1.一种谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，包括功率放大管、谐波控制电路、输入匹配电路、输出匹配电路和封装基板，其中，所述输出匹配电路包括第一匹配支路和第二匹配支路；
所述输入匹配电路的一端与射频输入端连接；所述输入匹配电路的另一端与所述功率放大管的基极连接；
所述功率放大管的集电极经过所述第一匹配支路与电源电压连接，所述功率放大管的发射极与所述封装基板上的第一连接点连接；
所述功率放大管的集电极经过所述第二匹配支路与射频输出端连接；所述第二匹配支路与所述封装基板连接；
所述谐波控制电路的第一端与所述功率放大管的集电极连接，所述谐波控制电路的第二端与所述封装基板上的第二连接点连接；
所述封装基板包括多个平行设置的金属层，所述多个平行设置的金属层中距离所述功率放大管最远的金属层为第一金属层，所述第一金属层接地，相邻两个金属层之间设置有介质层，所述第一连接点与所述第一金属层连接，所述第一连接点和所述第二连接点位于多个所述金属层中的第二金属层上，且所述第一连接点与所述第二连接点相连，所述第二金属层为多个所述金属层中距离所述功率放大管最近的金属层；其中，所述第一连接点和所述第二连接点之间的距离小于目标距离。
2.根据权利要求1所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述谐波控制电路包括第一支路，所述第一支路包括第一电容和第一电感；其中，所述第一电容和所述第一电感串联。
3.根据权利要求2所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述谐波控制电路还包括至少一条第二支路，所述第二支路包括第二电容和第二电感；其中，所述第二电容和所述第二电感串联，每一所述第二支路与所述第一支路并联。
4.根据权利要求2或3所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述第一电容为可变电容。
5.根据权利要求1所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述第二匹配支路的一端与所述功率放大管的集电极连接，所述第二匹配支路的另一端与所述第一金属层上的第三连接点连接；所述输出匹配电路用于为所述功率放大管提供负载阻抗。
6.根据权利要求5所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述第一匹配支路包括电感，所述第一匹配支路用于为所述功率放大管供电。
7.根据权利要求6所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述第二匹配支路包括第三电感和第三电容，所述第三电感的一端与所述功率放大管的集电极连接，所述第三电感的另一端与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端与所述第三连接点连接。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述输出匹配电路还包括第三匹配支路，所述第三匹配支路包括第四电感和第四电容，所述第四电感的一端连接在所述第三电感和所述第三电容之间，所述第四电感的另一端与所述第四电容的一端连接，所述第四电容的另一端与所述第一金属层上的第四连接点连接。
9.根据权利要求1所述的谐波抑制的射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配电路设置在所述功率放大管的基极和所述射频输入端之间，所述输入匹配电路用于匹配元器件间的阻抗。