低噪声放大器的制作方法

1.本技术涉及电子电路技术领域，具体涉及一种低噪声放大器。


背景技术：

2.在射频接收机的前端设计中，低噪声放大器(low noise amplifier，lna)是必不可少的组成部分，其决定了整个接收机的接收灵敏度。
3.低噪声放大器作为射频接收机关键模块，高增益决定接收最小信号的灵敏度，低增益影响接收的最大信号以及线性度，因此其增益对接收系统的灵敏度以及动态范围至关重要；同时，对于射频前端，其需要低噪声放大器支持多网络模式和多频段，且具有低功耗的能力，从而能够节省印制电路板(printed circuit board，pcb)的空间，降低成本。
4.相关技术中，可采用电流复用技术实现低噪声放大器的高增益，其适用于低功耗、高灵敏度的应用场景。然而，采用电流复用技术的低噪声放大器由于其增益固定，限制了接收信号强度，从而限制了可接收信号的动态范围，同时，由于其匹配的带宽较窄，工作频带固定不可调，不适于多模多频的射频前端应用，因此其适用范围较窄。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种低噪声放大器，可以解决相关技术中提供的采用电流复用技术低噪声放大器仅能提供高增益放大，不支持多频带信号所导致的适用性较窄的问题。
6.一方面，本技术实施例提供了一种低噪声放大器，包括：
7.输入匹配电路，用于对射频输入信号进行阻抗匹配；
8.输入放大电路，用于对所述输入匹配电路的输出信号进行放大；
9.增益控制电路，用于通过电流复用增益模式控制所述输入放大电路的输出信号进行共源高增益放大或共栅低增益放大模式控制；
10.输出级电路，用于对所述增益控制电路的输出信号进行放大；
11.输出匹配电路，用于对所述输出级电路的输出信号进行阻抗匹配，输出射频输出信号。
12.可选的，所述输入匹配电路的第一输入端与信号输入端rfin连接，所述输入匹配电路的第二输入端与第一控制电压端vf连接，所述输入匹配电路的第三输入端与第一偏置电压端vg连接，所述输入匹配电路的第一输出端与所述输入放大电路的第一输入端连接，所述输入匹配电路的第二输出端与所述输入放大电路的第二输入端连接；
13.所述输入放大电路的第一输出端与所述增益控制电路的第一输入端连接，所述输入放大电路的第二输出端与接地端rf gnd连接；
14.所述增益控制电路的第二输入端和第二控制电压端vc连接，所述增益控制电路的第三输入端与电源电压端vdd连接，所述增益控制电路的第一输出端与所述输出级电路的第一输入端连接，所述增益控制电路的第二输出端与所述输出级电路的第二输入端连接；
15.所述输出级电路的第三输入端与所述电源电压端vdd连接，所述输出级电路的第
四输入端与第二偏置电压端vb连接，所述输出级电路的输出端与所述输出匹配电路的输入端连接；
16.所述输出匹配电路的输出端与输出端rfout连接。
17.可选的，所述增益控制电路包括单刀单掷开关spst、第一电容cb、第二电容cc、第一反相器inv、第一电阻ri、第一mos管mi和第一电感li；
18.所述单刀单掷开关spst的输出端与所述第一电容cb连接，所述单刀单掷开关spst的控制端与所述第一反相器inv的输入端连接，所述单刀单掷开关spst输入端与所述第二电容cc连接；
19.所述第一电容cb分别与电源电压端vdd、第一偏置电阻rb和所述输出级电路的第一输入端连接；
20.所述第二电容cc还与所述第一mos管mi的源极连接；
21.所述第一电阻ri分别与所述第一反相器inv的输出端和所述第一mos管mi的栅极连接；
22.所述第一反相器inv的输入端还与第二控制电压端vc连接；
23.所述第一电感li和所述第一mos管mi并联。
24.可选的，所述增益控制电路还包括第三电容ci，所述第三电容ci与所述第一电感li并联。
25.可选的，所述单刀单掷开关spst包括第三电阻rg1、第四电阻rg2、第五电阻rg3、第二mos管m1、第三mos管m2、第四mos管m3和第二反相器inv1；
26.所述第三电阻rg1的一端和所述第二mos管m1的栅极连接；
