复位信号产生电路和微机电系统传感器的制作方法

本实用新型实施例涉及微机电系统技术领域，尤其涉及一种复位信号产生电路和微机电系统传感器。

背景技术：

微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，mems)，又称为微电子机械系统，随着mems惯性测量单元(inertialmeasurementunit，imu)慢慢进入消费级市场，各式基于mems传感器的产品向小型化方向发展。为提升mems传感器产品的用户体验，产品尺寸、产品性能、简约化操作、开关机、工作模式切换和复位的设计要求越来越高。

现有技术中，mems传感器中包括复位信号产生电路，该电路用于控制mems传感器的伺服电路中的数模转换器的工作时序，现有复位信号产生电路的设计存在诸多问题，例如，现有mems传感器的复位信号产生电路中，为得到延时较长的复位信号，需要设计多个延时单元，这样会额外增加mems传感器内部的芯片面积，不利于mems传感器的小型化设计。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供一种复位信号产生电路和微机电系统传感器，以实现产生设定脉冲延时时长及脉宽的复位信号，并缩减复位信号产生电路的尺寸。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种复位信号产生电路，包括：上电信号输入端、延时脉冲输出端、以及串联在所述上电信号输入端和所述延时脉冲输出端的n个延时模块，其中n为大于或等于1的整数；

所述延时模块包括依次串联连接的第一反相单元、延时控制电路和第二反相单元；

其中，n＝1时，所述第一反相单元的输入端与所述上电信号输入端电连接，所述第二反相单元的输出端与所述延时脉冲输出端电连接；

n≥2时，自所述上电信号输入端至所述延时脉冲输出端，第1个所述延时模块的所述第一反相单元的输入端与所述上电信号输入端电连接，第n个所述延时模块的所述第二反相单元的输出端与所述延时脉冲输出端电连接；第i个所述延时模块的第一反相单元的输入端与第i-1个所述延时模块的第二反相单元的输出端电连接，其中2≤i≤n；第j个所述延时模块的第二反相单元的输出端与第j+1个所述延时模块的第一反相单元的输入端电连接，其中1≤j≤n-1；

所述复位信号产生电路还包括控制模块，所述控制模块与所述延时控制电路连接，所述控制模块用于控制所述延时控制电路的工作状态。

可选地，所述第一反相单元包括第一反相器，所述第二反相单元包括第二反相器。

可选地，所述延时控制电路包括阻抗单元和充放电单元；所述延时控制电路的电路参数包括阻抗参数和充放电参数；

所述阻抗单元包括控制端、第一端和第二端，所述阻抗单元的控制端连接所述控制模块，所述阻抗单元的第一端连接所述第一反相器的输出端，所述阻抗单元的第二端连接所述第二反相器的输入端；

所述充放电单元包括第一端和第二端，所述充放电单元的第一端连接所述阻抗单元的第二端，所述充放电单元的第二端接地。

可选地，所述阻抗单元包括第一晶体管，所述充放电单元包括第一电容；所述阻抗参数包括所述第一晶体管的电阻值，所述充放电参数包括所述第一电容的电容值。

可选地，同一所述延时模块中，所述第二反相单元的输出端输出的脉冲信号宽度与第一乘积成正比，所述第一乘积为所述第一晶体管的电阻值与所述第一电容的电容值之积。

可选地，n≥2，所述复位信号产生电路还包括至少一个复位信号产生模块；

所述控制模块与所述上电信号输入端电连接，所述控制模块用于向所述上电信号输入端提供上电信号；

所述复位信号产生模块包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端和所述第二输入端连接不同所述延时模块的输出端，不同所述复位信号产生模块连接的所述延时模块的输出端不同，所述复位信号产生模块用于根据所述第一输入端和所述第二输入端输入的信号产生复位信号。

可选地，自所述上电信号输入端至所述延时脉冲输出端，所述复位信号产生模块的第一输入端连接第p个延时模块的输出端，所述复位信号产生模块的第二输入端连接第q个所述延时模块的输出端，其中1≤p≤q≤n。

