电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法与流程

1.本技术实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法。


背景技术：

2.芯片在制作完成后，一般需要进行封装制程，以对芯片进行封装。相关技术中，封装结构包括基底以及设置在基底上的焊接部，基底表面还覆盖有阻焊层，阻焊层设置有用于容置多个焊接部的凹槽，焊接部通过焊料与芯片的引脚连接。
3.然而，基底与芯片之间填充有非导电胶，非导电胶在注入阻焊层的凹槽时，容易产生空隙，导致产品可靠性降低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中基底与芯片间易产生空隙的问题。
5.一方面，本技术实施例提供一种电路板结构，包括：
6.基底，所述基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接的第一焊接部，所述接合面上还覆盖有第一阻焊层，所述第一阻焊层上具有第一凹槽，所述第一焊接部位于所述第一凹槽内，且所述第一焊接部填充满所述第一凹槽。
7.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部远离所述基底的一端与所述第一阻焊层远离所述基底的侧面平齐。
8.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部远离所述基底的一端伸出至所述第一凹槽外，且所述第一焊接部远离所述基底的一端与所述第一阻焊层远离所述基底的侧面之间具有预设距离。
9.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部为多个，多个所述第一焊接部间隔的设置；所述第一阻焊层具有多个所述第一凹槽，每一所述第一焊接部位于一个所述第一凹槽内。
10.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部包括第一焊接层和第二焊接层，所述第二焊接层覆盖在所述第一焊接层上，所述第一焊接层位于所述第二焊接层与所述接合面之间；所述第二焊接层的热膨胀系数小于所述第一焊接部的热膨胀系数。
11.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部包括第一焊接层和第二焊接层，所述第二焊接层覆盖在所述第一焊接层上，所述第一焊接层位于所述第二焊接层与所述接合面之间；所述第二焊接层的材质与所述接触部的材质相同。
12.在一种可实现的方式中，所述基底背离所述接合面的一侧还覆盖有第二阻焊层，所述第二阻焊层具有第二凹槽，所述基底上还设置有第二焊接部，所述第二焊接部填充在所述第二凹槽内。
13.另一方面，本技术实施例还提供一种半导体结构，包括芯片结构以及上述的电路
板结构，所述芯片结构与所述电路板结构层叠设置，所述芯片结构具有用于与所述电路板结构的第一焊接部连接的接触部。
14.在一种可实现的方式中，所述芯片结构和所述基底之间填充有填充层。
15.在一种可实现的方式中，所述芯片结构包括：
16.芯片本体，层叠的设置在所述芯片本体靠近所述电路板结构的侧面上的绝缘层和导线层，所述导线层位于所述芯片本体和所述绝缘层之间；所述导线层与所述接触部连接。
17.再一方面，本技术实施例还提供一种半导体结构的制作方法，包括：
18.提供基底和芯片结构，所述基底上具有第一焊接层，所述芯片结构上具有接触部；
19.在所述基底上形成第一阻焊层，所述第一阻焊层具有第一凹槽，所述第一焊接层远离所述基底的一端被所述第一凹槽暴露；
20.在所述第一凹槽内形成第二焊接层，所述第一焊接层和所述第二焊接层构成第一焊接部，所述第一焊接部填充满所述第一凹槽；
21.将所述芯片结构与所述基底贴合，使所述接触部与所述第一焊接部接合；
22.在所述芯片结构和所述基底之间填充填充层。
23.在一种可实现的方式中，在所述基底上形成所述第一阻焊层包括：
24.形成阻焊材料，所述阻焊材料覆盖所述基底和所述第一焊接层；
25.去除覆盖在所述第一焊接层上的所述阻焊材料，以形成所述第一凹槽。
26.在一种可实现的方式中，去除覆盖在所述第一焊接层上的所述阻焊材料，以形成所述第一凹槽包括：
27.在所述阻焊材料上形成掩膜层，所述掩膜层上具有蚀刻孔；
