技术总结
本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种带缓冲单元的薄膜体声波谐振器，该谐振器包括硅基片和覆盖在硅基片上的压电三明治结构，压电三明治结构自上而下包括顶电极、压电薄膜层和底电极，其中顶电极、压电薄膜层、底电极依次堆叠，且顶电极、压电薄膜层、底电极层面积逐层增大，底电极的至少一个边缘设置缓冲单元，缓冲单元为倒圆或倒角结构。上述薄膜体声波谐振器通过将底电极的边缘设置缓冲单元以使底电极的顶面与底面的高度差平缓，缓解传统的直角边缘高度差较大对压电薄膜性能造成的影响，避免出现裂纹等情况，大大提高谐振器的性能与可靠性。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：嘉兴宏蓝电子技术有限公司
技术研发日：2019.04.03
技术公布日：2019.10.18