技术总结
本实用新型提供一种警示灯控制电路，其包括电阻R1、电阻R3、N沟道MOSFET Q2、NPN型三极管Q1、高亮发光二极管D1、电容C1、高亮发光二极管D5、高亮发光二极管D2、高亮发光二极管D9、高亮发光二极管D6、高亮发光二极管D10、高亮发光二极管D3、高亮发光二极管D7、高亮发光二极管D4、高亮发光二极管D11、高亮发光二极管D8、高亮发光二极管D12、电阻R2、电阻R4、高亮发光二极管D13、高亮发光二极管D14、高亮发光二极管D15、高亮发光二极管D16。本实用新型通过控制信号输入方波占空比就可以方便地控制警灯的闪烁频率。
技术研发人员：熊浩
受保护的技术使用者：熊浩
技术研发日：2019.02.19
技术公布日：2020.01.07