可选地，n为偶数，所述复位信号产生模块的数量为n/2个；第m个所述复位信号产生模块的第一输入端连接第m个所述延时模块的输出端，第m个所述复位信号产生模块的第二输入端连接第(n-m+1)个所述延时模块的输出端；其中，1≤m≤n/2。

可选地，所述复位信号产生模块包括第三反相器和与门；

所述与门包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与门的第一输入端作为所述复位信号产生模块的第一输入端，所述第三反相器的输入端作为所述复位信号产生模块的第二输入端，所述第三反相器的输出端连接所述与门的第二输入端，所述与门的输出端作为所述复位信号产生模块的输出端。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种微机电系统传感器，包括如第一方面所述的复位信号产生电路。

本实用新型实施例的技术方案，设计延时模块包括第一反相单元、延时控制电路和第二反相单元，利用延时模块即可将脉冲信号形式的上电信号进行延时处理，并调节其脉宽，以得到延时脉冲信号。通过设置延时控制电路的电路参数即可设定延时脉冲信号的延时时长及脉冲宽度，一个延时模块即可作为产生延时脉冲信号的最小单元。相较于现有技术，本方案结构简单，无需设置多个延时单元及逻辑电路来产生设定延时时长及脉宽的延时脉冲信号。将本实用新型实施例提供的复位信号产生电路应用在mems传感器时，可解决现有复位电路占用芯片面积过大的问题，既可根据需要产生任意延时时长及脉宽的延时脉冲信号作为复位信号，同时又减小了复位信号产生电路占用的芯片面积，并降低了复位信号产生电路的复杂程度，有利于mems传感器小型化设计的实现。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种复位信号产生电路的模块结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图；

图5是本实用新型实施例提供的一种信号波形示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供了一种复位信号产生电路，图1是本实用新型实施例提供的一种复位信号产生电路的模块结构示意图，图2是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图，如图1和图2所示，复位信号产生电路包括：上电信号输入端a1、延时脉冲输出端a2、以及串联在上电信号输入端a1和延时脉冲输出端a2的n个延时模块10，其中n为大于或等于1的整数；延时模块10包括依次串联连接的第一反相单元11、延时控制电路12和第二反相单元13；复位信号产生电路还包括控制模块20，控制模块20与延时控制电路12连接，控制模块20用于控制延时控制电路12的工作状态。

参考图1，当n＝1时，第一反相单元11的输入端b1与上电信号输入端a1电连接，第二反相单元13的输出端c2与延时脉冲输出端a2电连接。结合图1和图2，当n≥2时，自上电信号输入端a1至延时脉冲输出端a2，第1个延时模块10的第一反相单元11的输入端b1与上电信号输入端a1电连接，第n个延时模块10的第二反相单元13的输出端c2与延时脉冲输出端a2电连接；第i个延时模块10的第一反相单元11的输入端b1与第i-1个延时模块10的第二反相单元13的输出端c2电连接，其中2≤i≤n；第j个延时模块10的第二反相单元13的输出端c2与第j+1个延时模块10的第一反相单元11的输入端b1电连接，其中1≤j≤n-1。

图1示意性地示出了复位信号产生电路包括1个延时模块10的情况，具体地，参考图1，该复位信号产生电路为上电复位电路，上电信号通过上电信号输入端a1输入复位信号产生电路，本实施例以及以下实施例中，均以上电信号是脉冲信号为例进行说明。第一反相单元11将其输入端b1输入的上电信号的相位反转180度后，通过输出端b2输出该信号，例如第一反相单元11将上电信号中的高电平信号反转为低电平信号，将上电信号中的低电平信号反转为高电平信号。控制模块20能够控制延时控制电路12的工作状态，如控制延时控制电路12导通或关断，当控制模块20控制延时控制电路12导通时，延时控制电路12可对第一反相单元11输出的脉冲信号进行延时处理，并调节脉冲信号的宽度，例如延时控制电路12可延迟脉冲信号中高低电平跳变的时刻，并改变脉冲的宽度后，将处理后的信号输出至第二反相单元13。第二反相单元13可将其输入端c1输入的信号的相位反转180度后，通过其输出端c2输出该信号。另外，第一反相单元11和第二反相单元13也对脉冲信号具有一定的延时作用。这样，脉冲信号形式的上电信号经过第一反相单元11、延时控制电路12和第二反相单元13，转换为一延时脉冲信号，该延时脉冲信号相较于上电信号，脉冲到来的时刻有所延迟，并且脉冲宽度不同，即复位信号产生电路通过延时模块10延迟了上电信号中脉冲到来的时刻，并调节了脉冲宽度。