27.所述第四电阻rg2的一端和所述第三mos管m2的栅极连接；
28.所述第五电阻rg3的两端分别与所述第二反相器inv1的输出端、所述第四mos管m3的栅极连接，所述第四mos管m3的源极与接地端rf gnd连接，所述第四mos管m3的漏极分别与所述第三mos管m2的源极、所述第二mos管m1的漏极连接；
29.所述第三电阻rg1、所述第四电阻rg2的另一端以及所述第二反相器inv1的输入端和第二控制电压端vc连接，所述第二反相器inv1的输入端还与所述第一反相器inv的输入端连接；
30.所述第二mos管m1和所述第三mos管m2串联，串联的所述第二mos管m1和所述第三mos管m2分别和所述第二电容cc、所述输出级电路的第一输入端连接。
31.可选的，所述输出匹配电路包括第一可变电容co；
32.所述第一可变电容co的一端与所述输出级电路的输出端连接，所述第一可变电容co的另一端与输出端rfout连接。
33.可选的，所述输出匹配电路还包括第四电容c2、第一变容二极管d2和第二电阻r2；
34.所述第四电容c2和所述第一变容二极管d2串联，串联的所述第四电容c2和所述第一变容二极管d2与所述第一可变电容co并联，所述第二电阻r2的一端与频带第一控制电压端vf连接，所述第二电阻r2的另一端分别与所述第四电容c2和所述第一变容二极管d2连接。
35.可选的，所述输入匹配电路包括第六电阻rg、第五mos管mlg、第五电容cg、第二电感lg1、第三电感lg2和第二可变电容cex；
36.所述第六电阻rg分别与频带第一控制电压端vf和所述第五mos管mlg的栅极连接；
37.所述第二电感lg1和第三电感lg2串联，所述第五mos管mlg与所述第三电感lg2并联，所述第三电感lg2还与第一偏置电压端vg连接；
38.所述第五电容cg的一端与信号输入端rfin连接，所述第五电容cg的另一端与所述第二可变电容cex的一端连接；
39.所述第二可变电容cex的一端还与所述输入放大电路的第一输入端连接，所述第二可变电容cex的另一端与所述输入放大电路的第二输入端连接。
40.可选的，所述输入匹配电路包括第六电阻rg、第五mos管mlg、第五电容cg、三端电感lg、第二变容二极管d1、第六电容c1和第七电阻r1；
41.所述第六电阻rg分别与所述频带第一控制电压端vf和所述第五mos管mlg的栅极连接，所述第五mos管mlg的源极与所述第一偏置电压端vg、所述三端电感lg的第一端连接，所述第五mos管mlg的漏极与所述三端电感lg的第二端连接；
42.所述第五电容cg的一端与信号输入端rfin连接，所述第五电容cg的另一端分别与所述三端电感lg的第三端、所述第二变容二极管d1的一端和所述输入放大电路的第一输入端连接，所述三端电感lg的第一端还与所述第一偏置电压端vg连接，所述三端电感lg的第三端还与所述第二变容二极管d1的一端和所述输入放大电路的第一输入端连接，所述第二变容二极管d1的一端还与所述输入放大电路的第一输入端连接；
43.所述第七电阻r1的一端与所述频带第一控制电压端vf连接，所述第七电阻r1的另一端分别与所述第六电容c1的一端、所述第二变容二极管d1的另一端连接，所述第六电容c1的另一端与所述输入放大电路的第二输入端连接。
44.可选的，所述输入放大电路包括第四电感ls和第六mos管min；
45.所述第四电感ls的一端与所述第六mos管min的源极、所述输入匹配电路的第二输出端连接，所述第四电感ls的另一端和接地端rf gnd连接；
46.所述第六mos管min的漏极与所述增益控制电路131的第一输入端连接。
47.可选的，所述输出级电路包括第八电阻rb、第七mos管mo和第五电感ld；
48.所述第七mos管mo的栅极与第二偏置电压端vb连接；
49.所述第五电感ld的一端与电源电压端vdd连接，所述第五电感ld的另一端分别与所述第七mos管mo的漏极、所述输出匹配电路151的输入端连接。
50.本技术技术方案，至少包括如下优点：
