最小化横向激发的薄膜体声波谐振器中的应力的电极几何形状的制作方法

1.本公开涉及使用声波谐振器的射频滤波器，并且具体地，涉及用于通信设备的滤波器。


背景技术：

2.射频(rf)滤波器是双端口设备，该双端口设备被配置为通过某些频率并阻止其他频率，其中“通过”意味着以相对较低的信号损失进行传输，并且“停止”意味着阻止或基本衰减。滤波器所通过的频率的范围被称为滤波器的“通带”。这种滤波器所阻止的频率的范围被称为滤波器的“阻带”。典型的rf滤波器具有至少一个通带和至少一个阻带。对通带或阻带的具体要求取决于应用。例如，“通带”可以被定义为滤波器的插入损耗优于诸如1db、2db或3db之类的定义值的频率范围。“阻带”可以被定义为滤波器的抑制大于诸如0db、30db、40db或更大(具体取决于应用)之类的定义值的频率范围。
3.rf滤波器用于通过无线链接来传输信息的通信系统。例如，rf滤波器可以在蜂窝基站、移动电话和计算设备、卫星收发器和地面站、iot(物联网)设备、膝上型计算机和平板电脑、定点无线电链接和其他通讯系统的rf前端中找到。rf滤波器也用于雷达、电子和信息战系统。
4.rf滤波器通常需要许多设计权衡，以针对每个特定应用实现诸如插入损耗、抑制、隔离、功率处理、线性度、尺寸之类的性能参数与成本之间的最佳折衷。特定设计和制造方法以及增强可以同时受益于这些要求中的一项或多项。
5.无线系统中rf滤波器的性能增强可以对系统性能产生广泛影响。rf滤波器的改进可以用于提供系统性能改进，例如更大的单元尺寸、更长的电池寿命、更高的数据速率、更大的网络容量、更低的成本、增强的安全性、更高的可靠性等。这些改进可以在无线系统的多个级别(例如，在rf模块、rf收发器、移动或固定子系统、或网络级别)单独或组合地实现。
6.用于当前通信系统的高性能rf滤波器通常包含声波谐振器，该声波谐振器包括表面声波(saw)谐振器、体声波(baw)谐振器、薄膜体声波谐振器(fbar)和其他类型的声波谐振器。然而，这些现有技术并不十分适合用于针对未来通信网络所提出的更高频率和带宽。
7.对更宽通信信道带宽的期望将不可避免地导致使用更高频率的通信频带。移动电话网络的无线电接入技术已经由3gpp(第三代合作伙伴计划)进行了标准化。用于第5代(5g)移动网络的无线电接入技术在5g nr(新无线电)标准中进行了定义。5g nr标准定义了若干个新的通信频带。这些新的通信频带中的两个是：n77，其使用从3300mhz至4200mhz的频率范围；以及n79，其使用从4400mhz至5000mhz的频率范围。频带n77和频带n79都使用时分双工(tdd)，使得在频带n77和/或频带n79中操作的通信设备使用相同的频率进行上行链路和下行链路传输。频带n77和n79的带通滤波器必须能够处理通信设备的传输功率。5ghz和6ghz的wifi频带也需要高频率和宽带宽。5g nr标准还定义了频率在24.25ghz与40ghz之间的毫米波通信频带。
8.横向激发的薄膜体声波谐振器(xbar)是用于微波滤波器的声波谐振器结构。xbar在题为“transversely excited film bulk acoustic resonator”的专利us 10,491,291中进行了描述。xbar谐振器包括：叉指换能器(idt)，其形成在单晶压电材料的薄浮层或振膜上。idt包括从第一母线延伸的第一平行指集合和从第二母线延伸的第二平行指集合。第一平行指集合和第二平行指集合是交错的。施加到idt的微波信号在压电振膜中激发剪切主声波。xbar谐振器提供非常高的机电耦合和高频能力。xbar谐振器可以用于包括带阻滤波器、带通滤波器、双工器和多路复用器在内的各种rf滤波器。xbar非常适合用于频率高于3ghz的通信频带的滤波器。
附图说明
9.图1包括横向激发的薄膜体声波谐振器(xbar)的示意性平面图和两个示意性截面图。
10.图2a是图1的xbar的一部分的详细截面图。
