及中心部分340的内表面344。在实施方案中，安装表面352在指定的公差范围内是平面的或平坦的。例如，安装表面352可以在25微米、20微米、15微米、10微米或5微米内为平面的。在附加的实施方案中，安装表面352可以在凸缘的最大高度的5％、2％、1％、0.5％或0.25％内为平面的。平面度的程度在本文中也可称为安装表面的平坦度。在一些情况下，安装表面的区域、盖的中心部分的区域或参考表面或参考平面可用于确定安装表面的平坦度。强化的盖的平面度的描述不限于盖320，而是更一般地适用于本文所述的盖和可离子交换的盖部件。

在一些实施方案中，盖的凸缘部分限定多个壁或凸缘区段。例如，图3的凸缘部分350限定了沿中心部分340的第一侧348a延伸的第一壁358a(或区段)，沿中心部分340的第二侧348b延伸的第二壁358b(或区段)，以及限定在第一壁358a和第二壁358b之间延伸的拐角的第三壁358c(或区段)。第三壁358c可以另选地称为拐角壁或拐角区段。第一壁358a可以具有第一长度l1，并且第二壁358b可以具有第二长度l2。如图3所示，盖320限定两组平行的壁(或区段)，其中拐角壁(或区段)连接该两组的壁(或区段)。在附加的实施方案中，壁(或区段)可以不是直的，或者可以限定圆形或椭圆形而没有明显的直壁(或区段)和拐角壁(或区段)。

如图3所示，凸缘部分350限定盖320的安装表面352。此外，第一壁358a限定安装表面352的第一区域352a，第二壁358b限定安装表面352的第二区域352b，并且第三壁358c限定安装表面352的第三区域352c。安装表面的不同区域可以在指定的公差范围内共面。例如，安装表面的不同区域可以在25微米、20微米、15微米、10微米或5微米的范围内共面。在附加的实施方案中，安装表面的不同区域可以在凸缘的最大高度的5％、2％、1％、0.5％或0.25％内为平面的。凸缘的高度可从中心部分的内表面或中心部分的外表面测量，如相对于图10a和图10b进一步讨论的。

在一些情况下，第一壁358a和第二壁358b可以被称为凸缘350的侧壁。在两个离子交换操作之间从凸缘部分350局部移除材料可能产生凸缘部分350的壁(例如，358a、358b、358c)的高度的变化。图10a和图10b示意性地示出了安装表面的不同区域处的不同壁高度。为简明起见，图10a至图10b的描述的这些方面此处不再重复。

在一些实施方案中，通过多个离子交换操作来产生强化的盖诸如盖320。在一些情况下，离子交换操作中的至少一些包括在低于玻璃的应变点或玻璃化转变温度的温度下将盖中的离子与较大的离子进行交换。此类离子交换操作趋于在从盖的表面延伸的离子交换层内产生盖的膨胀。在一些实施方案中，由于离子交换而导致的盖膨胀可能导致盖翘曲。此类离子交换操作也可在盖内产生压缩应力。相对于图5更详细地描述了离子交换操作，并且为简明起见，此处不再重复该描述。

具有中心部分和至少部分地包围中心部分的凸缘部分的盖(或盖部件)的离子交换操作可使安装表面翘曲，使得它缺乏所需的平面度，如图4a至图4b示意性地所示。图4a示出了第一离子交换操作之前的盖420。盖420被定位成示出中心部分440的外表面446。图4a还示出了凸缘部分450的壁458a、458b和458c。在图4a中，安装表面452的第一区域452a、第二区域452b和第三区域452c在所需的公差内共面。

图4b示意性地示出了第一离子交换操作之后的盖420，该第一离子交换操作导致盖420翘曲。图4b中的翘曲程度出于说明的目的被夸大。在实施方案中，在第一离子交换操作之后，安装表面452的第一区域452a与第三区域452c不在所需的公差内共面。在附加的实施方案中，跨整个安装表面452的平面度不在所需的公差内。例如，安装表面452的平坦度可以在25微米、20微米、15微米、10微米或5微米内。在附加的实施方案中，安装表面452的区域可以在凸缘的最大高度的5％、2％、1％、0.5％或0.25％内共面。凸缘的高度在图10b的细节图中示出。相对于图4b所述的公差不限于盖420，而是更一般地适用于本文所述的盖。

在图4b的示例中，由侧壁458a限定的第一区域452a不与由拐角458c限定的第三区域452c共面。在一些情况下，第二区域452b可以在所需的公差内与第三区域452c保持共面(如图4b所示)。在其他情况下，第二区域452b可以不具有与第三区域452c的所需的共面性。在一些实施方案中，凸缘450的较长侧壁(例如，侧壁458a)显示出比较短侧壁(例如，侧壁458b)更大的翘曲量。