28.以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述阻焊材料，以去除所述蚀刻孔对应的所述阻焊材料，形成所述第一凹槽。
29.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部与所述第一焊接层的材质相同。
30.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部靠近所述芯片结构的一端与所述第一阻焊层靠近所述芯片结构的侧面平齐。
31.在一种可实现的方式中，所述第一焊接部靠近所述芯片结构的一端伸出至所述第一凹槽外，且所述第一焊接部靠近所述芯片结构的一端与所述第一阻焊层靠近所述芯片的侧面之间具有预设距离。
32.在一种可实现的方式中，使所述接触部与所述第一焊接部接合包括：
33.在所述接触部和所述第一焊接部之间焊接。
34.本技术实施例提供的电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法，具体包括：基底，基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接的第一焊接部，接合面上还覆盖有第一阻焊层，第一阻焊层上具有第一凹槽，第一焊接部位于第一凹槽内，且第一焊接部填充满第一凹槽。由于第一凹槽内充满第一焊接部，后续在基底上形成填充层时，填充层无法进入第一凹槽内，进而避免填充层在第一凹槽内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
附图说明
35.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为相关技术中半导体结构的剖视图；
37.图2为本技术实施例提供的一种电路板结构的剖视图一；
38.图3为本技术实施例提供的一种电路板结构的剖视图二；
39.图4为本技术实施例提供的一种半导体结构的剖视图一；
40.图5为本技术实施例提供的一种半导体结构的剖视图二；
41.图6为本技术实施例提供的一种半导体结构的制作方法的流程示意图；
42.图7为本技术实施例提供的一种在基底上形成第一阻焊层和第二阻焊层的剖视图；
43.图8为本技术实施例提供的一种形成第一焊接部的剖视图一；
44.图9为本技术实施例提供的一种形成第一焊接部的剖视图二。
45.附图标记说明：
46.相关半导体结构：
47.11、引脚；20、基底；21、焊接部；22、阻焊层；30、非导电胶；
48.本实施例半导体结构：
49.41、基底；411、接合面；42、第一焊接部、421、第一焊接层；422、第二焊接层；43、第一阻焊层；44、第二阻焊层；451、第二焊接部；
50.50、芯片结构；52、接触部；521、焊料；53、第一绝缘层；54、第二绝缘层；55、芯片本体；
51.60、填充层；
52.71、第一凹槽；72、第二凹槽。
具体实施方式
53.为了清楚理解本技术的技术方案，首先对相关技术的方案进行详细介绍。
54.如图1所示，相关技术的封装结构包括基底20，以及用于与芯片引脚11连接的焊接部21，焊接部21设置在基底20上，基底20表面还覆盖有阻焊层22，阻焊层22设置有用于容置多个焊接部21的凹槽，焊接部21通过焊锡与芯片的引脚11连接。为提高基底20与芯片的连接强度，基底20与芯片之间还填充有非导电胶30。然而，非导电胶30在注入阻焊层22的凹槽时，不易将凹槽完全填充，这就导致非导电胶30在凹槽内产生空隙，进而使得导致产品可靠性降低。
55.针对上述问题，本技术实施例提供一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法，使焊接部填充满阻焊层的凹槽内，从而在填充非导电胶时，防止非导电胶进入阻焊层的凹槽内，进而避免非导电胶在凹槽内产生空隙。
56.为了使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本申
请保护的范围。
57.如图2和图3所示，本技术实施提供的电路板结构包括基底41。
58.本实施例中，基底41的材质可以包括硅、树脂、氧化硅、玻璃等。基底41具有接合面411，接合面411上设置有用于与元器件连接的第一焊接部42，示例性的，图2中的基底41的上表面即为接合面411。本实施例中，参照图4和图5，可以通过焊料521将第一焊接部42与元器件的接触部52焊接在一起，具体的，焊料521的材质例如可以包括锡、铜、银等，元器件例如可以为芯片结构50，芯片结构50的接触部52例如可以为芯片的引脚。