51.通过在低噪声放大器中设置用于对射频输入信号的进行阻抗匹配的输入匹配电路和输出匹配电路，从而实现了对不同频带的射频输入信号进行匹配，通过设置采用电流复用技术的增益控制电路对信号进行两级共源高增益放大或共源共栅低增益放大，从而实现了高低增益放大，提高了低噪声放大器的适用性。
附图说明
52.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
53.图1是本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图；
54.图2是本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图；
55.图3是本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图；
56.图4是本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图。
具体实施方式
57.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
58.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
59.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
60.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
61.参考图1，其示出了本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图，该低噪声放大器可应用于射频接收机中。如图1所示，该低噪声放大器100包括输入匹配电路110、输入放大电路120、增益控制电路130、输出级电路140和输出匹配电路150，其中：
62.输入匹配电路110，用于对射频输入信号进行阻抗匹配。示例性的，输入匹配电路110可对不同频带的射频输入信号rfin进行接收，根据射频输入信号rfin的频带进行阻抗匹配，从而能够实现对多频带的射频输入信号rfin进行阻抗匹配。
63.输入匹配电路110的第一输入端与信号输入端rfin连接，输入匹配电路110的第二输入端与第一控制电压端vf连接，输入匹配电路110的第三输入端与第一偏置电压端vg连接，输入匹配电路110的第一输出端与输入放大电路120的第一输入端连接，输入匹配电路110的第二输出端与输入放大电路120的第二输入端连接。
64.输入放大电路120，用于对输入匹配电路110的输出信号进行放大。示例性的，输入放大电路120可对输入匹配电路110的输出信号进行初步放大。
65.输入放大电路120的第一输出端与增益控制电路130的第一输入端连接，输入放大电路120的第二输出端与接地端rf gnd连接。
66.增益控制电路130，用于通过电流复用增益模式控制输入放大电路的输出信号进行共源高增益放大或共栅低增益放大。
67.增益控制电路130的第二输入端和第二控制电压端vc连接，增益控制电路130的第
三输入端与电源电压端vdd连接，增益控制电路130的第一输出端与输出级电路140的第一输入端连接，增益控制电路130的第二输出端与输出级电路140的第二输入端连接。
68.输出级电路140，用于对增益控制电路130的输出信号进行放大。示例性的，输出级电路140可根据增益控制电路130的输出方式工作于两级共源高增益放大模式或共源共栅低增益放大模式，可根据增益控制电路130输出的信号的频带切换输出级电路。
69.输出匹配电路150，用于对所述输出匹配电路的输出信号进行阻抗匹配，输出射频输出信号。示例性的，输出匹配电路150包括可变电容，该可变电容可对输出级电路140输出的信号进行阻抗匹配，输出射频输出信号rfout。
