LC复合部件以及通信终端装置的制作方法

lc复合部件以及通信终端装置
技术领域
1.本实用新型涉及设置于高频电路的lc复合部件，特别是，涉及在绝缘性基材的层叠体内形成了线圈以及电容器的lc复合部件以及具备该 lc复合部件的通信终端装置。


背景技术：

2.例如在lc滤波器、阻抗匹配电路、移相器等中，在它们被构成为单一部件的情况下，有时由线圈和电容器形成在单一层叠体内的lc复合部件构成。
3.在以便携式电话终端为首的通信终端装置等中，需要在多个频带实现阻抗匹配的情况较多。例如，如图19所示，在阻抗匹配电路72与第2 高频电路74之间设置移相器73，在由该移相器73和阻抗匹配电路72使得第1高频电路71和第2高频电路74进行阻抗匹配的情况下，为了使得在多个频带进行阻抗匹配，移相器被要求与频带相应的移相特性。
4.例如，在专利文献1中示出如下的变压器型的移相器，即，通过具备连接在第1端口与接地之间的第1线圈、连接在第2端口与接地之间并与第1线圈进行磁场耦合的第2线圈、以及连接在第1端口与第2端口之间的电容器，从而能够进行与频率相应的移相。
5.在先技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本专利第6183566号公报


技术实现要素：

8.实用新型要解决的课题
9.在将专利文献1记载的变压器型的移相器构成为层叠芯片部件的情况下，重要的是，抑制构成变压器的线圈的线圈用导体图案、和构成电容器的电容器用导体图案的干扰。
10.例如，图20(a)是欲构成为层叠芯片部件的情况下的移相器的剖视图，图20(b)是形成在层叠体的内部的电容器用导体图案的俯视图。在该例子中，在层叠体的内部分别形成有第1线圈l1用的导体图案、第2 线圈l2用的导体图案以及电容器c用的导体图案。
11.上述电容器c为了补偿变压器所引起的移相量而需要某种程度的电容，但若增大电容器用导体图案的面积，则电容器用导体图案会干扰变压器的磁通。因此，如图20(a)所示，使变压器(在图20(a)的例子中为第2线圈l2用的导体图案)和电容器c用的导体图案在层叠方向上的间隔gap充分地大。在图20(a)中，虚线表示磁通的简略路径。
12.另一方面，图21(a)是与图20(a)不同的移相器的剖视图，图 21(b)是形成在层叠体的内部的电容器用导体图案的俯视图。在存在芯片尺寸的限制，从而不能使上述间隔gap充分地大的情况下，如图21(b) 所示，可考虑将电容器用导体图案设为具有沿着线圈形状的形状的电极开口h以及缺口n的形状。通过该形状，能够使得变压器不易受到电容器 c的影响。在图21(a)中，虚线表示磁通的简略路径。
13.但是，在这种形状的电容器用导体图案中，产生图21(b)中箭头所示那样的、线宽较细的电流路径，因此电容器的esl(等效串联电感) 变大。其结果是，会变得无法获得给定
的相位-频率特性。
14.上述的例子针对用作移相器的lc复合部件，但不限于移相器，在层叠体内形成了线圈以及电容器的lc复合部件中，如何抑制线圈和电容器的干扰是重要的。
15.本实用新型的目的在于，提供一种在抑制线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰的同时实现了小型化的lc复合部件。
16.用于解决课题的手段
17.(a)作为本公开的一例的lc复合部件，具备：
18.层叠体，包含在各自形成了导体图案的多个绝缘性基材，通过层叠多个绝缘性基材而成；和
19.第1端子以及第2端子，在所述多个绝缘性基材的层叠方向上观察，沿着所述层叠体的相互对置的两边而形成，
20.所述导体图案包含线圈用导体图案和电容器用导体图案，
21.所述线圈用导体图案在围绕线圈开口的周围的位置具有多个直线形状部以及多个弯曲形状部，
22.所述电容器用导体图案包含与所述第1端子导通的第1电容器用导体图案、以及与所述第2端子导通并在所述层叠方向上与所述第1电容器用导体图案对置的第2电容器用导体图案，
23.所述第1电容器用导体图案以及所述第2电容器用导体图案形成在所述多个绝缘性基材之中与形成了所述线圈用导体图案的绝缘性基材不同的绝缘性基材，在所述层叠方向上观察，具有与将所述第1端子的中心和所述第2端子的中心最短地连结的线段重叠的延伸部、和在与所述线段的方向不同的方向上突出的突出部，
24.在所述层叠方向上观察，所述突出部与所述线圈用导体图案的所述弯曲形状部不重叠而与所述直线形状部重叠。
25.(b)作为本公开的一例的lc复合部件，具备：
26.层叠体，包含在各自形成了导体图案的多个绝缘性基材，通过层叠多个绝缘性基材而成；和
27.第1端子以及第2端子，在所述多个绝缘性基材的层叠方向上观察，沿着所述层叠体的相互对置的两边而形成，
28.所述导体图案包含线圈用导体图案和电容器用导体图案，
29.所述线圈用导体图案在围绕线圈开口的周围的位置具有多个直线形状部以及多个弯曲形状部，
30.所述电容器用导体图案包含与所述第1端子导通的第1电容器用导体图案、以及与所述第2端子导通并在所述层叠方向上与所述第1电容器用导体图案对置的第2电容器用导体图案，
31.所述第1电容器用导体图案以及所述第2电容器用导体图案形成在所述多个绝缘性基材之中与形成了所述线圈用导体图案的绝缘性基材不同的绝缘性基材，在所述层叠方向上观察，具有与将所述第1端子的中心和所述第2端子的中心最短地连结的线段重叠的延伸部、和在与所述线段的方向不同的方向上突出的突出部，