59.接合面411上还覆盖有第一阻焊层43，第一阻焊层43能够防止湿气、异物以及电解质使基底41氧化，还能够使基底41免受机械损伤，并且还有利于防止焊接时桥接短路。第一阻焊层43上具有第一凹槽71，第一焊接部42位于第一凹槽71内，且第一焊接部42填充满第一凹槽71，以便防止第一凹槽71内填充其他物质。在一种可能的实现方式中，第一阻焊层43的材质可以包括油墨、硬化剂、环氧树脂等。
60.需要说明的是，继续参照图4和图5，在基底41与元器件连接以后，为了密封基底41与元器件之间的缝隙，通常在基底41与元器件之间填充填充层60，以避免微小电路暴露在外部环境中。填充层60的材质可以包括非导电胶或非导电膜。
61.本技术实施例提供的半导体结构具体包括：基底41的接合面411上设置有用于与元器件的接触部52连接的第一焊接部42，接合面411上还覆盖有第一阻焊层43，第一阻焊层43上具有第一凹槽71，第一焊接部42位于第一凹槽71内，且第一焊接部42填充满第一凹槽71。由于第一凹槽71内充满第一焊接部42，后续在基底41形成填充层60时，填充层60无法进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
62.在一种可能的实现方式中，第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面平齐。示例性的，如图2所示，第一焊接部42与第一凹槽71的侧壁与槽底完全贴合，第一焊接部42沿垂直接合面411方向的宽度与第一阻焊层43沿垂直接合面411方向的宽度相等，使得第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面平齐，以使在元器件和基底41之间填充填充层60时，填充层60无法填充进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
63.在另一种可能的实现方式中，第一焊接部42远离基底41的一端伸出至第一凹槽71外，且第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面之间具有预设距离。示例性的，如图3所示，第一焊接部42与第一凹槽71的侧壁与槽底完全贴合，第一焊接部42沿垂直接合面411方向的宽度大于第一阻焊层43沿垂直接合面411方向的宽度，使得第一焊接部42远离基底41的一端伸出至第一凹槽71外。如图所示，第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面之间具有预设距离l1，进一步的，预设距离l1的范围可以为0.1μm-0.5μm，预设距离l1例如可以为0.1μm、0.3μm或者0.5μm，以便填充层60无法填充进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
64.可选的，在上述两种可能的实现方式中，第一焊接部42为多个，多个第一焊接部42间隔的设置，相应的，元器件中设置有多个相配合的接触部52，接触部52与配合的第一焊接部42相对设置，以便进一步提高元器件与基底41的连接强度。第一阻焊层43具有多个第一
凹槽71，每一第一焊接部42位于一个第一凹槽71内。示例性的，参照图2和图3，第一阻焊层43可以设置有两个第一凹槽71，每一焊接部均充满其对应的第一凹槽71内，以便填充层60无法填充进入每一第一凹槽71内，进而进一步避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而进一步提高了电路板结构的可靠性。
65.可选的，第一焊接部42包括第一焊接层421和第二焊接层422，第二焊接层422覆盖在第一焊接层421上，第一焊接层421位于第二焊接层422与接合面411之间；第二焊接层422的材质与接触部52的材质相同。示例性的，第二焊接层422位于第一焊接部42远离基底41的一端，也即，第二焊接层422靠近接触部52，由于第二焊接层422的材质与接触部52的材质相同，在使用焊料521焊接时，有利于提高第二焊接层422与接触部52的连接强度，进而提高电路板结构的可靠性。