70.本技术实施例中，当低噪声放大器工作时，通过上述任一模块的输出端输出信号，通过上述任一模块的输入端输入信号，通过信号输入端rfin输入射频输入信号rfin，通过第一控制电压端vf输入第一控制电压vf，通过第一偏置电压端vg输入第一偏置电压vg，通过接地端rf gnd接地，通过第二控制电压端vc输入第二控制电压vc，通过第二偏置电压端vb输入第二偏置电压vb，通过电源电压端vdd输入电源电压vdd，通过输出端rfout输出射频输出信号rfout。
71.综上所述，本技术实施例中，通过在低噪声放大器中设置用于对射频输入信号的进行阻抗匹配的输入匹配电路和输出匹配电路，从而实现了对不同频带的射频输入信号进行匹配，通过设置采用电流复用技术的增益控制电路对信号进行两级共源高增益放大或共源共栅低增益放大，从而实现了高低增益放大，提高了低噪声放大器的适用性。
72.参考图2，其示出了本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图，该低噪声放大器是图1实施例的一种可选的实施方式。如图2所示，该低噪声放大器200包括输入匹配电路111、输入放大电路121、增益控制电路131、输出级电路141和输出匹配电路151，其中：
73.输入匹配电路111是图1实施例中输入匹配电路110的一种可选的实施方式，输入放大电路121是图1实施例中输入放大电路120的一种可选的实施方式，增益控制电路131是图1实施例中增益控制电路130的一种可选的实施方式，输出级电路141是图1实施例中输出级电路140的一种可选的实施方式，输出匹配电路151是图1实施例中输出匹配电路150的一种可选的实施方式。
74.输入匹配电路111包括第六电阻rg、第五mos管mlg、第五电容cg、第二电感lg1、第三电感lg2和第二可变电容cex。其中：
75.第六电阻rg分别与频带第一控制电压端vf、第五mos管mlg的栅极连接；第二电感lg1和第三电感lg2串联，第五mos管mlg与第三电感lg2并联(即第五mos管的源极和栅极分别与第三电感lg2的两端连接)，第三电感lg2还与第一偏置电压端vg连接；第五电容cg的一端与信号输入端rfin连接，第五电容cg的另一端与第二可变电容cex的一端连接；第二可变电容cex的一端还与输入放大电路121的第一输入端连接(例如，其与输入放大电路121中的第六mos管min的栅极连接)，第二可变电容cex的另一端与输入放大电路121的第二输入端连接(例如，其分别与输入放大电路121中的第六mos管min的源极、第四电感ls的一端连接)。
76.频带当低噪声放大器工作时，第一控制电压vf(由频带第一控制电压端vf输入)可控制第五mos管mlg的栅极电感、第一可变电容co的电容和第二可变电容cex的电容以进行
阻抗匹配。
77.输入放大电路121包括第四电感ls和第六mos管min。其中：
78.第四电感ls的一端与第六mos管min的源极和第二可变电容cex连接，其另一端和接地端rf gnd连接；第六mos管min的漏极与增益控制电路131的第一输入端连接(例如，第六mos管min的漏极与增益控制电路131中的第一mos管mi的源极连接)。
79.增益控制电路131包括单刀单掷开关spst、第一电容cb、第二电容cc、第一反相器inv、第一电阻ri、第一mos管mi和第一电感li。其中：
80.单刀单掷开关spst的输出端与第一电容cb连接，单刀单掷开关spst的控制端与第一反相器inv的输入端连接，单刀单掷开关spst输入端与第二电容cc连接；第一电容cb分别与电源电压端vdd、第一偏置电阻rb和输出级电路141的第一输入端连接(例如，其与输出级电路141中的第七mos管mo的栅极连接)；第二电容cc还与第一mos管mi的源极连接(即与第一mos管mi的源极或漏极连接)；第一电阻ri分别与第一反相器inv的输出端和第一mos管mi的栅极连接；第一反相器inv的输入端还与第二控制电压端vc连接；第一电感li和第一mos管mi并联(即第一电感li的两端分别与第一mos管mi的源极和漏极连接)。
81.当第二控制电压vc(由第二控制电压端vc输入)和电源电压vdd(由电源电压端vdd输入)相等时，增益控制电路131处于两级高增益模式：单刀单掷开关spst导通第二电容cc，实现级间耦合，第一mos管mi工作于关断电容模式，其与第一电感li谐振实现信号级间隔离，进行两级高增益放大。
