一种可应用兼容5G通讯的GPS信号陷波器的制作方法

本实用新型属于陷波器领域，尤其涉及一种可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器。

背景技术：

5g通讯已经越来越靠近人们的生活，可以说必然是未来移动通信的主流发展趋势。5g通讯与4g通讯相比，传输速度有了质的飞跃。其通信的频率，也与4g通讯有所差别，根据工信部的许可，中国电信获得3400mhz-3500mhz共100mhz带宽的5g试验频率资源；中国联通获得3500mhz～3600mhz共100mhz带宽的5g试验频率资源；中国移动获得2515mhz～2675mhz、4800mhz～4900mhz频段的5g试验频率资源，其中2515～2575mhz、2635-2675mhz和4800～4900mhz频段为新增频段。与前四代通讯相比，在中高频段(300mhz～10ghz)，5g通讯的最高频到了5ghz。

因此，5g通讯对通讯天线中的gps陷波器有了新的要求，需要陷波器在1575mhz处有抑制作用，同时在3～5ghz中，不能有明显的抑制。

传统的gps陷波器，其在4～5ghz会出现倍频的抑制，不能良好适用于新的5g通讯领域。

技术实现要素：

为了克服现有技术的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器，通过阶梯谐振孔的设置消除4～5ghz的谐波。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供的一种可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器，包括介质基体、以及金属电极，介质基体的内部开设有阶梯谐振孔，阶梯谐振孔的一端封闭，阶梯谐振孔的另一端贯穿介质基体，且阶梯谐振孔的中心线与介质基体的中心线共线，金属电极均匀布设在介质基体的各个外表面和阶梯谐振孔的内表面，阶梯谐振孔包括大孔和小孔，大孔和小孔连通，且大孔靠近介质基体的端面。

优选地，大孔和小孔的孔径比为4/3～8/3，大孔和小孔的孔深比为3/6～5/6。

优选地，介质基体为横截面是正方形的长方体。

优选地，介质基体的最小边长与小孔的孔径比为5/2～7/2。

优选地，介质基体的一端面设有第一镂空区，第一镂空区环绕阶梯谐振孔设置，第一镂空区上具有第一缺口，第一缺口的一端与阶梯谐振孔相连，第一缺口的另一端延伸至介质基体的一侧边缘，介质基体的一侧面设有第二镂空区，第二镂空区与第一镂空区相连且相互垂直设置，第二镂空区上具有第二缺口，第二缺口与第一缺口相连，第一缺口和第二缺口上均布设有金属电极。

优选地，介质基体是由整块长方体陶瓷加工而成。

优选地，金属电极为银电极、铜电极、或铝电极中的一种。

优选地，大孔和小孔的均为圆形孔。

优选地，金属电极通过丝网印刷或激光蚀刻的方式布设在介质基体上。

优选地，介质基体的最小边长为2.8mm～3.2mm。

优选地，第一缺口和第二缺口的宽度相等，且均为0.7mm～1.2mm。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型的可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器通过将传统的谐振腔改为阶梯谐振孔，通过对阶梯谐振孔深度、孔径的匹配，消除4～5ghz的谐波，使其可应用于5g通讯领域。

附图说明

图1是本实用新型的主视结构示意图；

图2是本实用新型的立体结构示意图；

图3是本实用新型的仰视结构示意图；

图4是本实用新型的第一种侧视结构示意图；

图5是本实用新型的第二种侧视结构示意图；

图6是本实用新型的结构电性能特性；

图7是现有陷波器的侧视结构示意图；

图8是现有陷波器的结构电性能特性。

附图中的标记为：1-介质基体，2-金属电极，3-阶梯谐振孔，31-大孔，32-小孔，4-第一镂空区，5-第一缺口，6-第二镂空区，7-第二缺口。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图1所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

如图7和图8所示，现有陷波器采用pin式连接，谐振腔为通孔，现有陷波器在4～5ghz，会出现倍频的抑制，影响其在5g通讯中的使用。

实施例一：

如图1至图4所示，本实施例中提供的一种可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器，包括介质基体1、以及金属电极2，介质基体1的内部开设有阶梯谐振孔3，阶梯谐振孔3的后端封闭，阶梯谐振孔3的前端贯穿介质基体1，且阶梯谐振孔3的中心线与介质基体1的中心线共线。

