半导体结构的制作方法及半导体结构与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术：

1、随着半导体结构集成度提高，电容结构向高深宽比和高密度方向发展。在电容结构的制程中，不同密度区域的电容结构的刻蚀速度不同，在电容结构的深宽比过大时，可能出现不同密度区域的电容结构的制程进度差异，出现部分区域刻蚀不足而其它区域过刻蚀的问题，影响产品良率。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

3、本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述制作方法包括：形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构，在所述第一层叠结构上形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成与所述第一目标结构接触的第二目标结构。

4、根据本公开的一些实施例，所述形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构的步骤包括：

5、依次形成第一牺牲层和第一支撑层；

6、图形化所述第一牺牲层和所述第一支撑层，在所述第一层叠结构中形成第一目标图形孔；

7、在所述第一目标图形孔中形成所述第一目标结构。

8、根据本公开的一些实施例，在所述第一目标图形孔中形成所述第一目标结构的步骤包括：

9、在所述第一目标图形孔中沉积导电材料形成所述第一目标结构，所述第一目标结构的顶表面不高于所述第一支撑层的顶表面。

10、根据本公开的一些实施例，所述形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成第二目标结构的步骤包括：

11、在所述第一层叠结构上依次形成第二支撑层和介质层；

12、图形化所述第二支撑层和所述介质层，在所述第二层叠结构中形成第二目标图形孔，所述第二目标图形孔至少暴露出部分所述第一目标结构；

13、在所述第二目标图形孔中形成所述第二目标结构。

14、根据本公开的一些实施例，形成所述介质层的步骤包括：

15、在所述第二支撑层上形成第二牺牲层，在所述第二牺牲层上形成第三牺牲层。

16、根据本公开的一些实施例，所述在所述第二目标图形孔中形成所述第二目标结构的步骤包括：

17、在所述第二目标图形孔中沉积导电材料形成所述第二目标结构，所述第二目标结构覆盖所述第一目标结构暴露出的部分。

18、根据本公开的一些实施例，所述制作方法还包括：

19、去除部分所述第二层叠结构和部分所述第一层叠结构，被保留的所述第二层叠结构和所述第一层叠结构形成支撑结构。

20、根据本公开的一些实施例，去除部分所述第二层叠结构和部分所述第一层叠结构，包括：

21、形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述第二层叠结构的部分顶面以及所述第二目标结构的部分顶面；

22、根据所述第一掩膜层依次去除所述第二层叠结构的部分所述第三牺牲层、所述第二牺牲层以及部分所述第二支撑层；

23、根据所述第一掩膜层依次去除所述第一层叠结构的部分所述第一支撑层和所述第一牺牲层；

24、被保留的所述第一支撑层和所述第二支撑层形成所述支撑结构。

25、根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的制作方法，包括：

26、提供衬底，所述衬底包括电容接触部；

27、所述第一层叠结构形成在所述衬底上。

28、根据本公开的一些实施例，所述在所述第一层叠结构中形成第一目标结构，包括：

29、形成所述第一目标结构，所述第一目标结构和所述电容接触部接触。

30、根据本公开的一些实施例，所述制作方法，还包括：

31、形成介电层，所述介电层至少覆盖所述第一目标结构暴露的侧壁、所述第二目标结构暴露的侧壁以及所述第二目标结构的顶面；

32、形成上电极层，所述上电极层覆盖所述介电层。

33、本公开的第一方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：

34、下电极，下电极包括第一目标结构以及叠置在所述第一目标结构上的第二目标结构；

35、支撑结构，所述支撑结构包括中间支撑层，所述中间支撑层覆盖所述第一目标结构和所述第二目标结构的连接面的部分接缝处。

36、根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括：

37、上支撑层，所述上支撑层设置在所述第二目标结构的顶部并覆盖所述第二目标结构的部分侧壁。

38、根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括：

39、介电层，所述介电层至少覆盖所述第一目标结构暴露的侧壁、所述第二目标结构暴露的侧壁、所述第二目标结构的顶面以及所述支撑结构；

40、上电极层，所述上电极层覆盖所述介电层。

41、根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括：

42、衬底，所述衬底包括电容接触部；

43、所述第一目标结构设置在所述电容接触部上，所述第一目标结构与所述电容接触部接触。

44、本公开实施例所提供的半导体结构的制备方法及半导体结构中，将形成目标结构的制程分为形成第一目标结构和形成第二目标结构两次制程，减小了每次形成目标结构的制程的深度，减小了制程深宽比过大对制程的影响

45、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构，在所述第一层叠结构上形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成与所述第一目标结构接触的第二目标结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一目标图形孔中形成所述第一目标结构的步骤包括：

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成第二目标结构的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：

6.根据所述权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二目标图形孔中形成所述第二目标结构的步骤包括：

7.根据所述权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

8.根据所述权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除部分所述第二层叠结构和部分所述第一层叠结构，包括：

9.根据所述权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法，包括：

10.根据所述权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一层叠结构中形成第一目标结构，包括：

11.根据所述权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法，还包括：

12.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

技术总结
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，形成第一层叠结构，在第一层叠结构中形成第一目标结构，在第一层叠结构上形成第二层叠结构，在第二层叠结构中形成与第一目标结构接触的第二目标结构。在本公开中，将形成目标结构的制程分为形成第一目标结构和形成第二目标结构两次制程，减小了每次形成目标结构的制程的深度，减小了制程深宽比过大对制程的影响。

技术研发人员：夏军,左明光,白世杰
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13