图5示出了用于化学强化盖同时抵消由于离子交换引起的盖翘曲的示例性过程500的流程图。过程500包括具有中间材料移除操作的至少两个离子交换操作。例如，过程500可用于形成图7a至图11b中所示的盖。本文提供的图5的描述还适用于可离子交换的盖部件，诸如玻璃或玻璃陶瓷盖。

过程500包括至少两个离子交换操作。在实施方案中，离子交换操作包括将盖中的离子与盖外部的浴或糊剂中提供的较大离子进行交换。通常，离子交换操作在盖内产生离子交换层，对已经存在于盖中的离子交换层改性，或它们的组合。当离子交换操作在低于玻璃的应变点或玻璃化转变温度的温度下发生时，可在离子交换层内产生压缩应力层。通常，在完成离子交换操作后，将盖从浴中移除或将糊剂从盖移除。可在离子交换操作完成后冲洗或洗涤盖。

在实施方案中，盖可具有基础组合物(在离子交换之前)，其包含碱金属离子。例如，盖可包括碱铝硅酸盐玻璃。在实施方案中，碱铝硅酸盐玻璃可包括附加组分，诸如硼或碱土金属。在实施方案中，盖可具有包含锂离子的基础组合物，其中锂离子中的至少一些在离子交换操作期间与钠离子和/或钾离子进行交换。例如，基础组合物可包含锂离子作为主要的碱金属离子。作为附加的示例，基础组合物可包含按基础玻璃的重量计0.1％至10％的锂。

在一些实施方案中，盖中的碱金属离子可以与离子交换浴中的碱金属离子交换。因此，将来自离子交换浴的碱金属离子引入盖中。在其他实施方案中，离子交换可涉及其他类型的可离子交换的离子。离子交换浴可包含一种或多种熔融离子盐。在一些情况下，离子交换浴中存在单一离子盐。离子交换浴温度可以从盐的熔点到约600℃。在实施方案中，离子交换沿着玻璃的多个表面发生。例如，离子交换可以发生在安装表面、凸缘部分的外表面、凸缘部分的内表面、中心部分的外表面和中心部分的内表面中的一者或多者上。

离子交换浴的温度可低于盖中玻璃的应变点或玻璃化转变点，使得将盖中的碱金属离子与较大的碱金属离子进行交换往往会引起盖的离子交换区的膨胀。然而，盖的离子交换层的膨胀可能受到盖的未进行离子交换的其余部分的限制。因此，可以在离子交换层中形成压缩应力区域，诸如双轴残余压缩应力区域。

如图5所示，过程500可包括第一离子交换操作502以形成第一离子交换层。在操作502之前，盖可具有基础组合物。在实施方案中，操作502包括将盖中的第一离子(诸如第一碱金属离子)与第二离子(诸如第二碱金属离子)进行交换。第一离子具有第一大小，第二离子具有大于第一大小的第二大小。通过将盖浸入包含第二离子的离子交换浴中，可以将第一离子与第二离子进行交换。因此，将第二离子引入盖中并形成第一离子交换层。

以举例的方式，盖中的第一碱金属离子与第二碱金属离子的交换可以包括将盖中的锂离子与钠离子进行交换。当要将钠离子引入盖中时，离子交换浴可包含硝酸钠或另一种合适的钠盐。钠盐的浓度可以为30mol％至100mol％。在实施方案中，钠盐的浓度可以大于50mol％。在实施方案中，离子交换浴还可包含较少量的附加的碱金属离子，诸如钾离子和/或锂离子。离子交换浴的温度可以是350℃至450℃，并且盖在离子交换浴中花费的时间可以是4小时至10小时。

操作502可以沿着盖的表面形成离子交换层。例如，离子交换层可以沿着盖的内表面、外表面和安装表面形成。离子交换层的深度可以为75微米至200微米。图7a示意性地示出了沿着安装表面的侧壁区域形成的第一离子交换层710a。第一离子交换层的深度跨侧壁的长度是基本上均匀的。盖中的第一碱金属离子与第二碱金属离子的交换可以在离子交换层内产生压缩应力层。

在操作502之后，过程500还可包括从盖的安装表面移除材料的操作504。操作502可能倾向于使盖翘曲，如先前相对于图4b所讨论的。在一些实施方案中，操作504至少部分地抵消由操作502产生的盖的翘曲。

在实施方案中，从安装表面局部地移除材料，而不是从整个安装表面均匀地移除材料。在另外的实施方案中，与沿着安装表面的另一区域(例如，从凸缘的拐角)相比，从安装表面的一个区域(例如，从凸缘的侧壁)移除更大量的材料。在另外的实施方案中，不从安装表面的其他区域(例如，从凸缘的拐角)移除材料。此外，在安装表面的由侧壁限定的中点处和周围可以移除最大量的材料。在实施方案中，操作504导致安装表面在指定的公差内为平面的，如先前相对于图4b所讨论的。在操作504中移除的材料通常是盖的可离子交换的材料，诸如玻璃材料或玻璃陶瓷材料。