32.所述突出部在所述层叠方向上观察，与所述线圈用导体图案的所述弯曲形状部相
比，更接近所述直线形状部。
33.(c)作为本公开的一例的通信终端装置，具备供电电路和与所述供电电路连接的天线，在所述供电电路与所述天线之间具备lc复合部件，该lc复合部件除了上述(a)或者(b)记载的结构以外，还有如下结构，即：
34.具备形成于所述层叠体的接地端子，
35.所述线圈用导体图案包含构成第1线圈的第1线圈用导体图案、和构成相对于所述第1线圈进行磁场耦合的第2线圈的第2线圈用导体图案，
36.所述第1线圈连接在所述第1端子与所述接地端子之间，
37.所述第2线圈连接在所述第2端子与所述接地端子之间。
38.(d)作为本公开的一例的通信终端装置，具备两个输入输出端子和将这两个输入输出端子间相连的信号线路，并在该信号线路与接地之间的分流连接路径具备lc复合部件和lc谐振电路的串联电路。该lc复合部件具备上述(a)或者(b)记载的结构。
39.实用新型效果
40.根据本实用新型，可获得在抑制线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰的同时实现了小型化的lc复合部件。
附图说明
41.图1是第1实施方式涉及的移相器101的电路图。
42.图2是移相器101的外观立体图。
43.图3是图2中的y方向上观察的移相器101的主视图。
44.图4是移相器101的多个绝缘性基材各自的俯视图。
45.图5(a)、图5(b)是示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
46.图6(a)、图6(b)是示出线圈用导体图案的俯视图。
47.图7(a)、图7(b)是示出电容器用导体图案的突出部的俯视图。
48.图8是示出通信终端装置内的移相器101的使用方式的电路图。
49.图9是示出图8中的移相器101的移相量的频率特性的图。
50.图10是示出通信终端装置内的移相器101的使用方式的电路图。
51.图11是示出图10中的移相器101的移相量的频率特性的图。
52.图12(a)、图12(b)是示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图，图12(c)是将线圈用导体图案l1a～l1d、l2a～l2d 合并表示的简略线圈用导体图案lo的俯视图。
53.图13(a)、图13(b)是示出第3实施方式涉及的移相器的电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
54.图14(a)、图14(b)是示出第3实施方式涉及的移相器的电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
55.图15(a)、图15(b)是示出第3实施方式涉及的移相器的电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
56.图16(a)、图16(b)是示出第3实施方式涉及的移相器的电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
57.图17(a)、图17(b)是示出第3实施方式涉及的移相器的电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。
58.图18是第4实施方式涉及的通信终端装置200的框图。
59.图19是示出进行第1高频电路71和第2高频电路74的阻抗匹配的电路的结构例的图。
60.图20(a)是欲构成为层叠芯片部件的情况下的移相器的剖视图，图 20(b)是形成在层叠体的内部的电容器用导体图案的俯视图。
61.图21(a)是欲构成为层叠芯片部件的情况下的移相器的剖视图，图 21(b)是形成在层叠体的内部的电容器用导体图案的俯视图。
具体实施方式
62.首先，列举本实用新型涉及的移相器以及通信终端装置中的几个方式。该移相器为lc复合部件的一例。
63.本实用新型涉及的第1方式的lc复合部件，具备：长方体形状的层叠体，包含在各自形成了导体图案的多个绝缘性基材，通过层叠多个绝缘性基材而成；和第1端子以及第2端子，在所述多个绝缘性基材的层叠方向上观察，沿着所述层叠体的相互对置的两边而形成。此外，所述导体图案包含线圈用导体图案和电容器用导体图案，所述线圈用导体图案在围绕线圈开口的周围的位置具有多个直线形状部以及多个弯曲形状部，所述电容器用导体图案包含与所述第1端子导通的第1电容器用导体图案、以及与所述第2端子导通并在所述层叠方向上与所述第1电容器用导体图案对置的第2电容器用导体图案。而且，所述第1电容器用导体图案以及所述第2电容器用导体图案形成在所述多个绝缘性基材之中与形成了所述线圈用导体图案的绝缘性基材不同的绝缘性基材，在所述层叠方向上观察，具有与将所述第1端子的中心和所述第2端子的中心最短地连结的线段重叠的延伸部、和在与所述线段的方向不同的方向上突出的突出部，在所述层叠方向上观察，所述突出部与所述线圈用导体图案的所述弯曲形状部不重叠而与所述直线形状部重叠。