82.当第二控制电压vc为零时，增益控制电路131处于单级低增益模式：单刀单掷开关spst断开第二电容cc，关闭级间耦合，第一mos管mi工作于高压驱动导通线性传输模式，屏蔽第一电感li的信号级间隔离，进行单级低增益放大。
83.输出级电路141包括第八电阻rb、第七mos管mo和第五电感ld。其中：
84.第七mos管mo的栅极还与第二偏置电压端vb连接；第五电感ld的一端与电源电压端vdd连接，第五电感ld的另一端分别与第七mos管mo的漏极和输出匹配电路151的输入端连接(例如，其与输出匹配电路151中的第一可变电容co连接)。
85.输出匹配电路151包括第一可变电容co，第一可变电容co的一端与输出级电路141的输出端(例如，其与输出级电路141中的第七mos管mo的漏极连接)，其另一端与输出端rfout连接。
86.参考图3，其示出了本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图，该低噪声放大器是图1实施例或图2实施例的一种可选的实施方式。如图3所示，该低噪声放大器300包括输入匹配电路112、输入放大电路122、增益控制电路132、输出级电路142和输出匹配电路152，其中：
87.输入匹配电路112是图1实施例中输入匹配电路110或图2实施例中输入匹配电路111的一种可选的实施方式，输入放大电路122是图1实施例中输入放大电路120或图2实施例中输入放大电路121的一种可选的实施方式，增益控制电路132是图1实施例中增益控制电路130或图2实施例中增益控制电路131的一种可选的实施方式，输出级电路142是图1实施例中输出级电路140或图2实施例中输出级电路141的一种可选的实施方式，输出匹配电路152是图1实施例中输出匹配电路150或图2实施例中输出匹配电路151的一种可选的实施方式。
88.输入匹配电路112包括第六电阻rg、第五mos管mlg、第五电容cg、三端电感lg、第二变容二极管d1、第六电容c1和第七电阻r1。其中：
89.第六电阻rg分别与频带第一控制电压端vf和第五mos管mlg的栅极连接，第五mos管mlg的源极与第一偏置电压端vg、三端电感lg的第一端连接，第五mos管mlg的漏极与三端电感lg的第二端连接；第五电容cg的一端与信号输入端rfin连接，第五电容cg的另一端分别与三端电感lg的第三端、第二变容二极管d1的一端和输入放大电路122的第一输入端连接(例如，其与输入放大电路122中的第六mos管min的栅极连接)，三端电感lg的第一端还与第一偏置电压端vg连接，三端电感lg的第三端还与第二变容二极管d1的一端和输入放大电路122的第一输入端连接(例如，其与输入放大电路122中的第六mos管min的栅极连接)，第二变容二极管d1的一端还与输入放大电路122的第一输入端连接(例如，其与输入放大电路122中的第六mos管min的栅极连接)；第七电阻r1的一端与频带第一控制电压端vf连接，第七电阻r1的另一端分别与第六电容c1的一端和第二变容二极管d1的另一端连接，第六电容c1的另一端与输入放大电路122的第二输入端连接(例如，其与输入放大电路122中的第六mos管min的源极，以及输入放大电路122中的第四电感ls连接)，第六电容c1的另一端与输入放大电路122的第二输入端连接(例如，其与输入放大电路122中的第六mos管min的源极、第四电感ls的一端连接)。
90.其中，三端电感lg的第二端设置于其线圈中，三端电感lg的第一端和第三端分别设置在其线圈的两端。
91.通过将第二可变电容cex替换为变容二极管的反偏电压器设计，将栅极电感采用电压控制线性开关管替换为低成本的三端电感以实现电感值切换，能够降低系统的成本。
92.输入放大电路122中各个器件的连接方式可参考输入放大电路121的说明，在此不做赘述。