图2示意性地示出了复位信号产生电路包含4个延时模块10的情况，结合图1和图2，复位信号产生电路的上电信号输入端a1输入上电信号，该上电信号依次经过4个延时模块10进行处理后转换为延时脉冲信号，并通过复位信号产生电路的延时脉冲输出端a2输出。其中，该复位信号产生电路中的每个延时模块10均可对其输入的脉冲信号进行延时处理，并调节其输出的脉冲信号的脉宽。通过设置各延时模块10中的延时控制电路12的电路参数，可使得延时控制电路12对脉冲信号进行延时调节的延时时长，以及脉宽调节的宽度相同，或者不同。这样，脉冲信号形式的上电信号经过4个延时模块10，转换为一延时脉冲信号，该延时脉冲信号相较于上电信号，脉冲到来的时刻有所延迟，并且脉冲宽度不同。并且，通过设置延时控制电路12的电路参数，针对同一上电信号，利用图2所示复位信号产生电路得到的延时脉冲信号，相较于利用图1所示复位信号产生电路得到的延时脉冲信号，两个延时脉冲信号中脉冲到来的时刻及其脉冲宽度可以相同，也可以不同。

本实施例提供的复位信号产生电路可应用在mems传感器中，例如应用在mems陀螺仪中，复位信号产生电路所产生的延时脉冲信号可作为复位信号，对mems陀螺仪中的功能模块进行复位，例如该复位信号产生电路所产生的延时脉冲信号可作为复位信号，控制mems陀螺仪的伺服电路中的数模转换器的工作时序。

现有技术中，为得到一延时脉冲信号形式的复位信号，需要在复位电路中级联多个反相器，利用多个反相器对脉冲信号进行延时，在此基础上，为得到任意脉宽的脉冲信号，还需要额外设计逻辑电路，通过逻辑电路调节脉冲信号的脉宽，多个反相器及逻辑电路占用芯片的面积较大，尤其是将该复位电路应用于mems传感器时，不利于mems传感器小型化设计的实现。本实施例的技术方案，设计延时模块10包括第一反相单元11、延时控制电路12和第二反相单元13，利用延时模块10即可将脉冲信号形式的上电信号进行延时处理，并调节其脉宽，以得到延时脉冲信号。通过设置延时控制电路12的电路参数即可设定延时脉冲信号的延时时长及脉冲宽度，一个延时模块10即可作为产生延时脉冲信号的最小单元。相较于现有技术，本方案结构简单，无需设置多个延时单元及逻辑电路来产生设定延时时长及脉宽的延时脉冲信号。将本实施例提供的复位信号产生电路应用在mems传感器时，可解决现有复位电路占用芯片面积过大的问题，既可根据需要产生任意延时时长及脉宽的延时脉冲信号作为复位信号，同时又减小了复位信号产生电路占用的芯片面积，并降低了复位信号产生电路的复杂程度，有利于mems传感器小型化设计的实现。

图3是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图，如图3所示，本实施例中，设置第一反相单元11包括第一反相器d1，第二反相单元13包括第二反相器d2。示例性地，脉冲信号形式的上电信号通过上电信号输入端a1输入复位信号产生电路，第一反相器d1可将上电信号的相位反转180度并输出至延时控制电路12，延时控制电路12可对相位反转后的上电信号中的脉冲进行延时处理，调节脉冲的宽度后，将处理后的上电信号输出至第二反相器d2，第二反相器d2可将处理后的上电信号的相位再次反转180度，并输出至延时脉冲输出端a2，以得到延时脉冲信号。第一反相器d1和第二反相器d2的组合，将上电信号的相位反转两次，在不改变上电信号的原始相位的同时，对上电信号中的脉冲起到了延时的作用。

