技术特征：
1.一种提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，在所述换能器的指条端头设置有n块具有间隔的负载块，所述n为正整数且n≥2；所述n块负载块采用如下结构之一：(一)、所述n块负载块横向设置，当负载块与指条在同一层时，所述n块负载块覆盖指条端头区域且至少在纵向上突出于指条端头之外；当负载块与指条不在同一层时，所述n块负载块覆盖指条端头区域且与指条端头齐平或者至少在纵向上突出于指条端头之外；(二)、所述n块负载块横向设置，当n≥3时，所述n块负载块覆盖指条端头区域且相对指条端头有缩进；(三)、所述n块负载块纵向设置，所述n块负载块覆盖指条端头区域且在纵向和/或横向上突出于指条端头之外；(四)、所述n块负载块纵向设置，所述n块负载块覆盖指条端头区域且位于指条端头范围内；(五)、所述n块负载块倾斜设置或呈曲线状设置，所述n块负载块覆盖指条端头区域且在纵向和/或横向上突出于指条端头之外；(六)、所述n块负载块倾斜设置或呈曲线状设置，所述n块负载块覆盖指条端头区域且位于指条端头范围内。2.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述换能器中相邻指条上与指条端头对应的部位也设置有n块具有间隔的负载块，所述n块负载块的结构采用权利要求1所述的结构(一)至结构(六)之一。3.如权利要求1或2所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述换能器上设置有假指，假指端头也设置有n块具有间隔的负载块，所述n块负载块的结构采用权利要求1所述的结构(一)至结构(六)之一。4.如权利要求1所述的提升声q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，相邻指条的同侧负载块连线与指条垂直或者呈一定夹角，所述夹角为锐角或者钝角。5.如权利要求1所述的提升声q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，不同指条上同侧的负载块齐平或者具有纵向偏移距离d
ij
，所述d
ij
为第i指条上j侧的负载块在纵向上偏移平衡位置的距离，i为指条序号，j为指条上负载块位置序号。6.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，不同指条上的负载块尺寸大小相同或者不相同，同一指条上的负载块尺寸大小相同或者不相同。7.如权利要求3所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，真指、假指的端头均设置有两块具有间隔的负载块。8.如权利要求7所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，采用结构(一)时，g＝(0.2～0.8)f,b＝(0.1～0.45)a,c＝(0.2～0.7)h,d＝(1～10)e,e＝(0.2～0.3)f，其中，a为指条宽度，b为负载块宽度方向上覆盖指条的尺寸，c为负载块宽度方向上位于指条之外的尺寸，b+c为负载块的宽度，d为负载块长度方向上覆盖指条的尺寸，e为负载块长度方向上位于指条之外的尺寸，d+e是负载块的长度，f为真假指的间距，g为真假指上相对负载块的间距，h为相邻真指的间距；采用结构(二)时，真、假指上负载块的位置距离指条端头的距离分别为x1,y1，所述x1∈(0.1p～1p),y1∈(0.1p～1p)，所述p为两个相邻指条的中心距。
9.如权利要求1所述的提升声q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述负载块的形状为正方形，或长方形，或椭圆形，或圆形，或梯形。10.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述负载块与叉指指条金属层处于同一层或者不同层。11.如权利要求10所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，指条和负载块利用同一工序制作完成，或者采用不同的工序制作完成。12.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，负载块的厚度与指条金属厚度相同，或者与指条金属层厚度不同。13.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述负载块为一层金属或多层金属层叠而成，当为多层金属层叠而成时，不同层的材料相同或者不同。14.如权利要求1所述的提升q值及抑制横模的换能器结构，其特征在于，所述负载块材料为金属材料，或金属材料组合，或金属氧化物，或高分子涂敷材料。15.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括普通saw结构，或者tcsaw结构，或者ihp/poi wafer结构；在所述普通saw结构，tcsaw结构，或ihp/poi wafer设置有本发明权利要求1
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14之一所述的换能器结构。16.如权利要求15所述的声表面波谐振器，其特征在于，在换能器两侧的反射栅上的对应位置也设置有负载块，所述负载块的结构采用权利要求1所述的结构(一)至结构(六)之一。
技术总结
本发明公开了一种提升Q值及抑制横模的换能器结构及声表面波谐振器，该换能器结构的指条端头设置有n块不在一条直线(偏离平衡位置)的负载块。本发明的换能器结构用于普通SAW滤波器时，通过在指条末端增加位置不规则的负载块，改变指条端头的电容分布，增加了叉指换能器在末端的激励，提高了声表面波在激励、传输和转换过程中的效率，可以明显提高谐振器的Q值。将本发明的结构加入到TC
技术研发人员：姚远 付先 韩超 陈曦 肖力 刘川燕
受保护的技术使用者：江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2021/12/21