64.根据该构造，能够将电容器用导体图案的面积确保得较大，并且与第 1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案交链的磁通不易被电容器用导体图案妨碍。
65.在本实用新型涉及的第2方式的lc复合部件中，在所述层叠方向上观察，所述突出部与所述直线形状部不重叠的情况下，与第1线圈用导体图案或者第2线圈用导体图案的弯曲形状部相比，突出部更接近直线形状部。根据该构造，与第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案交链的磁通不易被电容器用导体图案妨碍。此外，可抑制产生在第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案与电容器用导体图案之间的寄生电容。
66.在本实用新型涉及的第3方式的lc复合部件中，所述突出部的数量为多个。
67.在本实用新型涉及的第4方式的lc复合部件中，表示所述突出部的突出方向的直线，在所述层叠方向上观察，具有通过所述线段的中心的直线。根据该构造，电容器用导体图案存在于第1线圈用导体图案以及第2 线圈用导体图案所引起的磁通密度相对低的部位，因此可有效地抑制第1 线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰。
68.在本实用新型涉及的第5方式的lc复合部件中，所述电容器用导体图案的相对于
所述线段正交的方向的宽度在与所述第1端子或者所述第2 端子直接连接的部分比所述突出部小。根据该构造，电容器用导体图案必然地成为从与所述线段的端部相比更靠线段的中心突出的形状，因此电容器用导体图案仅存在于第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度相对低的部位，因此可有效地抑制第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰。
69.在本实用新型涉及的第6方式的lc复合部件中，所述电容器用导体图案相对于所述线段为对称形。根据该构造，电容器用导体图案有效地配置于第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度相对低的部位，因此可有效地抑制第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰。
70.在本实用新型涉及的第7方式的lc复合部件中，在所述层叠方向上观察，所述突出部是在相对于所述线段正交的方向上呈线状突出的形状。根据该构造，可有效地抑制第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰。
71.在本实用新型涉及的第8方式的lc复合部件中，在所述层叠方向上观察，所述突出部是相对于所述线段正交的方向的宽度从所述第1端子以及所述第2端子直到所述线段的中心而连续地扩大的形状。根据该构造，避开第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度高的部位，并且尽可能形成大面积的电容器用导体图案。
72.在本实用新型涉及的第9方式的lc复合部件中，在所述层叠方向上观察，所述突出部是所述线段的中心具有曲率(带圆度而鼓起)的形状。根据该构造，与形成相同面积的矩形状突出部的情况相比，能够进一步避开磁通密度高的部位地形成电容器用导体图案。
73.在本实用新型涉及的第10方式的lc复合部件中，具备形成于所述层叠体的接地端子，所述线圈用导体图案包含构成第1线圈的第1线圈用导体图案、和构成相对于所述第1线圈进行磁场耦合的第2线圈的第2 线圈用导体图案，所述第1线圈连接在所述第1端子与所述接地端子之间，所述第2线圈连接在所述第2端子与所述接地端子之间。根据该构造，在第1端子与第2端子之间作为使信号移相给定量的移相器而发挥作用。
74.本实用新型涉及的第11方式的通信终端装置具备供电电路和与所述供电电路连接的天线，在所述供电电路与所述天线之间具备所述lc复合部件。根据该构造，能够构成具备遍及宽频带地进行匹配的天线的通信终端装置。
75.本实用新型涉及的第12方式的通信终端装置，具备两个输入输出端子和将所述两个输入输出端子间相连的信号线路，并在所述信号线路与接地之间的分流连接路径具备所述lc复合部件和lc谐振电路的串联电路。根据该构造，能够根据lc复合部件的移相量-频率特性来决定使lc 谐振电路作为陷波滤波器发挥作用的频率。
76.本实用新型涉及的第13方式的通信终端装置在上述第12方式中，具备与信号线路连接的放大器。根据该结构，能够选择性地抑制由放大器产生的给定频率的不必要的频率分量。
77.以下，参照图列举几个具体的例子，来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对同一部位标注了同一符号。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了方便说明而将实施方式分开示出，但能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
78.《第1实施方式》
