技术特征：
1.一种放大装置，具备：放大器，包含级联连接的多级的功率放大器；和偏置电路，向所述放大器供给偏置电流，其中，供给到所述多级的功率放大器中的初级的功率放大器的偏置电流具有正的温度特性，供给到最终级的功率放大器的偏置电流具有负的温度特性。2.根据权利要求1所述的放大装置，其中，供给到所述多级的功率放大器中的给定级的功率放大器的偏置电流与供给到比所述给定级更靠前级的功率放大器的偏置电流相比，具有示出负的倾向的温度特性。3.根据权利要求1或2所述的放大装置，其中，所述偏置电路具备：第1偏置电源部，输出供给到所述初级的功率放大器的偏置电流；第2偏置电源部，输出供给到所述最终级的功率放大器的偏置电流；和公共恒流源，分别向所述第1偏置电源部以及所述第2偏置电源部供给电流。4.根据权利要求3所述的放大装置，其中，所述第1偏置电源部具有第1电流放大电路和第1恒流源，所述第1电流放大电路对从所述公共恒流源供给的第1供给电流进行放大并生成第1放大电流，所述第2偏置电源部具有第2电流放大电路和第2恒流源，所述第2电流放大电路对从所述公共恒流源供给的第2供给电流进行放大并生成第2放大电流，在所述第1偏置电源部中，对于由所述第1恒流源引入的第1引入电流加上所述第1放大电流，在所述第2偏置电源部中，对于由所述第2恒流源引入的第2引入电流减去所述第2放大电流。5.根据权利要求4所述的放大装置，其中，所述公共恒流源具有：第1电流镜电路，与高电位侧电源线连接；第2电流镜电路，与所述第1电流镜电路级联连接；和电阻元件，串联连接在所述第2电流镜电路与低电位侧电源线之间，具有正的温度系数。6.根据权利要求5所述的放大装置，其中，所述第1电流放大电路具有nmos晶体管元件，所述第2电流放大电路具有pmos晶体管元件，所述第1电流镜电路具有pmos晶体管元件，所述第2电流镜电路具有nmos晶体管元件，所述第2电流镜电路的输出侧与所述第1电流放大电路连接，所述第1电流镜电路的输出侧与所述第2电流放大电路连接。7.根据权利要求4～6中任一项所述的放大装置，其中，所述第1恒流源具有：第1运算放大器；第1引入晶体管，控制端子与所述第1运算放大器的输出侧连接；和第1可变电阻，串联连接在所述第1引入晶体管的输入输出端子的一端与低电位侧电源线之间。8.根据权利要求7所述的放大装置，其中，所述第2恒流源具有：第2运算放大器；第2引入晶体管，控制端子与所述第2运算放大器
的输出侧连接；和第2可变电阻，串联连接在所述第2引入晶体管的输入输出端子的一端与低电位侧电源线之间。9.根据权利要求8所述的放大装置，其中，所述第1引入晶体管以及所述第2引入晶体管分别为nmos晶体管元件。10.根据权利要求4～9中任一项所述的放大装置，其中，所述第1偏置电源部具有：加法侧电流放大部，基于所述第1引入电流和所述第1放大电流相加后的第1合计电流，生成供给到所述初级的功率放大器的偏置电流，所述第2偏置电源部具有：减法侧电流放大部，基于从所述第2引入电流减去所述第2放大电流后的第2合计电流，生成供给到所述最终级的功率放大器的偏置电流。11.根据权利要求10所述的放大装置，其中，所述加法侧电流放大部具有：加法侧运算放大器；第1检测电阻，串联连接在所述加法侧运算放大器的第1输入端子与高电位侧电源线之间；和第2检测电阻，串联连接在所述加法侧运算放大器的第2输入端子与高电位侧电源线之间，所述第1检测电阻以及所述第2检测电阻的电阻值相互不同。12.根据权利要求10或11所述的放大装置，其中，所述减法侧电流放大部具有：减法侧运算放大器；第3检测电阻，串联连接在所述减法侧运算放大器的第1输入端子与高电位侧电源线之间；和第4检测电阻，串联连接在所述减法侧运算放大器的第2输入端子与高电位侧电源线之间，所述第3检测电阻以及所述第4检测电阻的电阻值相互不同。
技术总结
本发明提供一种能够抑制相对于温度变化的特性的变化变得不稳定的放大装置。放大装置(1)具备：放大器(10)，包含级联连接的多级的功率放大器(PA1～PA3)；和偏置电路(20)，向放大器(10)供给偏置电流。供给到多级的功率放大器(PA1～PA3)中的初级的功率放大器(PA1)的偏置电流(Ib1)具有正的温度特性，供给到最终级的功率放大器(PA3)的偏置电流(Ib3)具有负的温度特性。度特性。度特性。
技术研发人员：大奈路勉 德田胜利 田部井慎 出口和亮 河野孝透
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.08.19
技术公布日：2022/2/28