66.可选的，在第一焊接部42为多个的实施例中，第一焊接部42包括第一焊接层421和第二焊接层422，第二焊接层422覆盖在第一焊接层421上，第一焊接层421位于第二焊接层422与接合面411之间；第二焊接层422的热膨胀系数小于的第一焊接层421热膨胀系数。示例性的，第二焊接层422位于第一焊接部42远离基底41的一端，也即，第二焊接层422靠近接触部52，由于第二焊接层422的热膨胀系数小于第一焊接层421的热膨胀系数，在焊接第一焊接层421与接触部52时，能够避免相邻的第一焊接部42的焊料521接触，进而能够避免电路板结构发生短接。
67.需要说明的是，第一焊接部42还可以包括两个以上的多个焊接层，本实施例对其不做限定。
68.值得说明的是，基底41背离元器件的一侧还覆盖有第二阻焊层44，第二阻焊层44与第一阻焊层43的材质相同，第一阻焊层43能够防止湿气、异物以及电解质使基底41氧化，还能够使基底41免受机械损伤，并且还有利于防止焊接时桥接短路。第二阻焊层44具有第二凹槽72，基底41上还设置有第二焊接部451，第二焊接部451填充在第二凹槽72内。基底41内部还设置有导电层，第一焊接部42与第二焊接部451分别设置在导电层的两侧，以便将第一焊接部42与第二焊接部451连接起来。第二焊接部451用于与外部器件焊接，以便通过第二焊接部451将元器件与外部器件电连接。
69.本技术另一实施例还提供一种半导体结构，继续参照图4和图5，半导体结构包括芯片结构50以及上述实施例中的电路板结构，芯片结构50与基底41层叠设置，芯片结构50具有接触部52，接触部52用于与电路板结构中的第一焊接部42连接。
70.芯片结构50可以包括芯片本体55，芯片本体55靠近基底41的一侧设置有接触部52，接触部52通过焊料521与基底41连接，以便将芯片结构50与基底41进行电连接。示例性的，接触部52与焊料521共同构成凸出于芯片本体55的块状结构。具体的，焊料521的材质例如可以包括锡、铜、银等。
71.可选的，芯片结构50和基底41之间填充有填充层60，以便提高芯片结构50和基底41之间的连接强度，并防止芯片结构50和基底41之间进入水汽。由于第一焊接部42填充满第一凹槽71，填充层60无法填充第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内出现空隙，从而提高了半导体结构的可靠性。需要说明的是，填充层60的材质可以包括非导电胶或非导电膜。
72.本实施例提供的半导体结构包括芯片结构50和电路板结构，电路板结构中，基底
41的接合面411上设置有用于与接触部52连接的第一焊接部42，接合面411上还覆盖有第一阻焊层43，第一阻焊层43上具有第一凹槽71，第一焊接部42位于第一凹槽71内，且第一焊接部42填充满第一凹槽71。由于第一凹槽71内充满第一焊接部42，后续在基底41形成填充层时，填充层无法进入第一凹槽71内，进而避免填充层在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
73.可选的，芯片本体55靠近基底41的侧面上还层叠设置有第一绝缘层53和第二绝缘层54。其中，第一绝缘层53位于芯片本体55和第二绝缘层54之间。示例性的，第一绝缘层53的材质可以包括二氧化硅、氮化硅等，以便第一绝缘层53可以将芯片本体55密封，从而保护微小电路免受刮擦、污染等，第二绝缘层54的材质可以包括聚酰亚胺等，以便第二绝缘层54的材质可以起到绝缘和应力缓冲的作用。
74.基于上述的实施例的半导体结构，本技术再一实施例还提供一种半导体结构的制作方法，采用该半导体结构的制作方法能够制作上述的半导体结构。
75.如图6所示，本技术实施例提供的半导体结构的制作方法具体包括：
76.步骤s101、提供基底和芯片结构，基底上具有第一焊接层，芯片结构上具有接触部。
77.参照图4和图5，芯片结构50可以包括芯片本体55，芯片本体55靠近基底41的一侧设置有接触部52，接触部52用于与基底41连接，以便将芯片结构50连接到外部的封装结构上。
78.可选的，芯片本体55靠近基底41的侧面上还层叠设置有第一绝缘层53和第二绝缘层54。其中，第一绝缘层53位于芯片本体55和第二绝缘层54之间。示例性的，第一绝缘层53的材质可以包括二氧化硅、氮化硅等，以便第一绝缘层53可以将芯片本体55密封，从而保护微小电路免受刮擦、污染等，第二绝缘层54的材质可以包括聚酰亚胺等，以便第二绝缘层54的材质可以起到绝缘和应力缓冲的作用。
79.基底41与芯片结构50层叠设置，基底41的材质包括硅、树脂、氧化硅、玻璃等。本实施例中，基底41上可以具有多个第一焊接层421，第一焊接层421可以间隔的设置在基底41上。