79.图1是第1实施方式涉及的移相器101的电路图。该移相器101具备：连接在第1端子t1与接地端子gnd之间的第1线圈l1、连接在第2端子t2与接地端子gnd之间并相对于第1线圈l1进行磁场耦合的第2 线圈l2、和连接在第1端子t1与第2端子t2之间的电容器c。
80.图2是移相器101的外观立体图。图3是图2中的y方向上观察的移相器101的主视图。其中，将移相器101的内部透视地进行了表示。
81.移相器101是层叠包含形成了构成第1线圈的第1线圈用导体图案的绝缘性基材、形成了构成第2线圈的第2线圈用导体图案的绝缘性基材、和形成了构成电容器的电容器用导体图案的绝缘性基材在内的多个绝缘性基材而构成的。图2所示的层叠体100为多个绝缘性基材的层叠体。在该层叠体100的外表面形成有第1端子t1、第2端子t2以及接地端子 gnd。
82.在图2、图3所示的x、y、z正交系中，在层叠体100的x轴方向的两端配置有第1端子t1以及第2端子t2。此外，在层叠体100的侧面，分别形成有使形成于各绝缘性基材的第1端子t1彼此在层叠方向(z) 上导通的导体膜、使形成于各绝缘性基材的第2端子t2彼此在层叠方向上导通的导体膜、以及使形成于各绝缘性基材的接地端子gnd彼此在层叠方向上导通的导体膜。
83.如图3所表示的那样，通过第1线圈用导体图案l1a～l1d以及将它们相互连接的过孔导体构成了第1线圈l1，通过第2线圈用导体图案 l2a～l2d以及将它们相互连接的过孔导体构成了第2线圈l2。此外，通过第1电容器用导体图案ca、cc以及第2电容器用导体图案cb构成了电容器c。
84.图4是移相器101的上述多个绝缘性基材各自的俯视图。移相器101 的层叠体100包含绝缘性基材s1～s15。在图4中，对于任意的绝缘性基材s1～s15都是仰视图。
85.在绝缘性基材s7～s10形成有第1线圈用导体图案l1a～l1d。在绝缘性基材s12～s15形成有第2线圈用导体图案l2a～l2d。在绝缘性基材s2～s4形成有电容器用导体图案ca、cb、cc。对于绝缘性基材s5、 s6，设置为隔离件。即，在第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d与电容器用导体图案ca、cb、cc之间设置了给定的间隔。
86.在全部的绝缘性基材s1～s15，分别形成有构成第1端子t1、第2 端子t2、接地端子gnd的端子用导体图案。换言之，在各绝缘性基材的同一平面上，与线圈用导体图案或者电容器用导体图案一起形成有端子用导体图案。这起因于本实施方式的移相器的制法。
87.具体地，移相器如以下所示那样制作。首先，利用丝网印刷，在通过涂敷绝缘膏而形成的绝缘性基材上涂敷感光性导电膏，并利用光刻工序，在各个绝缘性基材上形成线圈用导体图案或者电容器用导体图案、以及端子用导体图案。接下来，对感光性绝缘膏进行丝网印刷，形成开口以及通孔(用于形成过孔导体的开口)。该感光性绝缘膏也形成绝缘性基材。然后，对感光性导电膏进行丝网印刷，并利用光刻工序，形成线圈用导体图案或者电容器用导体图案、以及端子用导体图案。由此，端子用导体图案形成在开口内，过孔导体形成于通孔，线圈用导体图案或者电容器用导体图案形成在绝缘膏上。通过重复上述工序，从而移相器的各端子由层叠的多个端子用导体图案构成，因此全部的绝缘性基材具备端子用导体图案。导体图案的形成方法不限于此，例如，也可以是利用开口为导体图案形状的丝网版的导体膏的印刷层叠方法。此外，外部电极的形成方法不限于此，例如，也可以利用导体膏
的浸渍、溅射法在进行了层叠的坯体形成端子电极，也可以对其表面实施镀敷加工。
88.第1线圈用导体图案l1a的一端与第1端子t1相连，第1线圈用导体图案l1d的一端与接地连接图案ec相连。该接地连接图案ec与接地端子gnd相连。第1线圈用导体图案l1a与第1线圈用导体图案l1b之间、第1线圈用导体图案l1b与第1线圈用导体图案l1c之间、以及第1 线圈用导体图案l1c与第1线圈用导体图案l1d之间，分别经由图4中虚线的小圆所表示的过孔导体而连接。
89.第2线圈用导体图案l2a的一端与第2端子t2相连，第2线圈用导体图案l2d的一端与接地连接图案ec相连。第2线圈用导体图案l2a与第2线圈用导体图案l2b之间、第2线圈用导体图案l2b与第2线圈用导体图案l2c之间、以及第2线圈用导体图案l2c与第2线圈用导体图案l2d之间，分别经由图4中虚线的小圆所表示的过孔导体而连接。
90.电容器用导体图案ca、cc的一端分别与第1端子t1相连，电容器用导体图案cb的一端与第2端子t2相连。
91.图5(a)、图5(b)是示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。图7(a)、图7(b)是示出电容器用导体图案的突出部的俯视图。图6(a)、图6(b)是示出线圈用导体图案的俯视图。在图 5(a)、图5(b)、图6(a)、图6(b)、图7(a)、图7(b)中，作为对线圈用导体图案l1a～l1d、l2a～l2d进行了合并的图案，表示了简略线圈用导体图案lo。即，将从层叠方向观察被线圈用导体图案l1a～l1d、 l2a～l2d的任一者覆盖的部分的平面形状表示为简略线圈用导体图案 lo。图5(a)是示出形成于绝缘性基材s2、s4的电容器用导体图案ca、 cc和简略线圈用导体图案lo的关系的俯视图。图5(b)是示出形成于绝缘性基材s3的电容器用导体图案cb和简略线圈用导体图案lo的关系的俯视图。
