技术特征：
1.一种差分转阻抗放大器，包含：一第一差分对，包含一第一nmos晶体管及一第二nmos晶体管；一第二差分对，包含一第一pmos晶体管及一第二pmos晶体管；一第一电容器；一第二电容器；一第三电容器；一第四电容器；一第五电容器；一第六电容器；一第一偏压网络；一第二偏压网络；一第三偏压网络；一第四偏压网络；一第一负载网络；一第二负载网络；一第三负载网络；以及一第四负载网络；其中，该第一nmos晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到一第一输入节点、一第一栅极节点及一第一输出节点；该第二nmos晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到一第二输入节点、一第二栅极节点及一第二输出节点；该第一pmos晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到该第一输入节点、一第三栅极节点及一第三输出节点；该第二pmos晶体管的一源极、一栅极及一漏极分别连接到该第二输入节点、一第四栅极节点及一第四输出节点；该第一电容器将该第一栅极节点耦接到该第二输入节点；该第二电容器将该第二栅极节点耦接到该第一输入节点；该第三电容器将该第三栅极节点耦接到该第二输入节点；该第四电容器将该第四栅极节点耦接到该第一输入节点；该第五电容器将该第一输出节点耦接到该第三输出节点；该第六电容器将该第二输出节点耦接到该第四输出节点；该第一偏压网络在该第一栅极节点建立一第一直流偏压；该第二偏压网络在该第二栅极节点建立一第二直流偏压；该第三偏压网络在该第三栅极节点建立一第三直流偏压；该第四偏压网络在该第四栅极节点建立一第四直流偏压；该第一负载网络在一电源节点与该第一输出节点之间提供直流耦合；该第二负载网络在该电源节点与该第二输出节点之间提供直流耦合；该第三负载网络在一接地节点与该第三输出节点之间提供直流耦合；以及该第四负载网络在该接地节点与该第四输出节点之间提供直流耦合。2.如权利要求1所述的差分转阻抗放大器，其中，一第一电流是在该第一输入节点被接收，一第二电流是在该第二输入节点被接收，并且该第一电流及该第二电流具有相同的振幅和频率，但是相位相反。3.如权利要求1所述的差分转阻抗放大器，进一步包含一输出组合网络，该输出组合网络被配置为在该第一输出节点接收一第一输出电压、在该第二输出节点接收一第二输出电压、在该第三输出节点接收一第三输出电压，以及在该第四输出节点接收一第四输出电压，并且输出一第一合并输出电压及一第二合并输出电压。4.如权利要求1所述的差分转阻抗放大器，其中，该第一偏压网络包含将该第一栅极节点耦接到一第一偏压电压的一第一栅极电阻器，该第二偏压网络包含将该第二栅极节点耦接到一第二偏压电压的一第二栅极电阻器，该第三偏压网络包含将该第三栅极节点耦接到一第三偏压电压的一第三栅极电阻器，并且该第四偏压网络包含将该第四栅极节点耦接到一第四偏压电压的一第四栅极电阻器。
5.如权利要求1所述的差分转阻抗放大器，其中，该第一负载网络包含将该第一输出节点耦接到该电源节点的一第一漏极电阻器；该第二负载网络包含将该第二输出节点耦接到该电源节点的一第二漏极电阻器；该第三负载网络包含将该第三输出节点耦接到该接地节点的一第三漏极电阻器；以及该第四负载网络包含将该第四输出节点耦接到该电源节点的一第四漏极电阻器。6.一种差分转阻抗放大器，包含：一第一对共栅极放大器，包含一第一nmos晶体管及一第二nmos晶体管，该第一nmos晶体管及该第二nmos晶体管通过一第一电容器和一第二电容器配置成交叉耦合拓扑；一第二对共栅极放大器，包含一第一pmos晶体管及一第二pmos晶体管，该第一pmos晶体管及该第二pmos晶体管通过一第三电容器和一第四电容器配置成交叉耦合拓扑，其中该第一对共栅极放大器的一输出及该第二对共栅极放大器的一输出通过一第五电容器及一第六电容器耦合。7.如权利要求6所述的差分转阻抗放大器，还包含：一第一偏压网络及一第二偏压网络，该第一偏压网络及该第二偏压网络被配置为分别为该第一nmos晶体管及该第二nmos晶体管建立一偏压；以及一第三偏压网络及一第四偏压网络，该第三偏压网络及该第四偏压网络被配置为分别为该第一pmos晶体管及该第二pmos晶体管建立一偏压。8.如权利要求6所述的差分转阻抗放大器，还包含：一第一负载网络及一第二负载网络，该第一负载网络及该第二负载网络被配置为分别提供从一电源节点到该第一nmos晶体管及该第二nmos晶体管的直流耦合；以及一第三负载网络和一第四负载网络，该第三负载网络及该第四负载网络被配置为分别提供从一接地节点到该第一pmos晶体管及该第二pmos晶体管的直流耦合。9.如权利要求6所述的差分转阻抗放大器，其中，一第一电流被该第一nmos晶体管及该第一pmos晶体管接收，一第二电流被该第二nmos晶体管及该第二pmos晶体管接收，并且该第一电流及该第二电流具有相同的振幅和频率，但是相位相反。10.如权利要求6所述的差分转阻抗放大器，还包含一输出组合网络，该输出组合网络被配置为将该第一对共栅极放大器的该输出与该第二对共栅极放大器的该输出合并。
技术总结
本申请涉及一种差分转阻抗放大器及其方法。所述差分转阻抗放大器包含：一第一对共栅极放大器，该第一对共栅极放大器包含通过一第一电容器及一第二电容器配置成交叉耦合拓扑的一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管；以及一第二对共栅极放大器，该第二对共栅极放大器包含通过一第三电容器及一第四电容器配置成交叉耦合拓扑的一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管。该第一对共栅极放大器的输出及该第二对共栅极放大器的输出通过一第五电容器及一第六电容器耦合。及一第六电容器耦合。及一第六电容器耦合。
技术研发人员：林嘉亮
受保护的技术使用者：瑞昱半导体股份有限公司
技术研发日：2021.03.03
技术公布日：2022/2/28