在一些情况下，在操作504期间从盖的相对侧壁移除材料。例如，对于图4b中所示的盖，材料可从侧壁458a的安装表面452a和与侧壁458a相对的侧壁的安装表面移除。在另外的实施方案中，在操作504期间从两对相对的侧壁移除材料。

通常，从安装表面局部移除材料将局部地减小在操作502中形成的第一离子交换层的深度。图7b示意性地示出了在操作504之后沿安装表面的长度的改性的第一离子交换层710b。在图7b的示例中，改性的第一离子交换层710b的深度从拐角朝向侧壁的中部减小。

在实施方案中，抛光操作用于从盖的安装表面移除材料。以举例的方式，盖可以定位成使得安装表面的第一区域的至少一部分(例如，由凸缘的侧壁限定)与抛光表面接触，同时安装表面的第二区域(例如，由凸缘的拐角限定)不与抛光表面接触(如图9a所示)。抛光表面可包括研磨材料的颗粒，诸如金刚石或陶瓷(例如，氧化铝、碳化硅和/或二氧化铈)。抛光表面可以足够硬或刚性，以在盖被压靠在抛光表面上并沿抛光表面移动时允许从安装表面局部移除材料。在实施方案中，研磨材料的颗粒可以包含载液和研磨材料的浆液提供。

在一些实施方案中，从安装表面移除的材料的最大深度是相对于凸缘的高度小的。例如，可以移除材料的最大深度为凸缘高度的0.05％、1％、2％或5％。例如，可以将材料从安装表面移除至最大深度为10微米至50微米或15微米至40微米。在另外的实施方案中，从安装表面上的位置移除的材料的最大深度小于在操作502中在该位置处形成的离子交换层的深度。

在操作504之后，过程500还可包括第二离子交换操作506。在一些情况下，第二离子交换操作506可以涉及在第一离子交换层内形成第二离子交换层。因此，由操作506产生的离子交换程度可以比操作504产生的离子交换程度浅。

在一些实施方案中，由第二离子交换操作506产生的第二离子交换层的深度足够浅，使得如果有的话，很少有附加的翘曲被引入盖中。在实施方案中，在第二离子交换操作506之后，安装表面的平坦度在25微米、20微米、15微米、10微米或5微米内。在附加的实施方案中，安装表面可以在凸缘的最大高度的5％、2％、1％、0.5％或0.25％内为平面的。

在一些实施方案中，操作506包括将盖中的第二离子诸如第二碱金属离子与第三离子诸如第三碱金属离子进行交换。第三离子具有大于第二大小和第一大小的第三大小。通过将盖浸入包含第三离子的离子交换浴中，可以将第二离子与第三离子交换。因此，将第三离子引入盖中。在实施方案中，操作506还包括其他离子交换。例如，保留在第一离子交换层中的第一碱金属离子可以与第三碱金属离子交换。还可以发生第一碱金属离子与第二碱金属离子的附加的交换，从而增加离子交换层的总体深度。

以举例的方式，将盖中的第二碱金属离子与第三碱金属离子进行交换可以包括将盖中的钠离子与钾离子进行交换。当钾离子被引入盖时，离子交换浴可包含硝酸钾或另一种合适的钾盐。钾盐的浓度可以为30mol％至100mol％。在实施方案中，钾盐的浓度大于50mol％。在另外的实施方案中，离子交换浴还可包含较少量的附加碱金属离子，诸如钠离子。离子交换浴的温度可以为300℃至500℃。盖在离子交换浴中花费的时间可以是15分钟至4小时。

在一些实施方案中，在操作504中使用的第二离子交换浴的组分不同于在操作502中使用的第一离子交换浴的组分。例如，第二离子交换浴可以具有比第一离子交换浴更高浓度的第三碱金属离子和更低浓度的第二碱金属离子。在附加的实施方案中，操作502中使用的第二离子交换浴的组成可以与操作504中使用的第一离子交换浴的组成大致相同，并且可以包括离子盐的混合物。

在一些情况下，离子交换操作506可以被视为在第一离子交换层内形成第二离子交换层。因此，离子交换操作506之后的总体或组合的离子交换层包括第二离子交换层和延伸超出第二离子交换层并且衍生自第一离子交换层的部分。图7c示意性地示出了在第一离子交换层内形成的第二离子交换层的示例。更具体地，图7c示出了总体离子交换层710c，其包括第二离子交换层720(沿着安装表面的长度具有基本上均匀的深度)和来源于第一离子交换层或为第一离子交换层的残余物的部分730。如图7b中所示，在操作506之后，部分730可以沿着安装表面的长度具有不均匀的深度。