92.如图6(a)所示，在本实施方式的移相器101中，第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d在围绕线圈开口co 的周围的位置具有直线形状部sp1、sp2、sp3、sp4和弯曲形状部bp1、 bp2、bp3、bp4。弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4如下那样定义。
93.如图6(a)所示，弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4是简略线圈用导体图案lo上的弯曲部。更详细地，该弯曲形状部bp1、bp2、bp3、 bp4优选如下那样规定。首先，用xco表示线圈开口co的x方向的长度，用yco表示y方向的长度。将线圈开口co(简略线圈用导体图案 lo的内周)的x方向的两边在x方向上延长，将y方向的两边在y方向上延长，将该在x方向上延长的两条直线和在y方向上延长的两条直线的交点定义为角部c1、c2、c3、c4(图6(b))。然后，将从角部c1 向角部c4方向前进了xco/8的位置设为弯曲形状部bp1和直线形状部 sp1的边界。此外，将从角部c1向角部c2方向前进了yco/8的位置设为弯曲形状部bp1和直线形状部sp2的边界。关于其它的弯曲形状部 bp2、bp3、bp4也同样地定义。如此一来，在图6(b)所示的例子中，简略线圈用导体图案lo包含4个i字型的直线形状部sp1～sp4和4个 j字型的弯曲形状部bp1～bp4。
94.如图5(a)、图5(b)所示，电容器用导体图案ca、cb、cc是在多个绝缘性基材的层叠方向上对置的多个导体图案，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有与将第1端子t1的中心和第2端子 t2的中心最短地连结的线段ls重叠的延伸部ex、和在与线段ls的方向不同的方向上突出的突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23。
95.在此，参照图7(a)、图7(b)，若定义“突出部”，则在绝缘性基材的层叠方向(z方向)上观察，该突出部是在与将第1端子t1的中心和第2端子t2的中心最短地连结的线段ls的方
向不同的方向上从线段 ls突出的部分。在本实施方式中，如图7(a)、图7(b)所示，具备从线段ls向+y方向(与线段ls的方向正交的方向)突出的3个突出部p11、p12、p13、和从线段ls向-y方向(与线段ls的方向正交的方向) 突出的3个突出部p21、p22、p23。特别是，关于突出部p12、p22，表示这些突出部p12、p22的突出方向的直线通过线段ls的中心o。
96.在层叠方向上观察，突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23与线圈用导体图案的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4不重叠而与直线形状部 sp1、sp2、sp3、sp4重叠。
97.在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有与将第1 端子t1的中心和第2端子t2的中心最短地连结的线段ls重叠的延伸部 ex、和在与线段ls的方向不同的方向上突出的突出部p11、p12、p13、 p21、p22、p23还能够表现为在电容器用导体图案ca、cb、cc形成有缺口部n11、n12、n21、n22。
98.在图5(a)、图5(b)中施加了影线的部分表示靠近图6(a)所示的线圈用导体图案的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4并且与电容器用导体图案ca、cb、cc不重叠的区域。此外，在线圈用导体图案产生的磁通密度中，在弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4产生的磁通的磁通密度比在直线形状部sp1、sp2、sp3、sp4产生的磁通的磁通密度高。像这样，电容器用导体图案的突出部形成为避开磁通密度相对高的部位。换言之，在层叠方向上观察，与第1线圈用导体图案或者第2线圈用导体图案的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4不重叠，因此与第1线圈用导体图案(图 3所示的l1a～l1d)以及第2线圈用导体图案(l2a～l2d)交链的磁通不易被电容器用导体图案ca、cb、cc妨碍。
99.此外，在本实施方式中，电容器用导体图案ca、cb、cc的相对于线段ls正交的方向的宽度在与第1端子t1或者第2端子t2直接连接的部分比突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23小。即，电容器用导体图案 ca、cb、cc的与第1端子t1或者第2端子t2直接连接的部分的宽度 wn比突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23的宽度wf小。