参考图3，本实施例中，设置延时控制电路12包括阻抗单元121和充放电单元122；延时控制电路12的电路参数包括阻抗参数和充放电参数；阻抗单元121包括控制端、第一端和第二端，阻抗单元121的控制端连接控制模块20，阻抗单元121的第一端连接第一反相器的输出端，阻抗单元121的第二端连接第二反相器的输入端；充放电单元122包括第一端和第二端，充放电单元122的第一端连接阻抗单元121的第二端，充放电单元122的第二端接地。

示例性地，参考图3，脉冲信号形式的上电信号通过第一反相单元11进行反相处理后，输出至延时控制电路12，控制模块20可输出控制信号至阻抗单元121的控制端，以控制阻抗单元121导通，脉冲信号通过阻抗单元121输入充放电单元122和第二反相单元13，对充放电单元122进行充电，充放电单元122充电完毕后，还可向第二反相单元13释放电能，由于阻抗单元121还可对电流起到阻碍作用，因此，延迟了充放电单元122的充放电时间。阻抗单元121和充放电单元122的组合，对脉冲信号起到了延时的作用，并且充放电单元122的充放电时间，决定了脉冲信号的脉宽，因此，阻抗单元121的阻抗参数和充放电单元122的充放电参数决定了延时控制电路12对脉冲信号进行延时的延时时长，以及其所调节的脉冲信号的脉宽。预先选取合适阻抗参数的阻抗单元121，以及合适充放电参数的充放电单元122，即可通过复位信号产生电路对上电信号进行处理，产生所需延时时长及脉宽的延时脉冲信号作为复位信号。

继续参考图3，本实施例中，设置阻抗单元121包括第一晶体管t1，充放电单元122包括第一电容c1；阻抗参数包括第一晶体管t1的电阻值，充放电参数包括第一电容c1的电容值。示例性地，第一晶体管t1可以是金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，mosfet)，图3示出了第一晶体管t1为n沟道晶体管的情况，控制模块20向第一晶体管t1的栅极施加高电平的控制信号时，可控制第一晶体管t1导通。实际应用中，第一晶体管t1也可以是p沟道晶体管，本实施例对比不进行限制。第一晶体管t1具有电阻值，可以对其源极和漏极之间流过的电流起到一定的阻碍作用，并且相较于具有相同电阻值的电阻，第一晶体管t1不但具有同样的电阻值，而且第一晶体管t1的体积更小，有利于减小复位信号产生电路的体积。第一电容c1可以存储电荷，输入至第一电容c1的脉冲信号可对第一电容c1进行充电，第一电容c1充电完毕后进行放电。

示例性地，同一延时模块10中，第二反相单元13的输出端输出的脉冲信号宽度与第一乘积t成正比，第一乘积t为第一晶体管t1的电阻值r与第一电容c1的电容值c之积。具体地，第一晶体管t1和第一电容c1构成rc电路，第一反相单元11的输出端输出的脉冲信号，通过第一晶体管t1对第一电容c1进行充电，脉冲信号中的电平发生翻转时，第一电容c1充电完毕，并放电至第二反相单元13的输入端。第一晶体管t1和第一电容c1所构成的rc电路的充放电时间，决定了延时控制电路12对脉冲信号进行延时的延时时长，以及其所调节的脉冲信号的脉宽。第一电容c1的充放电速度，与第一晶体管t1的电阻值r及第一电容c1的电容值c有关，第一晶体管t1的电阻值r越大，对电流的阻碍作用越大，充放电过程越慢，反之越快，第一电容c1的电容值c越大，充放电过程越慢，反之越快，因此，第一乘积t＝rc的值越大，充放电时间越长，相应地，对脉冲信号的延时时长越长，脉冲信号的脉宽越宽。因此，在设计复位信号产生电路时，通过选取每个延时模块10中第一晶体管t1的电阻值r与第一电容c1的电容值c，即可决定复位信号产生电路输出的延时脉冲信号的延时时长及其脉冲宽度。