在一些实施方案中，第二离子交换层(诸如第二离子交换层720)的深度可以由第二离子交换操作506引入的第三离子(例如，钾离子)的深度确定。离子交换层的总体深度，诸如整体离子交换层710c，可以由第一离子交换引入的第二离子(例如钠离子)的深度确定。图7c示意性地示出了在操作506之后离子交换层710c的总体深度(从d'min变化到d'1)和第三离子的深度(d2)。由于在第二离子交换操作506期间由第一离子交换操作502引入的第二离子更深地扩散到盖中，深度d'1可以大于深度d1。

离子交换操作506还可以被视为形成具有两个不同组成区的离子交换层：表面区和内部区。表面区对应于上述第二离子交换层，并且内部区对应于离子交换层的延伸超出表面区的部分(例如，超过表面区进一步进入玻璃)。图7c示意性地示出了沿着安装表面的侧壁区域的长度的作为整体的离子交换层710c、内部区730和表面区720。

在一些实施方案中，与内部区相比，离子交换层的表面区富含第三碱金属离子(例如，钾离子)。表面区从盖的表面延伸到由第二离子交换引入的第三离子(例如，钾离子)的深度确定的深度。在一些情况下，表面区的深度在安装表面上是均匀的或几乎是均匀的。此外，沿着盖的多个表面，表面区的深度可以是均匀的或几乎是均匀的。在其他情况下，表面区的深度可沿安装区变化，诸如在操作502期间使用混合盐浴时。

在一些实施方案中，与玻璃的基础组合物相比，离子交换层的内部区富含第二碱金属离子(例如，钠离子)。内部区从表面区的深度延伸到离子交换层的总体深度。通常，作为操作504的结果，离子交换层的总体深度沿着安装表面变化，如图7c中示意性地示出的。

由操作506产生的离子交换层沿着盖的表面产生压缩应力层。例如，压缩应力层可以沿着安装表面以及沿着中心部分和凸缘部分的表面产生。在一些情况下，离子交换层沿着盖的表面的不均匀性导致压缩应力层沿着盖的表面的不均匀性。相对于图10a和图10b进一步描述了沿着盖的各个表面的压缩应力层。从压缩应力层向内产生拉伸应力层(另选地，拉伸应力区域)。

图6示出了另一个示例性过程600的流程图，该过程用于强化盖，同时抵消由于离子交换引起的盖翘曲。例如，方法600可用于形成图7a至图11b中所示的盖。本文提供的图6的描述也适用于可离子交换的盖部件，诸如玻璃或玻璃陶瓷盖。

过程600可包括离子交换操作602。离子交换操作602可包括将盖放置在第一离子交换浴中。离子交换操作602可在盖中形成第一离子交换层。在实施方案中，用于离子交换操作602的工艺条件类似于针对离子交换操作502所述的那些条件。过程600还包括在离子交换操作602之后从第一离子交换浴中移除盖的操作603。在实施方案中，可在将盖从第一离子交换浴中移除后冲洗盖。

在操作603之后，过程600还可以包括从盖的安装表面移除材料的操作604。在实施方案中，用于操作604的处理条件类似于针对操作504描述的处理条件。

过程600还包括离子交换操作606。离子交换操作606可包括将盖放置在第二离子交换浴中。离子交换操作602可在第一离子交换层内形成第二离子交换层。在一些实施方案中，用于离子交换操作606的工艺条件类似于针对离子交换操作506所述的那些条件。过程600还包括在离子交换操作606之后从第二离子交换浴中移除盖的操作607。在一些情况下，可将盖从第二离子交换浴中移除后冲洗盖。

为简单起见，相对于盖描述了过程500和过程600的操作。过程500和600的描述也更一般地适用于多部件盖的可离子交换部件(诸如玻璃或玻璃陶瓷盖部件)的化学强化。然后可以使用适当的沉积、涂覆和/或粘结技术将化学强化层与一个或多个附加层组合，从而形成多层盖。例如，可以使用液体或气相沉积技术施加疏油涂层。

最初结合图5所提及的，图7a至图7c示意性地示出了可离子交换的盖或盖部件中的离子交换层的深度作为沿着侧壁(例如，图4b中的侧壁458a)的距离的函数的示例。图7a示意性地示出了过程500或过程600中的离子交换层的不同阶段。在图7a所示的示例中，在第一离子交换操作(例如，操作502)之后，离子交换层710a的深度d1沿着侧壁的长度大约为常数。离子交换层710a也可称为第一离子交换层。在一些情况下，离子交换层710a的深度d1可以指示在第一离子交换操作期间引入的第二离子的深度。图10a至图11b中示出了由离子交换层产生的压缩应力分布的示例，并且为简洁起见，这里不再重复描述。

