一种开关控制电路的制作方法

本实用新型涉及控制电路技术领域，具体涉及一种开关控制电路。

背景技术：

为确保电子产品稳定可靠工作，在电子产品设计中，常用的一种必不可少的核心元器件就是mos管。mos管最显著的特性就是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源、马达驱动、照明调光等控制电路。

针对两轮电动车行业里使用的pmos管驱动电路打开、关断速度过慢容易造成更多的开关损耗。目前针对pmos管的开关控制电路如图1所示，其在pmos管与控制信号端连接了一个npn三极管，通过输入的控制信号改变pmos管的栅极电压，以实现对pmos管的打开与关断的控制。

该电路的缺陷是，不能将实现快速打开、关断pmos管，会造成更多的开关损耗。如图1所示，现有的电路中的栅极电阻r28为100kω，造成电路的时间常数大，pmos管的打开、关断较慢。

因此目前亟需一种能够实现快速开关且能降低开关损耗的开关控制电路。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种开关控制电路，能够实现pmos管的快速打开、关断，能够有效的降低开关损耗。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种开关控制电路，电路包括：直流输入电源vcc、存储电容、稳压管d1、第一npn三极管q1、第二npn三极管q2、pnp三极管q3、第一电阻r1、第二电阻r2、第六电阻r6、输入电阻r3、接地电阻r45以及pmos管q5。

储存电容的第一端、稳压管d1的负极、第一npn三极管q1的集电极、第一电阻r1的第一端与pmos管q5的源极皆接入直流输入电源vcc的输入端。

第一npn三极管q1的发射极与pnp型三极管q3的发射极相连，并且通过第六电阻r6与pmos管q5的栅极相连。

储存电容的第二端、稳压管d1的正极、pnp型三极管q3的集电极皆通过第二电阻r2接地。

第一npn三极管的基极与pnp三极管q3的基极、第一电阻r1的第二端、第二npn三极管q2的集电极相连；第二npn三极管q2的发射极接地。

pmos管q5的漏极连接负载电路。

进一步的，储存电容包括第一电容c1，第二电容c2；其中第一电容c1和第二电容c2并联作为存储电容。

进一步的，第一电容c1取47μf，额定电压为100v；第二电容c2取0.01μf，额定电压为100v。

进一步的，稳压管d1为稳压值19v的单管齐纳二极管。

进一步的，pmos管q5选用nce01p30k。

进一步的，接地电阻r45由串联的第四电阻r4和第五电阻r5组成，其中第四电阻r4和第五电阻r5均取2.2kω。

进一步的，第一npn三极管q1和第二npn三极管q2均选取mmbt5551lt1g，pnp三极管q3选取mmss8550。

进一步的，第一电阻r1取10kω，第六电阻r6取33kω。

有益效果：

本实用新型电路利用改变栅极电阻值改变了电路的时间常数，实现了快速打开、关断pmos管电路，可以减小每次开关时的损耗；在电路中采用了稳压管、电阻、三极管等基本元器件，降低了设计成本，提高了电路性能。

附图说明

图1为现有pmos管开关电路。

图2为本实用新型实施例提供的一种pmos管开关控制电路。

具体实施方式

下面结合附图并举实施例，对本实用新型进行详细描述。

本实用新型提供了一种开关控制电路，其中存储电路可以直接用一个电容来实现，该电容的取值可以依经验获取。本实用新型提供的一种开关控制电路，其电路组成如图2所示。在图2所示的改进电路中，栅极电阻r6为33ω，电阻大小相差3000多倍，改变电路的时间常数，因此图2电路中的pmos管打开、关断的速度比原先要快，开关损耗变小。

一种开关控制电路，电路包括：直流输入电源vcc、存储电容、稳压管d1、第一npn三极管q1、第二npn三极管q2、pnp三极管q3、第一电阻r1、第二电阻r2、第六电阻r6、输入电阻r3、接地电阻r45以及pmos管q5。

储存电容的第一端、稳压管d1的负极、第一npn三极管q1的集电极、第一电阻r1的第一端与pmos管q5的源极皆接入所述直流输入电源vcc的输入端。

第一npn三极管q1的发射极与pnp型三极管q3的发射极相连，并且通过第六电阻r6与pmos管q5的栅极相连。

储存电容的第二端、稳压管d1的正极、pnp型三极管q3的集电极皆通过第二电阻r2接地。

第一npn三极管的基极与pnp三极管q3的基极、第一电阻r1的第二端、第二npn三极管q2的集电极相连，第二npn三极管q2的发射极接地。

pmos管q5的漏极连接负载电路。

本实用新型的实施例中，储存电容包括第一电容c1，第二电容c2；其中第一电容c1和第二电容c2并联作为存储电容。

本实用新型的实施例中，第一电容c1取47μf，额定电压为100v；第二电容c2取0.01μf，额定电压为100v。

本实用新型的实施例中，稳压管d1为稳压值19v的单管齐纳二极管；在本实用新型的实际应用中，也可以根据需要进行稳压管d1的选型。

本实用新型的实施例中，pmos管q5选用nce01p30k。

本实用新型的实施例中，接地电阻r45由串联的第四电阻r4和第五电阻r5组成，其中第四电阻r4和第五电阻r5均取2.2kω。

本实用新型的实施例中，第一npn三极管q1和第二npn三极管q2均选取mmbt5551lt1g。

本实用新型的实施例中，pnp三极管q3选取mmss8550。

本实用新型的实施例中，第一电阻r1取10kω，第六电阻r6取33kω。

本实用新型所提供的电路，其开关控制原理为：

当按如图2所示搭建电路，vcc为48v直流输入电源，pmos管选用nce01p30k，d1为稳压值19v的单管齐纳二极管，当控制引脚output引脚输出高电平时，第二npn三极管q2导通，第一npn三极管q1与pnp三极管q3基极迅速被拉低为低电平，q1三极管截止，q3三极管导通，此时pmos管栅极电压通过电阻r2对地快速放电，实现pmos管vgs驱动电压小于一定的值，从而导致pmos管快速打开，降低了开关损耗；当控制引脚output引脚输出低电平时，npn三极管q2截止，第一npn三极管q1与pnp三极管q3基极迅速被抬为高电平，因此q1三极管导通，q3三极管截止，此时pmos管栅极电压为高压状态，pmos管vgs驱动电压约为0v，实现了pmos管快速关断，从另一角度有效的降低开关损耗。

所以，在pmos管驱动电路中，为了通过降低pmos管开关损耗，本专利设计了一种简单方便快捷的新型控制pmos管驱动电路，本电路方法简单，实用性较强。

综上所述，以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。