100.另外，在本实施方式中，电容器用导体图案ca、cb、cc与第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d之间的距离较远，因此越靠近线圈的卷绕轴，形成电容器用导体图案ca、cb、cc的层中的磁通密度相对越低。根据上述构造，电容器用导体图案ca、cb、cc 必然地成为从与线段ls的端部相比更靠近线段的中心的位置突出的形状，因此电容器用导体图案ca、cb、cc仅存在于第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d所引起的磁通密度相对低的部位，可有效地抑制第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d和电容器用导体图案ca、cb、cc的干扰。
101.此外，在本实施方式中，电容器用导体图案ca、cb、cc相对于线段 ls为对称形。根据该构造，与为非对称的情况相比，能够使电流密度分布相对于线段ls变得对称，能够使电流密度集中于线段ls。换言之，在为非对称的情况下，电流密度高的区域会从线段ls偏离，变得在比最短路径长的路径流过主电流，由此电容器用导体图案ca、cb、cc的esl 增加。因此，通过电容器用导体图案ca、cb、cc相对于线段ls为对称形，从而能够减少电容器的esl。
102.此外，在本实施方式中，在层叠方向上观察，突出部p11、p12、p13、 p21、p22、p23是在相对于线段ls正交的方向上呈线状突出的形状，因此可抑制突出部和第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d的对置面积，可有效地抑制第1线圈用导体图案l1a～l1d 以及第2线圈用导体图案l2a～l2d和电容器用导体图案ca、cb、cc的干扰。
103.图8是示出通信终端装置内的本实施方式的移相器101的使用方式的电路图。在该
例子中，在通信电路50与天线1之间连接(插入)了移相器101。通信电路50相当于本实用新型涉及的“供电电路”。
104.图9是示出图8中的移相器101的移相量的频率特性的图。在该例子中，在低频段(700mhz～900mhz频带)移相量几乎为90度，在高频段 (1.7ghz～2.7ghz频带)移相量几乎为0度。即，图8所示的移相器101 几乎不使高频段的信号移相，使低频段的信号移相大约90度。
105.图10是示出通信终端装置内的移相器101的使用方式的电路图。在图10所示的电路部中，具备两个输入输出端子po1、po2和将两个输入输出端子po1、po2间相连的信号线路，并在该信号线路与接地之间的分流连接路径设置有移相器101和lc并联谐振电路56的串联电路。lc并联谐振电路56是电感器l10和电容器c10的并联电路。该lc并联谐振电路56的谐振频率为2.4ghz。此外，在图10所示的例子中，在输入输出端子po1连接有对高频信号进行放大的放大器55。
106.图11是示出图10中的移相器101的移相量的频率特性的图。在该例子中，移相器101的移相量在2.4ghz时规定为90度。通过将该移相器 101和谐振频率为2.4ghz的lc并联谐振电路56的串联电路分流连接在信号线路与接地之间，由此从信号线路观察分流连接路径的阻抗在 2.4ghz看上去为短路。即，该分流连接电路作为2.4ghz的陷波滤波器而发挥作用。
107.这样的陷波滤波器例如能够选择性地抑制由与信号线路的一端连接的放大器55产生的2.4ghz的噪声分量。
108.如已经叙述的那样，本实施方式的移相器101具备抑制了esl的电容器电极，因此可抑制移相量的频率特性的偏差，能够构成精度良好的滤波器。这是因为，若电容器的esl被抑制，则能够减小移相量相对于频率的变化(减小移相量变化相对于频率变化的斜率)。
109.《第2实施方式》
110.在第2实施方式中，示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系与第1实施方式不同的例子。
111.图12(a)、图12(b)是示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。图12(c)是将线圈用导体图案l1a～l1d、l2a～l2d 合并表示的简略线圈用导体图案lo的俯视图。图12(a)是示出形成于绝缘性基材s2、s4的电容器用导体图案ca、cc和简略线圈用导体图案 lo的关系的俯视图。图12(b)是示出形成于绝缘性基材s3的电容器用导体图案cb和简略线圈用导体图案lo的关系的俯视图。