11.图2b是图1的xbar的另一部分的详细截面图。
12.图3a是图1的xbar的一部分的详细平面图。
13.图3b是图1的xbar的另一部分的详细平面图。
14.图4是另一xbar的示意性平面图。
15.图5是用于使用xb ar制造xbar或滤波器的方法的流程图。
16.贯穿本说明书，图中出现的元件被指派了三位数字或四位数字附图标记，其中，两个最低有效数字特定于该元件，而一个或两个最高有效数字是该元件被第一次介绍时的图号。可以假定未结合附图描述的元件具有与先前描述的具有相同附图标记的元件相同的特性和功能。
具体实施方式
17.装置的描述
18.图1示出了xbar 100的简化示意性俯视图和正交截面图。诸如谐振器100之类的xbar谐振器可以用于包括带阻滤波器、带通滤波器、双工器和多路复用器在内的各种rf滤波器。
19.xbar 100由形成在具有分别平行的前表面112和后表面114的压电板110的表面上的薄膜导体图案构成。压电板是诸如铌酸锂、钽酸锂、硅酸镧镓、氮化镓或氮化铝之类的压电材料的薄单晶层。切割压电板使得x、y和z晶轴相对于前表面和后表面的取向是已知的且是一致的。压电板可以是z-切割的，即，z轴垂直于前表面112和后表面114。压电板可以是旋转z-切割或旋转yx-切割的。xbar可以在具有其他晶体取向的压电板上制造。
20.除了压电板110的形成跨越形成在基板中的空腔150的振膜115的部分之外，压电板110的后表面114附着到基板120的表面。压电板的跨越空腔的部分在本文中被称为“振膜”115，因为它与麦克风的振膜在物理上相似。如图1所示，振膜115与压电板110的围绕空腔150的所有周边155的其余部分相接。在该上下文中，“相接”是指“连续地连接而没有任何中间项”。在其他配置中，振膜115可以在空腔150的周边155的至少50％周围与压电板相接。
21.基板120向压电板110提供机械支撑。基板120可以是例如硅、蓝宝石、石英或一些
其他材料或材料的组合。压电板110的后表面114可以使用晶片接合工艺接合到基板120。备选地，压电板110可以生长在基板120上或以某种其他方式附着到基板。压电板110可以直接附着到基板或可以经由一个或多个中间材料层(图1中未示出)附着到基板120。
[0022]“空腔”的常规含义是“实体内的空的空间”。空腔150可以是完全穿过基板120的孔(如截面a-a和截面b-b所示)或振膜115下方的基板120中的凹槽。空腔150可以例如通过在压电板110和基板120附着之前或之后选择性蚀刻基板120来形成。
[0023]
xbar 100的导体图案包括形成在第一金属层中的叉指换能器(idt)130。idt 130包括从第一母线132延伸的第一多个平行指(例如，指136)和从第二母线134延伸的第二多个指。术语“母线”是指idt的指从其延伸的导体。第一多个平行指和第二多个平行指是交错的。交错的指重叠距离ap，距离ap通常被称为idt的“孔径”。idt 130的最外侧指之间的中心到中心距离l是idt的“长度”。
[0024]
xbar 100的导体图案包括第二金属级，该第二金属级包括分别覆盖第一母线132和第二母线134的至少部分的二级母线142、144。将滤波器电路中的多个xbar互连的导体(未示出)通常包括第一金属级和第二金属级两者。第三金属级(未示出)可以用于与在滤波器装置外部的电路的连接(例如，金或焊料凸块)。
[0025]
第一母线132/142和第二母线134/144用作xbar 100的端子。施加在idt 130的两个母线132/142、134/144之间的射频或微波信号在压电板110内激发主声波模式。主声波模式是体剪切模式，其中声能沿着与压电板110的表面基本正交的方向传播，该方向也垂直于或横向于由idt指产生的电场的方向。因此，xbar被视为横向激发的膜体波谐振器。
[0026]