如图7b中所示，从安装表面移除材料的操作改性离子交换层710a，从而产生离子交换层710b。在从侧壁的安装表面移除材料的操作(例如，操作504)之后，离子交换层710b的深度沿着侧壁的长度从dmin变化至d1。在图7b所示的示例中，离子交换层的深度在凸缘的拐角附近保持等于d1，但在侧壁安装表面的大约中点处达到最小值(dmin)。在一些情况下，离子交换层710b也可以称为改性的第一离子交换层。

第二离子交换操作(例如，操作506)对图7b的离子交换层710b改性。如图7c中所示，在图7b的第一离子交换层710b内形成第二离子交换层720。第二离子交换层720的深度d2沿侧壁的长度大约为均匀的。离子交换层710c延伸超过第二离子交换层。离子交换层710c的深度沿着侧壁的长度以与图7b所示类似的方式变化。例如，离子交换层的深度在凸缘的拐角附近是d'1，但在侧壁安装表面的大约中点处减小到最小值d'min。由于在操作506期间第二离子更深地扩散到盖中，因此在操作506之后d'1可以大于d1，并且d'min可以大于dmin。在实施方案中，d1'与d1大致相同，并且d'min与dmin大致相同。

如前所述，第二离子交换区720可以限定离子交换层710c的表面区，而离子交换层710c的剩余部分730可以限定离子交换层的内部区。通常，表面区和内部区具有不同的离子浓度，如图8a和图8b中示意性所示。

图8a和图8b示意性地示出了离子交换层中离子分布的示例，所述离子交换层从可离子交换的盖或盖部件的安装表面的不同区域延伸。例如，图8a和图8b可以示出在过程500的操作506之后的盖。图8a示出了从安装表面的区域延伸的离子交换层810a，从该区域移除了更大量的材料(例如，安装表面的长度的中间部分)。离子交换层810a的总体深度由d总体,a指示。表面区820a从表面延伸到深度d表面,a。如图8a中所示，与内部区830b相比，表面区820a富含第三离子。内部区830a从表面区820a延伸到离子交换层810a的总体深度d总体,a。如图8a中所示，与玻璃的基础组合物相比，内部区830a富含第二离子。表面区820a可以为第一表面区，并且内部区830a可以为第一内部区。

图8b示出了从安装表面的区域延伸的离子交换层810b，从该区域移除了较少量的材料。离子交换层810b的总体深度由d总体,b指示。如图8b中所示，与内部区830b相比，表面区820b富含第三离子。表面区820b从表面延伸到深度d表面,b。如图8b中所示，与玻璃的基础组合物相比，内部区830b富含第二离子。内部区830b从表面区820b延伸到离子交换层810b的总深度d总体,b。离子交换层的总深度与表面区的深度之间的差值可以称为离子交换层的内部区的厚度。在实施方案中，d表面,a大约等于d表面,b，但d总体,a小于d总体,b。表面区820b可以是第二表面区，并且内部区830b可以是第二内部区。

在图8a和图8b中，第一离子由较小的黑圆示意性地示出，第二离子由具有第一阴影的较大圆示出，并且第三离子由具有不同于第一阴影的第二阴影的最大圆示出。图8a和图8b未按比例示出，而是为了说明的目的而放大。还示意性地示出了第一离子、第二离子和第三离子的浓度差值。为简单起见，未示出存在于盖中的其他原子或离子，诸如硅和氧。在一些情况下，在安装表面的足够大的区域上进行离子浓度的测量，以获得平均离子浓度值。例如，可以使用诸如能量色散x射线光谱(edxs)和二次离子质谱(sims)的技术测量盖中的离子浓度。为简单起见，相对于盖描述图8a和图8b的离子交换层和区。

图9a至图9b示意性地示出了从盖920的安装表面移除材料的示例性操作中的阶段(例如，操作504)。盖920以侧视图示出，其向观察者呈现侧壁958。图9a示出了抛光操作中的初始阶段。构件972用于将盖920压靠在抛光表面974上。柔顺构件976放置在构件972和盖920之间，并且被配置为向凸缘950的至少一部分以及中心部分940施加压力。柔顺构件976可包括泡沫、刷子等。由于图9a中的盖920的翘曲，安装表面952的仅一部分初始接触抛光表面974。双头箭头示意性地指示盖相对于抛光表面的运动。该运动可以是线性的(前后)、旋转的或它们的组合。

图9b示出了抛光操作的稍后阶段。由于从凸缘950的侧壁958局部移除材料，与图9a的盖920相比，安装表面952沿侧壁的高度变化是减小的。此外，与图9a的安装表面952相比，图9b中的安装表面952具有改善的平面性。

图10a和图10b示意性地示出了沿强化的盖1020的不同表面的压缩应力层。本文提供的图10a和图10b的描述也适用于可离子交换的盖部件，诸如玻璃或玻璃陶瓷盖。

图10a为包括安装表面1053(诸如第一侧壁安装表面)的第一区域1052a的局部横截面。例如，图10a的横截面可以沿图3中的b-b线。图10b为包括安装表面1052(诸如拐角安装表面)的第二区域1052b的局部横截面。例如，图10a的横截面可以沿着图3的c-c线。