112.如与第1实施方式中示出的图5(a)、图5(b)比较可知，在第2 实施方式中，在层叠方向上观察，突出部p11、p12、p13、p21、p22、 p23与简略线圈用导体图案lo(即，第1实施方式所示的第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d)不重叠。而且，与简略线圈用导体图案lo的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4相比，突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23更靠近直线形状部sp1、sp2、 sp3、sp4。若更详细地记述，则突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23 的前端配置为在俯视下与简略线圈用导体图案lo的弯曲形状部bp1、 bp2、bp3、bp4相比更靠近直线形状部sp1、sp2、sp3、sp4的距离。换言之，简略线圈用导体图案lo的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4 和电容器用导体图案ca、cb、cc的间隔比简略线圈用导体图案lo的直线形状部sp1、sp2、sp3、sp4和电容器用导体图案ca、cb、cc的间隔大。其它结构
与第1实施方式中示出的结构相同。
113.根据本实施方式，与第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d交链的磁通不易被电容器用导体图案ca、cb、cc妨碍。此外，可抑制产生在第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d与电容器用导体图案ca、cb、cc之间的寄生电容。因此，可有效地抑制第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d和电容器用导体图案ca、cb、cc的干扰。
114.《第3实施方式》
115.在第3实施方式中，示出形状与到此为止示出的电容器用导体图案不同的电容器用导体图案的例子。
116.图13(a)、图13(b)、图14(a)、图14(b)、图15(a)、图15 (b)、图16(a)、图16(b)、图17(a)、图17(b)均是示出电容器用导体图案和线圈用导体图案的关系的俯视图。图13(a)、图14(a)、图15(a)、图16(a)、图17(a)是示出形成于绝缘性基材s2、s4的电容器用导体图案ca、cc和简略线圈用导体图案lo的关系的俯视图。图13(b)、图14(b)、图15(b)、图16(b)、图17(b)是示出形成于绝缘性基材s3的电容器用导体图案cb和简略线圈用导体图案lo的关系的俯视图。如已经叙述的那样，简略线圈用导体图案lo是将第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案合并表示的图案。其它结构与第1、第2实施方式中示出的结构相同。
117.在图13(a)、图13(b)所示的例子中，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有在与将第1端子t1的中心和第2端子t2 的中心最短地连结的线段ls的方向正交的方向上突出的突出部p1、p2。像这样，也可以是突出部的数量从线段ls向两个方向各突出一个的形状。
118.在图14(a)、图14(b)所示的例子中，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有在与线段ls的方向正交的方向上突出的突出部p11、p12、p13、p21、p22、p23。而且，沿着线段ls的方向的中心的突出部p12、p22的突出量(突出部的面积)比其它的突出部p11、p13、p21、p23的突出量大。像这样，在电容器用导体图案ca、cb、cc 中，与线段ls的端部相比越是中心的突出部则突出量越大，由此电容器用导体图案ca、cb、cc存在为避开第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度相对高的部位，所以可有效地抑制第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案和电容器用导体图案ca、cb、cc的干扰。
119.在图15(a)、图15(b)所示的例子中，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有在与线段ls的方向正交的方向上突出的突出部p1、p2。而且，突出部p1、p2是相对于线段ls正交的方向的宽度从第1端子t1以及第2端子t2直到线段ls的中心而连续地扩大的形状。在该例子中为大致菱形。
120.在图15(a)中，电容器用导体图案ca、cc的延伸部ex配置为通过弯曲形状部bp1、bp2之间，前端朝向弯曲形状部bp3、bp4之间延伸。在图15(b)中，电容器用导体图案cb的延伸部ex配置为通过弯曲形状部bp3、bp4之间，前端朝向弯曲形状部bp1、bp2之间延伸。根据该构造，避开第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度高的部位，并且尽可能形成大面积的电容器用导体图案。
121.在图16(a)、图16(b)所示的例子中，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有在与线段ls的方向正交的方向上突出的突出部p1、p2。突出部p1、p2是相对于线段ls正交的方向的宽度从第 1端子t1以及第2端子t2直到线段ls的中心而连续地扩大的形状。