idt 130位于压电板110上，使得至少idt 130的指(例如，指136)设置在跨越或悬置在空腔150上方的振膜115上。如图1所示，空腔150具有矩形形状，其范围大于idt 130的孔径ap和长度l。xbar的空腔可以具有不同的形状，例如规则或不规则多边形。xbar的空腔可以具有多于或少于四个侧面，这些侧面可以是直的或弯曲的。
[0027]
为了便于在图1中呈现，idt指的几何间距和宽度相对于xbar的长度(尺寸l)和孔径(尺寸ap)被极大夸大。典型的xbar在idt 130中具有多于十个平行指。xbar在idt 130中可以具有数百甚至数千个平行指。类似地，截面图中的idt指和压电板的厚度也被极大夸大。
[0028]
图2a示出了xbar 100的在图1中被标识为“细节c”的部分的详细示意性截面图。尺寸tp是压电板110的厚度。尺寸tp可以例如在200nm与1000nm之间。尺寸p是idt指的中心到中心间隔或“间距”，其可以被称为idt的间距和/或xbar的间距。尺寸w是idt指的宽度或“标记”。xbar的idt的几何形状与表面声波(saw)谐振器中所使用的idt大大不同。在saw谐振器中，idt的间距是谐振频率下的声波波长的二分之一。此外，saw谐振器idt的标记间距比通常接近0.5(即，标记或指宽约为在谐振时声波波长的四分之一)。在xbar中，idt的间距p可以是这些指的宽度w的2倍至20倍。间距p通常是这些指的宽度w的3.3倍至5倍。此外，idt的间距p可以是压电板210的厚度tp的2倍至20倍。idt的间距p通常是压电板210的厚度tp的5倍至12.5倍。xbar中idt指的宽度不限于接近在谐振时的声波波长的四分之一。例如，xbar idt指的宽度可以是500nm或更大，使得idt可以容易地使用光学光刻来制造。
[0029]
前侧介电层260可以可选地形成在压电板110的前侧上。根据定义，xbar的“前侧”是背对基板的表面。前侧介电层260可以仅形成在idt指(例如，idt指138b)之间，或者可以
沉积为毯式层，使得介电层形成在idt指(例如，idt指138a)之间和上方。前侧介电层260可以是非压电介电材料，例如二氧化硅、氧化铝或氮化硅。前侧介电层260的厚度tfd通常小于压电板110的厚度tp的约三分之一，但可以等于或大于tp。前侧介电层260可以由两种或更多种材料的多层形成。在一些应用中，后侧介电层(未示出)可以形成在压电板110的后侧上。
[0030]
包括idt指138a、138b的第一金属层可以是以下材料的一层或多层：铝、铝合金、铜、铜合金、铍、金、钨、钼、铬、钛或一些其他导电材料。如果idt指由铝或包括至少50％铝的合金形成，则它们被认为是“基本上是铝的”。如果idt指由铜或包括至少50％铜的合金形成，则它们被认为是“基本上是铜的”。诸如铬或钛之类的金属薄层(相对于金属级的总厚度)可以形成在指的下方和/或上方和/或形成为这些指内的层，以提高指和压电板110之间的粘合性，和/或钝化或封装这些指和/或提高功率处理。
[0031]
图2b示出了xbar 100的在图1中被标识为“细节d”的部分的详细示意性截面图。包括母线134的第一金属级具有厚度tm1。tm1可以大于或等于50nm且小于或等于压电板110的厚度tp(图2a)的约两倍。包括二级母线144的第二金属级具有厚度tm2。第二金属级可以是以下材料的一层或多层：铝、铝合金、铜、铜合金、铍、金、钨、钼、铬、钛或一些其他导电材料。诸如铬或钛之类的金属薄层(相对于第二金属级的总厚度)可以形成在第二金属级的下方和/或上方和/或形成为第二金属级内的层，以以提高对第一金属级的粘合性和/或钝化或封装这些指。
[0032]