如从盖1020的内表面1044a、1044b所测量的，第一区域1052a的高度h1可以小于第二区域1052b的高度h2。高度h1提供由第一区域(例如，侧壁)处的凸缘限定的壁的高度的量度，而高度h2提供第二区域(例如，拐角壁或区段)处的壁的高度的量度。在另外的实施方案中，可以从盖的外表面测量安装表面的区域及其对应的壁的高度。

如图10a中所示，压缩应力层1080a沿着安装表面的第一区域1052a具有层深度dol1。如图10b中所示，压缩应力层1080b沿着安装表面的第二区域1052b具有层深度dol2，其中dol2大于dol1。例如，沿着侧壁安装表面的压缩应力层沿着拐角安装表面可以具有小于dol2的层深度dol1。例如，dol2和dol1之间的差值可以是10微米至50微米或15微米至40微米。盖还包括从压缩应力层1080a向内的拉伸应力区域或层1090a。

如图10a中所示，压缩应力层1080a还沿着盖1020的中心部分1040的内表面1044a和盖1020的凸缘部分1050的内表面1054a延伸。内表面1044a和1054a配合以形成盖的内表面。在图10a的实施方案中，沿安装表面的第一区域1052a的层深度dol1小于沿着盖的内表面的层深度dol3。

另外，压缩应力层1080a沿着盖的中心部分1040的外表面1046a和盖1020的凸缘部分1050的外表面1056a延伸。外表面1046a和1056a配合以形成盖的外表面。在图10a的实施方案中，沿着安装表面的第一区域1052a的层深度dol1小于沿着盖1020的外表面的层深度dol4。

相比之下，图10b中的压缩应力层1080b的深度在盖的各处是大致均匀的。因此，沿着盖1020的内表面的压缩应力层1080b的深度dol3和沿着盖1020的外表面的深度dol4大约等于dol2。盖还包括从压缩应力层1080b向内的拉伸应力区域或层1090b。

在图10a和图10b所示的实施方案中，盖的内表面和外表面对称地强化，因此dol3大约等于dol4。然而，在附加的实施方案中，沿着盖1020的内表面和外表面的层深度(dol)可以不同。例如，如果在抛光过程中从盖的外表面移除任何材料，则dol3可能略大于dol4。

当盖具有大致相等长度的侧壁时，穿过安装表面的第二侧壁区域(围绕第一侧壁区域的拐角)的横截面可以看起来类似于图10a所示的横截面，其中沿着第二侧壁区域的安装表面的压缩应力层具有大约等于dol1的深度。当盖具有各自具有第一长度的第一对侧壁和各自具有小于第一长度的第二长度的第二对侧壁时，第二对侧壁的翘曲程度可小于第一对侧壁的翘曲程度。在这种情况下，穿过较短侧壁的横截面(诸如沿着图3中的线d-d)可以看起来类似于图10b所示的横截面或图10a和图10b所示的横截面之间的中间的横截面。例如，沿着第二侧壁区域的安装表面的压缩应力层可以具有大约等于dol2或者在dol1和dol2之间的中间的深度。

图11a和图11b示意性地示出了压缩应力作为在安装表面上分别从第一区域和第二区域进入盖的距离的函数。本文提供的图11a和图11b的描述也适用于可离子交换的盖部件，诸如玻璃或玻璃陶瓷盖。例如，图11a和11b可以示出在过程中的最终离子交换操作之后的盖。

从第一区域(图11a中所示)移除比从第二区域(图11b中所示)更大量的材料。例如，可以从第一区域移除最大量的材料，而可以从第二区域移除较少的材料(如果有的话)。在一些情况下，安装表面的第一区域是侧壁安装表面，而第二区域是拐角安装表面。图11a和图11b的曲线也可以称为压缩应力分布。如前所述，拉伸应力通常在盖中更深地存在，但为简单起见，拉伸应力分布未示于图11a和图11b中。

在实施方案中，沿着安装表面延伸的压缩应力层具有足够的层深度和足够的表面压缩应力以强化盖。例如，表面压缩应力可以足够高，以便为盖和凸缘部分提供所需的弯曲强度。在一些情况下，通过测量弯曲中的弹性模量，可以使用四点弯曲强度试验来测量凸缘部分的弯曲强度(也称为弯曲强度)。

如图11a中所示，压缩应力层1110a从安装表面的第一区域延伸到盖(或盖部件)中的深度dol1。在实施方案中，dol1为75微米至200微米或100微米至150微米。压缩应力层还在安装表面的第一区域处具有第一表面压缩应力cs1。在实施方案中，cs1为400mpa至800mpa。