金属电极2均匀布设在介质基体1的各个外表面和阶梯谐振孔3的内表面，其中，金属电极2通过丝网印刷的方式布设在介质基体1上，使得金属电极2布设均匀性高，金属电极2为银电极，阶梯谐振孔3包括大孔31和小孔32，大孔31和小孔32的均为圆形孔，大孔31和小孔32连通，且大孔31靠近介质基体1的端面，本实施例中为靠近基体的前端面，大孔31和小孔32的孔径比为4/3～8/3，大孔31和小孔32的孔深比为3/6～5/6，其中，介质基体1为横截面是正方形的长方体，介质基体1的最小边长与小孔32的孔径比为5/2～7/2，当介质基体1的最小边长与小孔32的孔径比为3，大孔31和小孔32的孔径比为2时，得到的陷波器性能最佳。当大孔31和小孔32的孔深比为2/3时，得到的谐波频率最高。

本陷波器采用整体设计，保持了器件的一体化，利于批量生产，降低制造成本，直接应用于smt工艺。同时由于器件是整体的，也利于使用端表面贴装。

如图6所示，本陷波器在保持1575频段的抑制作用的同时在3～5ghz，没有明显的抑制，通过对阶梯谐振孔3深度、孔径的匹配，消除4～5ghz的谐波，使其可应用于5g通讯领域。

进一步的，介质基体1的前端面设有第一镂空区4，第一镂空区4环绕阶梯谐振孔3设置，第一镂空区4上具有第一缺口5，第一缺口5的上端与阶梯谐振孔3相连，第一缺口5的下端延伸至介质基体1的下侧边缘，介质基体1的下侧面设有第二镂空区6，第二镂空区6与第一镂空区4相连且相互垂直设置，第二镂空区6上具有第二缺口7，第二缺口7与第一缺口5相连，第一缺口5和第二缺口7上均布设有金属电极2，第一缺口5和第二缺口7上布设的金属电极2用来将信号馈入阶梯谐振孔3中，镂空区即为不布设金属电极2，可使介质基体1的本体外露。

进一步的，介质基体1是由整块长方体陶瓷加工而成，陶瓷基体有一定的介电常数和外形尺寸。其中介电常数、陷波器外形尺寸，可以按照电磁波理论，进行调整，但最终需要将主谐振频点调整到gps频率。其产生的倍频是通过将传统的谐振腔改为阶梯谐振孔3来解决。

进一步的，介质基体1的最小边长为2.8mm～3.2mm，本实施例为3mm。

进一步的，第一缺口5和第二缺口7的宽度相等，且均为0.7mm～1.2mm，本实施例为0.9mm。

实施例二：

如图5所示，本实施例中提供的一种可应用兼容5g通讯的gps信号陷波器，包括介质基体1、以及金属电极2，介质基体1的内部开设有阶梯谐振孔3，阶梯谐振孔3的后端封闭，阶梯谐振孔3的前端贯穿介质基体1，且阶梯谐振孔3的中心线与介质基体1的中心线共线。

金属电极2均匀布设在介质基体1的各个外表面和阶梯谐振孔3的内表面，其中，金属电极2通过丝网印刷的方式布设在介质基体1上，使得金属电极2布设均匀性高，金属电极2为银电极，阶梯谐振孔3包括大孔31和小孔32，大孔31和小孔32的均为圆形孔，大孔31和小孔32连通，且大孔31靠近介质基体1的端面，本实施例中为靠近基体的前端面，大孔31和小孔32的孔径比为4/3～8/3，大孔31和小孔32的孔深比为3/6～5/6，其中，介质基体1为横截面是正方形的长方体，介质基体1的最小边长与小孔32的孔径比为5/2～7/2，当介质基体1的最小边长与小孔32的孔径比为3，大孔31和小孔32的孔径比为2时，得到的陷波器性能最佳。当大孔31和小孔32的孔深比为2/3时，得到的谐波频率最高。其中阶梯谐振孔3内设有馈电pin。

本陷波器采用馈针式设计。

如图6所示，本陷波器在保持1575频段的抑制作用的同时在3～5ghz，没有明显的抑制，通过对阶梯谐振孔3深度、孔径的匹配，消除4～5ghz的谐波，使其可应用于5g通讯领域。

进一步的，介质基体1是由整块长方体陶瓷加工而成，陶瓷基体有一定的介电常数和外形尺寸。其中介电常数、陷波器外形尺寸，可以按照电磁波理论，进行调整，但最终需要将主谐振频点调整到gps频率。其产生的倍频是通过将传统的谐振腔改为阶梯谐振孔3来解决。

进一步的，介质基体1的最小边长为2.8mm～3.2mm，本实施例为3mm。

本陷波器不管是采用整体设计还是馈针式设计，由于均采用阶梯谐振孔3，通过对阶梯谐振孔3深度、孔径的匹配，消除4～5ghz的谐波，使其可应用于5g通讯领域。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。