在该例子中为大致六边形。根据该构造，第1线圈用导体图案l1a～l1d以及第2线圈用导体图案l2a～l2d的弯曲形状部bp1、bp2、bp3、bp4 避开第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案所引起的磁通密度高的部位，并且尽可能形成大面积的电容器用导体图案。
122.在图17(a)、图17(b)所示的例子中，在层叠方向上观察，电容器用导体图案ca、cb、cc具有在与线段ls的方向正交的方向上突出的突出部p1、p2。在层叠方向上观察，突出部p1、p2是线段ls的中心具有曲率(带圆度而鼓起)的形状。根据该构造，与突出部p1、p2为矩形状的情况(为与图17(a)、图17(b)的突出部p1、p2相同面积的矩形状突出部的情况)相比，能够进一步避开磁通密度高的部位地形成电容器用导体图案。
123.在以上所示的任意的实施方式中，在层叠方向上观察，与第1端子 t1相连的电容器用导体图案ca、cc和与第2端子t2相连的电容器用导体图案cb都具有沿着将第1端子t1的中心和第2端子t2的中心最短地连结的线段延伸的延伸部ex，因此电流以最短路径流过电容器用导体图案。因此，电容器的有效的esl比如图21(b)所示的具有电极开口h 的电容器的有效的esl小。由此，可抑制移相量的频率特性的不必要的较大斜率。
124.《第4实施方式》
125.在第4实施方式中示出通信终端装置的例子。图18是第4实施方式涉及的通信终端装置200的框图。本实施方式的通信终端装置200具备天线1、天线匹配电路40、移相器101、通信电路51、基带电路52、应用处理器53以及输入输出电路54。通信电路51具备关于低频段(700mhz～ 900mhz频带)和高频段(1.7ghz～2.7ghz频带)的发送电路tx以及接收电路rx，还具备天线共用器。天线1是与低频段和高频段对应的单极天线、倒l型天线、倒f型天线等。
126.上述构成要素容纳在一个壳体内。例如，天线匹配电路40、移相器 101、通信电路51、基带电路52以及应用处理器53安装于印刷布线板，印刷布线板容纳在壳体内。输入输出电路54作为显示触摸面板组装于壳体。天线1安装于印刷布线板，或者配置在壳体的内表面或者内部。
127.根据以上所示的结构，可获得具备遍及宽频带地进行匹配的天线的通信终端装置。
128.最后，上述的实施方式的说明在所有方面均为例示，而不是限制性的。对于本领域技术人员而言能够适当进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，在本实用新型的范围中，包含从与权利要求书均等的范围内的实施方式的变更。
129.例如，在以上所示的各实施方式中，示出具备电容器用导体图案、第 1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案并作为移相器发挥作用的lc 复合部件，但本实用新型不限于移相器。例如，在lc滤波器、包含lc 的阻抗匹配电路等中，在它们被构成为单一部件的情况下，对于线圈和电容器形成在单一层叠体内的lc复合部件也能够同样适用。例如，能够由以上所示的移相器的第1线圈用导体图案或者第2线圈用导体图案那样的线圈用导体图案和电容器用导体图案构成lc滤波器、阻抗匹配电路，在该情况下，可抑制线圈用导体图案和电容器用导体图案的干扰。
130.符号说明
131.bp1、bp2、bp3、bp4
…
弯曲形状部；
132.c
…
电容器；
133.ca、cc
…
第1电容器用导体图案；
134.cb
…
第2电容器用导体图案；
135.co
…
线圈开口；
136.ec
…
接地连接图案；
137.ex
…
延伸部；
138.gap
…
间隔；
139.gnd
…
接地端子；
140.h
…
电极开口；
141.l1
…
第1线圈；
142.l1a、l1b、l1c、l1d
…
第1线圈用导体图案；
143.l2
…
第2线圈；
144.l2a、l2b、l2c、l2d
…
第2线圈用导体图案；
145.lo
…
简略线圈用导体图案；
146.ls
…
线段；
147.n11、n12、n21、n22
…
缺口部；
148.p1、p2
…
突出部；
149.po1、po2
…
输入输出端子；
150.p11、p12、p13、p21、p22、p23
…
突出部；
151.s1～s13
…
绝缘性基材；
152.sp1、sp2、sp3、sp4
…
直线形状部；
153.t1
…
第1端子；
154.t2
…
第2端子；
155.z
…
层叠方向；
[0156]1…
天线；
[0157]
40
…
天线匹配电路；
[0158]
51
…
通信电路；
[0159]
52
…
基带电路；
[0160]
53
…
应用处理器；
[0161]
54
…
输入输出电路；
[0162]
55
…
放大器；
[0163]
56
…
lc并联谐振电路；
[0164]
71
…
第1高频电路；
[0165]
72
…
阻抗匹配电路；
[0166]
73
…
移相器；
[0167]
74
…
第2高频电路；
[0168]
100
…
层叠体；
[0169]
101
…
移相器；
[0170]
200
…
通信终端装置。