图4是本实用新型实施例提供的另一种复位信号产生电路的模块结构示意图，如图4所示，本实施例中，设置复位信号产生电路100中延时模块10的数量n≥2，复位信号产生电路100还包括至少一个复位信号产生模块30；控制模块20与上电信号输入端a1电连接，控制模块20用于向上电信号输入端a1提供上电信号in；复位信号产生模块30包括第一输入端d1、第二输入端d2和输出端d3，第一输入端d1和第二输入端d2连接不同延时模块10的输出端，不同复位信号产生模块30连接的延时模块10的输出端不同，复位信号产生模块30用于根据第一输入端d1和第二输入端输入d2的信号产生复位信号。

图4示意性地示出了复位信号产生电路100包括四个延时模块10，以及两个复位信号产生模块30的情况，本实施例以图4为例，对复位信号产生电路100进行说明。具体地，参考图4，该复位信号产生电路可产生两路不同的复位信号，每个复位信号产生模块30的输出端d3各输出一路复位信号。其中，每个复位信号产生模块30的第一输入端d1和第二输入端d2连接不同延时模块10的输出端，且不同复位信号产生模块30连接的延时模块10的输出端不同，以使每个复位信号产生模块30根据不同的输入信号输出不同的复位信号。

本实施例提供的复位信号产生电路，通过设置复位信号产生电路100中延时模块10和复位信号产生模块30的数量，以及各复位信号产生模块30对应连接的延时模块10中延时控制电路的电路参数，可产生对应于复位信号产生模块30数量的多路不同的复位信号，各复位信号产生模块30连接的延时模块10不同，复位信号产生模块30的不同输入端输入的延时脉冲信号也不同，这样，不同复位信号产生模块30根据不同延时脉冲信号产生的复位信号也不同，以得到不同延时时长及脉冲宽度的复位信号。将本实施例提供的复位信号产生电路应用于mems传感器时，例如应用在mems陀螺仪中，复位信号产生电路所产生的多路复位信号，对mems陀螺仪中的不同功能模块进行复位，以利用不同延时时长及脉冲宽度的复位信号分别控制不同功能模块的复位工作时序。

示例性地，参考图4，自上电信号输入端a1至延时脉冲输出端a2，复位信号产生模块30的第一输入端d1连接第p个延时模块10的输出端，复位模块的第二输入端连接第q个延时模块10的输出端，其中1≤p≤q≤n。具体地，当p＝1，q＝4时，如图4所示，一个复位信号产生模块30的第一输入端d1连接第1个延时模块10的输出端，第二输入端d2连接第4个延时模块10的输出端，由于延时模块10具有延时作用，因此，第1个延时模块10的输出端输出的延时脉冲信号s1，通过第2个至第4个延时模块10进行延时处理后，得到延时脉冲信号s2，延时脉冲信号s1和延时脉冲信号s2的延时时长不同，复位信号产生模块30可对延时脉冲信号s1和延时脉冲信号s2进行逻辑转换，以得到复位信号。

示例性地，参考图4，该复位信号产生电路100中，延时模块10的个数n为偶数，复位信号产生模块30的数量为n/2个；第m个复位信号产生模块30的第一输入端连接第m个延时模块10的输出端，第m个复位信号产生模块30的第二输入端连接第(n-m+1)个延时模块10的输出端；其中，1≤m≤n/2。

具体地，图4示出了延时模块10的个数n为4，复位信号产生模块30的数量为2的情况，其中，第一个复位信号产生模块30的第一输入端d1连接第1个延时模块10的输出端，第一个复位信号产生模块30的第二输入端d2连接第4个延时模块10的输出端，第二个复位信号产生模块30的第一输入端d1连接第2个延时模块10的输出端，第二个复位信号产生模块30的第二输入端d2连接第3个延时模块10的输出端。由于延时模块10具有延时及脉宽调节作用，因此，第1个延时模块10输出的延时脉冲信号s1，第2个延时模块10输出的延时脉冲信号s3，第3个延时模块10输出的延时脉冲信号s4，以及第4个延时模块10输出的延时脉冲信号s2的延时时长及脉宽均不相同。这样，第一个复位信号产生模块30根据延时脉冲信号s1和延时脉冲信号s2进行逻辑转换，得到的复位信号a，和第二个复位信号产生模块30根据延时脉冲信号s3和延时脉冲信号s4进行逻辑转换，得到的复位信号b，二者的延时时长及脉宽不同，得到了两个不同的复位信号。需要通过复位信号产生电路产生更多路不同的复位信号时，设置延时模块10的个数n，以及复位信号产生模块30的数量n/2，将各复位信号产生模块30的输入端与不同延时模块10的输出端对应连接，并设置各延时模块10中延时控制电路的电路参数，即可得到n/2个脉冲的延时时长及脉宽不同的复位信号。