如图11b中所示，压缩应力层1110b从安装表面的第二区域延伸到盖(或盖部件)中的深度dol2。如图11a至图11b中所示，dol2大于dol1。该差值由图11a中的距离δ表示。在实施方案中，dol2为100微米至250微米或150微米至225微米。压缩应力层还在安装表面的第二区域处具有第二表面压缩应力cs2。如图11a至图11b中所示，cs2大于cs1。在实施方案中，cs2比cs1大至多5％、10％、15％或20％。在实施方案中，cs2为500mpa至850mpa。

在一些情况下，压缩应力层包括表面区和内部区。表面区(图11a中的1120a和图11b中的1120b)从安装表面延伸到部件中至深度ds并且具有比内部区更陡的向下(负)斜率。表面区1120a和1120b可以位于富含第三离子的离子交换层的一部分中。

在一些实施方案中，对于安装表面的第一区域处的压缩应力层(其中材料被移除)和安装表面的第二区域处的压缩应力层(其中较少的材料或没有材料被移除)，ds是相同或大致相同的。例如，ds可为5微米至50微米。内部区(图11a中的1130a和图11b中的1130b)从ds延伸到压缩应力层的深度(例如，dol1或dol2)。压缩应力层的深度与压缩应力层的表面区的深度之间的差值可以被称为压缩应力层的内部区的厚度(图11a中的t1和图11b中的t2)。

两个区域中的每个区域的压缩应力分布可以从表面到层深度基本上连续地(没有台阶)减小。在一些情况下，针对安装表面的两个区域的压缩应力分布的“尾部”部分(靠近层深度)是类似的。例如，图11b的尾部部分可类似于图11a的尾部部分，但偏移到盖中更深。此外，图11a的尾部部分的斜率可以与图11b的尾部部分的斜率大致相同。在其他情况下，内部区1130a的斜率(或其他分布形状，其中分布不是线性的)大于内部区1130b在距盖的表面的给定距离处的斜度(或其他分布形状)。

在一些实施方案中，对于从安装表面的第一区域和第二区域延伸的压缩应力层，表面区和内部区之间的过渡处的压缩应力的大小可以是不同的。在实施方案中，对于压缩应力层1110a，该过渡处的压缩应力的大小ct1可以为75mpa至175mpa。在另外的实施方案中，对于压缩应力层1110b，该过渡ct2处的压缩应力的大小可以为100mpa至200mpa。

从安装表面的不同区域延伸的压缩应力层的特性之间的差异可至少部分地取决于在离子交换操作之间移除的材料的量。上面给出的值是示例，并非旨在进行限制。在一些情况下，在通过应力测量技术中使用的光学元件的大小确定的区域上测量残余压缩应力。在其他实施方案中，残余的压缩应力可以通过离子交换区域中的成分测量来估计。

在一些实施方案中，沿着外表面和内表面中的每者的压缩应力层的特性可以类似于安装表面的第二区域处的特性(例如，在较少材料或没有材料被移除的情况下)。在实施方案中，沿着外表面的层深度和沿着内表面的层深度各自大于沿着安装表面的第一区域的层深度。例如，沿着外表面和内表面的层深度各自可以为75微米至200微米或100微米至150微米。在附加的实施方案中，在外表面和内表面中的每者处的表面压缩应力为500mpa至850mpa。在一些实施方案中，由于部件的外表面的偶然抛光，在部件的外表面处的压缩应力层的深度和表面压缩应力可略小于部件的内表面处的压缩应力层深度和表面压缩应力。在实施方案中，在外表面处的压缩应力层的深度和表面压缩应力为在内表面的压缩应力层的深度和表面压缩应力的5％或2％以内。

如前所述，用于电子设备的盖可以包括多个部件，诸如可离子交换的盖部件和其他部件，诸如抗污或装饰性涂层。尽管在某些情况下，本文提供的描述可以简单地指盖，但是本文提供的描述也可以应用于可离子交换的盖部件，诸如玻璃或玻璃陶瓷盖。例如，可离子交换的盖的几何特征可以至少类似于针对电子设备的盖所描述的那些。

图12为示例性电子设备的示例性部件的框图。图12中示出的示意图可对应于如上所述的图1a至图11b中所示的设备的部件。然而，图12也可更一般地表示包括化学强化的盖的其他类型的电子设备。

电子设备1200还包括与计算机可读存储器1206可操作地连接的处理单元1202(也称为处理器)。处理单元1202可经由电子总线或电桥可操作地连接到存储器1206部件。处理单元1202可被实现为一个或多个计算机处理器或微控制器，该一个或多个计算机处理器或微控制器被配置为响应于计算机可读指令来执行操作。处理单元1202可包括设备1200的中央处理单元(cpu)。除此之外或另选地，处理单元1202可包括位于设备1200内的其他电子电路，该电子电路包括专用集成芯片(asic)和其他微控制器设备。处理单元1202可被配置为执行上述示例中描述的功能。