93.增益控制电路132和增益控制电路131的区别在于，其还包括第三电容ci，第三电容ci与第一电感li并联。增益控制电路132的其它器件的连接方式可参考增益控制电路131的说明，在此不做赘述。
94.通过增加第三电容ci，便于第一mos管mi在关断电容模式下与第一电感li谐振的电流复用信号级间隔离的优化。
95.输出级电路142中各个器件的连接方式可参考输出级电路141的说明，在此不做赘述。
96.输出匹配电路152和输出匹配电路151的区别在于，其还包括第四电容c2、第一变容二极管d2和第二电阻r2。其中：
97.第四电容c2和第一变容二极管d2串联，串联的第四电容c2和第一变容二极管d2与第一可变电容co并联，第二电阻r2的一端与频带第一控制电压端vf连接，第二电阻r2的另一端分别与第四电容c2和第一变容二极管d2连接。
98.参考图4，其示出了本技术一个示例性实施例提供的低噪声放大器的框图，该低噪声放大器是图1实施例、图2实施例或图3实施例的一种可选的实施方式。如图4所示，该低噪声放大器400包括输入匹配电路113、输入放大电路123、增益控制电路133、输出级电路143和输出匹配电路153，其中：
99.输入匹配电路113是图1实施例中输入匹配电路110、图2实施例中输入匹配电路
111或图3实施例中输入匹配电路112的一种可选的实施方式；输入放大电路123是图1实施例中输入放大电路120、图2实施例中输入放大电路121或图3实施例中输入放大电路122的一种可选的实施方式；增益控制电路133是图1实施例中增益控制电路130、图2实施例中增益控制电路131或图3实施例中增益控制电路132的一种可选的实施方式；输出级电路143是图1实施例中输出级电路140、图2实施例中输出级电路141或图3实施例中输出级电路142的一种可选的实施方式；输出匹配电路153是图1实施例中输出匹配电路150、图2实施例中输出匹配电路151或图3实施例中输出匹配电路152的一种可选的实施方式。
100.输入匹配电路113中各个器件的连接方式可参考输入匹配电路111和输入匹配电路112的说明，在此不做赘述。
101.输入放大电路123中各个器件的连接方式可参考输入放大电路121和输入放大电路122的说明，在此不做赘述。
102.增益控制电路133中除单刀单掷开关spst外其它各个器件的连接方式可参考增益控制电路131和增益控制电路132的说明，在此不做赘述。
103.本实施例中，单刀单掷开关spst包括第三电阻rg1、第四电阻rg2、第五电阻rg3、第二mos管m1、第三mos管m2、第四mos管m3和第二反相器inv1。
104.其中：
105.第三电阻rg1的一端和第二mos管m1的栅极连接；第四电阻rg2的一端和第三mos管m2的栅极连接；第五电阻rg3的两端分别与第二反相器inv1的输出端和第四mos管m3的栅极连接，第四mos管m3的源极还与接地端rf gnd连接，第四mos管m3的漏极分别与第三mos管m2的源极、第二mos管m1的漏极连接；第三电阻rg1、第四电阻rg2的另一端和第二反相器inv1的输入端以及第二控制电压端vc连接，第二反相器inv1的输入端还和第一反相器inv的输入端连接；第二mos管m1和第三mos管m2串联(即第二mos管m1的漏极和第三mos管m2的源极连接)，第二mos管m1的源极和第二电容cc连接，第三mos管m2的漏极和输出级电路143的第一输入端连接(例如，其与输出级电路143中的第一电容cb、第八电阻rb和第一mos管mo的栅极连接)。
106.通过将单刀单掷开关spst设置为串并联结构，关断时并联支路接地，从而降低了串联支路关断电容寄生效应影响。根据功率与增益的需求，mos管m1至m3均可采用多级层叠设计。
107.输出级电路143中各个器件的连接方式可参考输出级电路141和输出级电路142的说明，在此不做赘述。
108.输出匹配电路153中各个器件的连接方式可参考输出匹配电路151和输出匹配电路152的说明，在此不做赘述。
109.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。