继续参考图4，示例性地，设置复位信号产生模块30包括第三反相器d3和与门m1；与门m1包括第一输入端、第二输入端和输出端，与门m1的第一输入端作为复位信号产生模块30的第一输入端d1，第三反相器d3的输入端作为复位信号产生模块30的第二输入端d2，第三反相器d3的输出端连接与门m1的第二输入端，与门m1的输出端作为复位信号产生模块30的输出端d3。

图5是本实用新型实施例提供的一种信号波形示意图，图5示意性地示出了图4所示复位信号产生电路中各模块所产生的信号的一种情况。结合图4和图5，对图4所示复位信号产生电路的工作原理进行说明。示例性地，控制模块20向复位信号产生电路的上电信号输入端a1输入脉冲信号形式的上电信号in，第1个延时模块10对上电信号in进行延时处理，并调节上电信号in的脉冲宽度，得到延时脉冲信号s1，并将该信号输出至第2个延时模块10。第2个延时模块10对延时脉冲信号s1进行延时处理，并调节延时脉冲信号s1的脉冲宽度，得到延时脉冲信号s3，并将该信号输出至第3个延时模块10。第3个延时模块10对延时脉冲信号s3进行延时处理，并调节延时脉冲信号s3的脉冲宽度，得到延时脉冲信号s4，并将该信号输出至第4个延时模块10。第4个延时模块10对延时脉冲信号s4进行延时处理，并调节延时脉冲信号s4的脉冲宽度，得到延时脉冲信号s2。

在第一个复位信号产生模块30中，复位信号产生模块30的第一输入端输入延时脉冲信号s1，第二输入端输入延时脉冲信号s2，第三反相器d3将延时脉冲信号s2的相位反转180度，得到延时脉冲信号s2_b。与门m1根据其第一输入端输入的延时脉冲信号s1，及其第二输入端输入的延时脉冲信号s2_b进行逻辑处理，通过其输出端输出复位信号a。在第二个复位信号产生模块30中，复位信号产生模块30的第一输入端输入延时脉冲信号s3，第二输入端输入延时脉冲信号s4，第三反相器d3将延时脉冲信号s4的相位反转180度，得到延时脉冲信号s4_b。与门m1根据其第一输入端输入的延时脉冲信号s3，及其第二输入端输入的延时脉冲信号s4_b进行逻辑处理，通过其输出端输出复位信号b。由于延时脉冲信号s1至延时脉冲信号s4的脉冲延时时长及脉宽均不相同，可以看出第一个复位信号产生模块30产生的复位信号a，以及第二个复位信号产生模块30产生的复位信号b，二者的脉冲延时时长及脉宽也不同，将本实施例提供的复位信号产生电路应用于mems传感器时，可利用复位信号a及复位信号b分别控制mems传感器中不同功能模块的复位工作时序。

本实用新型实施例还提供了一种微机电系统传感器。参考图1，本实用新型实施例所提供的微机电系统传感器，包括本实用新型任意实施例所提供的复位信号产生电路。该微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，mems)传感器，可以是mems陀螺仪，通过复位信号产生电路产生的复位信号，可对mems陀螺仪的伺服电路中的数模转换器进行复位，如控制数模转换器的工作时序，在对伺服电路中的数模转换器进行复位时，可保证mems陀螺仪的伺服电路的输出在没有角速度输入时保持恒定，避免受到外界环境的影响而发生变化。

本实用新型实施例所提供的微机电系统传感器，包括本实用新型任意实施例所提供的复位信号产生电路，因而具有复位信号产生电路相应的功能模块和有益效果，这里不再赘述。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。