氙灯发光控制电路的制作方法

文档序号:20829439发布日期:2020-05-20 03:30阅读:581来源:国知局
氙灯发光控制电路的制作方法

本实用新型主要涉及一种电路结构,尤其涉及一种氙灯发光控制电路。



背景技术:

氙灯应用广泛,尤其是美容仪器上的氙灯,例如,强脉冲光治疗仪、e光设备等发光设备采用的都是氙灯。氙灯的工作分为起辉、预燃和放光三个阶段,在氙灯放光阶段,需要采用信号进行控制,不能一直让氙灯处于放光状态,否则能量太大人体皮肤会受伤,而现在的氙灯控制电路中,控制系统比较复杂。

现有的一种氙灯发光控制电路的电路框图如图1所示,该电路包括正电源11、处理器12、晶闸管13、氙灯电源14、氙灯15和氙灯自熄灭硬件电路16组成,该控制电路的缺陷是只能控制氙灯15放光,不能控制氙灯停止放光,氙灯停止放光需要靠氙灯自熄灭硬件电路16来实现,但该氙灯自熄灭硬件电路16设计复杂,而且稳定性不高,经常导致氙灯15没有办法自熄灭或者自熄灭太快。

另一种现有的氙灯发光控制电路的电路框图如图2所示,它由正电源21、处理器22、igbt驱动电路23、正负电压脉冲发生电路24、igbt25、氙灯电源26、氙灯27和负电源28组成,对比图1所示的氙灯控制电路,它可以实现对于氙灯的自主开关控制,但需要添加负电源28和igbt(insulatedgatebipolartransistor简称,绝缘栅双极型晶体管)驱动电路23,使得结构复杂,且增加了成本和产品体积。

综上,现有的氙灯发光控制电路存在电路结构复杂的缺点。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是如何简化现有的氙灯发光控制电路结构。

为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案提供一种氙灯发光控制电路,所述电路包括正电源、处理器、电压控制电流的开关器件、氙灯电源和氙灯,其中:

所述正电源与所述处理器、所述电压控制电流的开关器件、所述氙灯电源和所述氙灯分别连接;

所述电压控制电流的开关器件的输入端与所述处理器电连接,所述电压控制电流的开关器件的输出端与所述氙灯电源的输入端电连接,所述氙灯电源的输出端与所述氙灯电连接。

优选地,所述电压控制电流的开关器件是mos管。

优选地,所述mos管是gan制成的晶体管。

或者,所述mos管是sic制成的晶体管。

还或者,所述mos管是金刚石制成的晶体管。

优选地,所述氙灯电源的电压是200v~400v。

本实施例所述的一种氙灯发光控制电路的处理器发出脉冲电压,即可导通所述mos管,则所述氙灯连通并放光;当所述处理器不发出脉冲电压时,不同于现有技术中的igbt需要负压才能关断,所述mos管在0v时就能关断,则氙灯在零电平时即可关闭,如此,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路可完全自主的实现自由控制氙灯的通断,不需要额外添加负电源和氙灯自熄灭电路,且处理器只需调节占空比,即可调节氙灯开启的时长。因此,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路只需要5个组成部件,结构简单,产品体积小,成本低,使得现在的医美脉冲氙灯的大机器转换成家用小仪器变为可能;且根据硬件的通识可知,电路越简单,一致性和稳定性就越好,相比较于现有技术中的氙灯发光控制电路,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路的稳定性得到了有效增强。

综上,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路有效解决了现有技术中的氙灯发光控制电路结构复杂的问题,使得氙灯发光控制电路结构简单,性能稳定,产品体积更小,成本更低。

附图说明

附图通过示例说明本实用新型,而非限制本实用新型。类似的附图标记指代类似的元件。

图1是现有技术中的一种氙灯发光控制电路的结构示意图;

图2是现有技术中的另一种氙灯发光控制电路的结构示意图;

图3是本实施例提供的一种氙灯发光控制电路的结构示意图。

具体实施方式

参考本文阐述的详细图和描述,可以最好地理解本公开。

图3为本实施例提供的一种氙灯发光控制电路的结构示意图,如图3所示,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路包括正电源31、处理器32、电压控制电流的开关器件33、氙灯电源34和氙灯35,其中:所述正电源31与所述处理器32、所述电压控制电流的开关器件33、所述氙灯电源34和所述氙灯35分别连接,所述正电源31负责给所有弱电部分供电。

所述电压控制电流的开关器件33的输入端与所述处理器32电连接,所述电压控制电流的开关器件33的输出端与所述氙灯电源34的输入端电连接,所述氙灯电源34的输出端与所述氙灯35电连接。

所述处理器32是整个电路的中枢,负责发出脉冲控制信号,调节占空比,控制所述电压控制电流的开关器件33的开关,从而控制氙灯35放电的通断,以控制脉冲氙灯35放光。

进一步的,所述电压控制电流的开关器件33是mos管。

进一步的,所述mos管是gan(氮化镓)制成的晶体管、sic(碳化硅)制成的晶体管或金刚石制成的晶体管。

具体而言,所述mos管充当开关,所述mos管有非常低的导通阻抗。所述mos管可以是gan、sic甚至是金刚石,这三种材质都具有超低阻抗的特性,尤其是金刚石。mos管的导通阻抗相对于氙灯几毫欧姆的阻抗来说太大,但是mos管是一种电压控制电流的器件,所述处理器32发出来的脉冲电压可以直接控制mos管的导通。

进一步的,所述氙灯电源的电压是200v~400v。

本实施例所述的一种氙灯发光控制电路的处理器发出脉冲电压,即可导通所述mos管,则所述氙灯35连通并放光;当所述处理器32不发出脉冲电压时,不同于现有技术中的igbt需要负压才能关断,所述mos管在0v时就能关断,则氙灯35在零电平时即可关闭,如此,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路可完全自主的实现自由控制氙灯35的通断,不需要额外添加负电源和氙灯自熄灭电路,且处理器32只需调节占空比,即可调节氙灯35开启的时长。因此,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路只需要5个组成部件,结构简单,产品体积小,成本低,使得现在的医美脉冲氙灯的大机器转换成家用小仪器变为可能;且根据硬件的通识可知,电路越简单,一致性和稳定性就越好,相比较于现有技术中的氙灯发光控制电路,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路的稳定性得到了有效增强。

综上,本实施例所述的一种氙灯发光控制电路有效解决了现有技术中的氙灯发光控制电路结构复杂的问题,使得氙灯发光控制电路结构简单,性能稳定,产品体积更小,成本更低。

应当理解的是,虽然在这里可能使用量术语“第一”、“第二”等等来描述各个单元,但是这些单元不应当受这些术语限制。使用这些术语仅仅是为了将一个单元与另一个单元进行区分。举例来说,在不背离示例性实施例的范围的情况下,第一单元可以被称为第二单元,并且类似地第二单元可以被称为第一单元。

在本说明书中提到或者可能提到的上、下、左、右、前、后、正面、背面、顶部、底部等方位用语是相对于各附图中所示的构造进行定义的,它们是相对的概念,因此有可能会根据其所处不同位置、不同使用状态而进行相应地变化。所以,也不应当将这些或者其他的方位用语解释为限制性用语。

以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例,并非对本实用新型任何形式上和实质上的限制,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本实用新型方法的前提下,还将可以做出若干改进和补充,这些改进和补充也应视为本实用新型的保护范围。凡熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,当可利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化,均为本实用新型的等效实施例;同时,凡依据本实用新型的实质技术对上述实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变,均仍属于本实用新型的技术方案的范围内。

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