存储器1206可包括多种类型的非暂态计算机可读存储介质，包括例如读取存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦除可编程存储器(例如，eprom和eeprom)、或闪存存储器。存储器1202被配置为存储计算机可读指令、传感器值和其他持久性软件元件。

电子设备1200可包括控制电路1214。该控制电路1206可在单个控制单元中实现，并且不必被实现为不同的电路元件。如本文所用，“控制单元”将与“控制电路”同义使用。控制电路1214可接收来自处理单元1202或来自电子设备1200的其他元件的信号。

如图12所示，电子设备1200包括电池1210，该电池被配置为向电子设备1200的部件提供电力。电池1210可包括连接在一起以提供内部电力供应的一个或多个电力存储单元。可将电池1210可操作地耦接到电力管理电路，该电力管理电路被配置为针对电子设备1200内的各个部件或部件的组提供适当的电压和功率电平。电池1210可经由电力管理电路而被配置为从外部电源诸如交流电源插座接收电力。电池1210可存储所接收到的电力，使得电子设备1200可在没有连接到外部电源的情况下运行延长的时间段，这段时间可在从若干个小时到若干天的范围内。

在一些实施方案中，电子设备1200包括一个或多个输入设备1216。输入设备1216是被配置为接收来自用户或环境的输入的设备。输入设备1216可以包括例如按钮、电容式触摸按钮、刻度盘、冠部等。在一些实施方案中，输入设备可提供专用或主要功能，包括例如电源按钮、音量按钮、主页按钮、滚轮和相机按钮。

如图12所示，电子设备1200包括触摸传感器1204和力传感器1208。触摸传感器1204可以为触摸激活按钮或触摸屏(例如，触敏显示器或力敏显示器)。电子设备1200还包括一个或多个附加传感器1212。例如，传感器1212可以是力传感器、电容传感器、加速度计、气压计、陀螺仪、磁力计、接近传感器、光传感器等。传感器1212可以可操作地耦接到处理电路。在一些实施方案中，传感器1212可检测电子设备的变形和/或配置的变化并且可操作地耦接到基于传感器信号而控制显示器的处理电路。此外，传感器1212可包括麦克风、声传感器、光传感器、光学面部识别传感器或其他类型的感测设备。

在一些实施方案中，电子设备1200包括一个或多个输出设备1218，该一个或多个输出设备被配置为向用户提供输出。输出设备1218可包括显示器1220，该显示器呈现由处理单元1202生成的视觉信息。输出设备1218还可包括一个或多个扬声器以提供音频输出。

显示器1220可包括液晶显示器(lcd)、发光二极管(led)显示器、有机发光二极管(oled)显示器、有源层有机发光二极管(amoled)显示器、有机电致发光(el)显示器、电泳油墨显示器等等。如果显示器1220为液晶显示器或电泳油墨显示器，则该显示器还可包括可受控以提供可变显示器亮度水平的背光部件。如果显示器1220为有机发光二极管或有机电致发光型显示器，则可通过修改被提供至显示元件的电信号来控制显示器1220的亮度。此外，关于电子设备1200配置和/或取向的信息可用于控制显示器1220的输出，如相对于输入设备1216所述。

电子设备1200还可包括通信端口，该通信端口被配置为传输和/或接收来自外部设备或单独设备的信号或电通信。通信端口可被配置为经由电缆、适配器或其他类型的电连接器而耦接到外部设备。在一些实施方案中，通信端口可用于将电子设备1200耦接到主机计算机。

电子设备1200还可包括至少一个附件，诸如相机、用于相机的闪光灯或其他此类设备。相机可连接到电子设备1200的其他部件，诸如控制电路1214。

如本文所用，术语“约”、“大约”、“基本上”、“基本上连续地”、“基本上均匀”等用于解释相对小的变化，诸如+/-10％、+/-5％、或+/-2％的变化。

以下论述适用于本文所述的电子设备，其范围在于这些设备可用于获取个人可识别信息数据。众所周知，使用个人可识别信息应遵循公认为满足或超过维护用户隐私的行业或政府要求的隐私政策和做法。具体地，应管理和处理个人可识别信息数据，以使无意或未经授权的访问或使用的风险最小化，并应当向用户明确说明授权使用的性质。

为了说明的目的，前述描述使用具体命名以提供对所述实施方案的彻底理解。然而，对于本领域的技术人员而言将显而易见的是，不需要具体细节即可实践所述实施方案。因此，出于例示和描述的目的，呈现了对本文所述的具体实施方案的前述描述。它们并非旨在是穷举性的或将实施方案限制为所公开的精确形式。对于本领域的普通技术人员而言将显而易见的是，鉴于上面的教导内容，许多修改和变型是可能的。