80.步骤s102、在基底上形成第一阻焊层，第一阻焊层具有第一凹槽，第一焊接层远离基底的一端被第一凹槽暴露。
81.第一阻焊层43能够防止湿气、异物以及电解质使基底41氧化，还能够使基底41免受机械损伤，并且还有利于防止焊接时桥接短路。
82.示例性的，参照图7，第一焊接层421设置在第一凹槽71内，第一焊接层421与第一凹槽71的槽底与部分侧壁贴合，第一焊接层421远离基底41的一端从第一凹槽71的开口中暴露出来，以便后续在第一凹槽71内继续形成第一焊接部42。
83.步骤s103、在第一凹槽内形成第二焊接层，第一焊接层和第二焊接层构成第一焊接部，第一焊接部填充满第一凹槽。
84.可选的，第二焊接层422与第一焊接层421的材质可以相同，以便第一焊接层421与第二焊接层422能够形成一体结构的第一焊接部42，共同构成与接触部52连接的引出端。在一种可能的实现方式中，可以以第一焊接层421为电极通过电镀的方式形成第二焊接层422，有利于提高半导体结构的制作效率，降低半导体结构的制作成本。
85.本实施例中，基底41靠近芯片结构50的一面为接合面411，接合面411上具有用于与接触部52连接的第一焊接部42，以便通过接触部52与第一焊接部42将芯片结构50和基底41连接起来。第一焊接部42位于第一凹槽71内，且第一焊接部42填充满第一凹槽71，以便防止第一凹槽71内填充其他物质。
86.可选的，第一凹槽71可以为多个，多个第一凹槽71间隔的设置，每个第一凹槽71内均形成有一个第一焊接部42，相应的，芯片结构50中设置有多个相配合的接触部52，接触部52与配合的第一焊接部42相对设置，以便进一步提高芯片结构50与基底41的连接强度。示例性的，参照图7，第一阻焊层43可以设置有两个第一凹槽71，每一焊接部均充满其对应的第一凹槽71内。
87.步骤s104、将芯片结构与基底贴合，使接触部与第一焊接部接合。
88.可选的，如图4和图5，可以通过焊料521将接触部52与第一焊接部42焊接在一起，具体的，焊料521的材质可以包括锡、铜、银等。
89.步骤s105、在芯片结构和基底之间填充填充层。
90.继续参照图4和图5，芯片结构50和基底41之间填充有填充层60，能够提高芯片结构50和基底41之间的连接强度，并增强芯片结构50和基底41之间的密封性。由于第一焊接部42填充满第一凹槽71，填充层60无法填充第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内出现空隙，从而提高了半导体结构的可靠性。需要说明的是，填充层60的材质可以包括非导电胶或非导电膜。
91.本技术实施例提供的半导体结构的制作方法具体包括：提供基底41和芯片结构50，基底41上具有第一焊接层421，芯片结构50上具有接触部52；在基底41上形成第一阻焊层43，第一阻焊层43具有第一凹槽71，第一焊接层421远离基底41的一端被第一凹槽71暴露；在第一凹槽71内形成第二焊接层422，第一焊接层421和第二焊接层422构成第一焊接部42，第一焊接部42填充满第一凹槽71；将芯片结构50与基底41贴合，使接触部52与第一焊接部42接合；在芯片结构50和基底41之间填充填充层60。由于第一凹槽71内充满第一焊接部42，在基底41和芯片结构50之间填充填充层60时，填充层60无法填充进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了半导体结构的可靠性。
92.可选的，本实施例提供的半导体结构的制作方法中，在基底41上形成第一阻焊层43的步骤包括：形成阻焊材料，阻焊材料覆盖基底41和第一焊接层421。
93.在一种可能的实现方式中，阻焊材料的材质可以包括油墨、硬化剂、环氧树脂等。
94.本实施例中，在形成阻焊材料之后，还包括：去除覆盖在第一焊接层421上的阻焊材料，以形成第一凹槽71。
95.在一种可实现的方式中，去除覆盖在第一焊接层421上的阻焊材料，以形成第一凹槽71包括：在阻焊材料上形成掩膜层，掩膜层上具有蚀刻孔。
96.掩膜层上的蚀刻孔在基底41的接合面411上的投影覆盖第一焊接层421，以便后续蚀刻覆盖在第一焊接层421上的阻焊材料。
97.本实施例中，在阻焊材料上形成掩膜层以后，还包括：以掩膜层为掩膜蚀刻阻焊材料，以去除蚀刻孔对应的阻焊材料，形成第一凹槽71。
98.需要说明的是，掩膜层上的蚀刻孔在基底41的接合面411上的投影与第一焊接层421完全重合，以便后续形成的第一凹槽71在接合面411上的投影与第一焊接层421完全重
合，进而有利于后续在第一焊接层421上形成的第二焊接层422与第一焊接层421的侧壁位于同一平面内，也即第一焊接层421与第二焊接层422共同构成第一焊接部42。
99.本实施例中，第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面平齐。示例性的，如图8所示，第一焊接部42与第一凹槽71的侧壁与槽底完全贴合，第一焊接部42沿垂直接合面411方向的宽度与第一阻焊层43沿垂直接合面411方向的宽度相等，使得第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面平齐，以使在芯片结构50和基底41之间填充填充层60时，填充层60无法填充进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
100.在另一些示例中，第一焊接部42远离基底41的一端伸出至第一凹槽71外，且第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面之间具有预设距离。示例性的，如图9所示，第一焊接部42与第一凹槽71的侧壁与槽底完全贴合，第一焊接部42沿垂直接合面411方向的宽度大于第一阻焊层43沿垂直接合面411方向的宽度，使得第一焊接部42远离基底41的一端伸出至第一凹槽71外。第一焊接部42远离基底41的一端与第一阻焊层43远离基底41的侧面之间具有预设距离l1，进一步的，预设距离l1的范围可以为0.1μm-0.5μm，预设距离l1例如可以为0.1μm、0.3μm或者0.5μm，以便填充层60无法填充进入第一凹槽71内，进而避免填充层60在第一凹槽71内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。
101.可选的，第一焊接部42包括第一焊接层421和第二焊接层422，第二焊接层422覆盖在第一焊接层421上，第一焊接层421位于第二焊接层422与接合面411之间；第二焊接层422的材质与接触部52的材质相同。示例性的，第二焊接层422位于第一焊接部42远离基底41的一端，也即，第二焊接层422靠近接触部52，由于第二焊接层422的材质与接触部52的材质相同，在使用焊料521焊接时，有利于提高第二焊接层422与接触部52的连接强度，进而提高电路板结构的可靠性。
102.可选的，在第一焊接部42为多个的实施例中，第一焊接部42包括第一焊接层421和第二焊接层422，第二焊接层422覆盖在第一焊接层421上，第一焊接层421位于第二焊接层422与接合面411之间；第二焊接层422的热膨胀系数小于第一焊接层421的热膨胀系数。示例性的，第二焊接层422位于第一焊接部42远离基底41的一端，也即，第二焊接层422靠近接触部52，由于第二焊接层422的热膨胀系数小于第一焊接层421的热膨胀系数，在焊接第一焊接层421与接触部52时，能够避免相邻的第一焊接部42的焊料521接触，进而能够避免电路板结构发生短接。
103.需要说明的是，第一焊接部42还可以包括两个以上的多个焊接层，本实施例对其不做限定。
104.可选的，本实施例提供的半导体结构的制作方法中，在提供基底41和芯片结构50的同时，还包括：在基底41的另一侧形成第二焊接部451。
105.进一步的，参照图8和图9，本实施例提供的半导体结构的制作方法中，在基底41形成第一阻焊层43的同时，还包括：在基底41的另一侧形成第二阻焊层44，第二阻焊层44具有第二凹槽72，第二焊接部451远离基底41的一端被第二凹槽72暴露。
106.值得说明的是，第二阻焊层44与第一阻焊层43的材质相同，第二阻焊层44能够防止湿气、异物以及电解质使基底41氧化，还能够使基底41免受机械损伤，并且还有利于防止焊接时桥接短路。第二阻焊层44具有第二凹槽72，基底41上还设置有第二焊接部451，第二
焊接部451填充在第二凹槽72内。基底41内部还设置有导电层，第一焊接部42与第二焊接部451分别设置在导电层的两侧，以便将第一焊接部42与第二焊接部451连接起来。第二焊接部451用于与外部器件焊接，以便通过第二焊接部451将芯片结构50与外部器件电连接。
107.本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
108.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。