二级母线144的第一部分146设置在母线134的压电板110由基板120支撑的部分的上方。二级母线144的第二部分148延伸到跨越空腔150的振膜(图1中的115)上。二级母线144的第二部分148可以具有减小的厚度tm2r，如虚线所指示的，其中，tm2r《tm2。二级母线144的第二部分148的厚度tm2r可以例如小于或等于tm2的二分之一。减小空腔上方的第二金属层的厚度可以减小压电板110的振膜部分中的应力。二级母线144的第二部分148的厚度tm2r可以是零，即，二级母线144可以不延伸到振膜(图1中的115)上。
[0033]
图3a示出了xbar 100的在图1中被标识为“细节e”的部分的详细示意性平面图。具体地，图3a示出了第一金属级的包括母线134的部分以及第二金属级的包括第二母线144的部分。虚线是空腔的周边155(图1中的150)。虚线下方的二级母线144的第一部分146(如图3a所示)在压电板的由基板(图1中的120)支撑的部分上方。虚线上方的二级母线144的第二部分148(如图3a所示)延伸到振膜(图1中的115)上。
[0034]
众所周知，将母线134的角倒圆可以减少振膜中的应力，当角为直角时，该应力可能集中在母线的角处。通过将二级母线144的拐角370倒圆，可以进一步降低振膜中的应力集中。二级母线144的角半径可以但不必与母线134的角半径同心。
[0035]
图3b示出了xbar 100的在图1中被标识为“细节e”的部分的备选详细示意性平面图。具体地，图3b示出了第一金属级的包括母线134的部分以及第二金属级的包括第二母线144的部分。如图3a所示，母线134和二级母线144的角是倒圆的。此外，idt指374的端部以及idt指与母线134之间的内角372也被倒圆以最小化应力集中。倒圆的角的半径例如可以是idt指宽w的约二分之一。
[0036]
图4示出了另一xbar 400的简化示意性平面图。xbar 400由形成在由基板(不可见)支撑的压电板410的表面上的薄膜导体图案构成。压电板410的一部分形成跨越基板中
的空腔的振膜。虚线445是空腔的周边。压电板的材料和晶轴可以如前所述。
[0037]
xbar 400的导体图案包括形成在第一金属级中的叉指换能器(idt)。idt包括从第一一级母线432延伸的第一多个平行指(例如，指436)和从第二一级母线434延伸的第二多个指。
[0038]
xbar 400的导体图案包括第二金属层，该第二金属层包括分别覆盖第一一级母线432和第二一级母线434的至少部分的二级母线442、444。将滤波器电路中的多个xbar互连的导体(未示出)通常包括第一金属级和第二金属级两者。第三金属级(未示出)可以用于与在滤波器装置外部的电路的连接(例如，金或焊料凸块)。
[0039]
第一母线432/442和第二母线434/444用作xbar 400的端子。如前所述，施加在idt的两个母线432/442、434/444之间的射频或微波信号在压电板410内激发主声波模式。
[0040]
空腔在平行于母线的长轴的方向上延伸超过idt和一级母线的两端。第一导体级包括：结构480，该结构480在叉指换能器的两端与空腔445的周边重叠。结构480至少与空腔的延伸超过一级母线的端部的部分重叠。靠近一级母线432、434的端部的结构480的存在重定向了将另外集中在母线的角处的应力。如图4所示，结构480是矩形的，但也可以具有其他形状。例如，结构480的角可以是倒圆的。
[0041]
方法的描述
[0042]
图5是示出了用于制造并入xbar的滤波器装置的工艺500的简化流程图。具体地，工艺500用于制造包括多个xbar的滤波器装置，多个xbar中的一些可以包括频率设置介电层。工艺500在505处以装置基板和压电材料的薄板设置在牺牲基板上开始。压电板可以是例如铌酸锂或钽酸锂，它们中的任一种可以是z-切割的、旋转z-切割的或旋转yx-切割的。压电板可以是一些其他材料和/或一些其他切割。装置基板可以优选地是硅。装置基板可以是允许通过蚀刻或其他工艺形成深空腔的一些其他材料。
[0043]
工艺500在595处以完成的滤波器装置结束。图5的流程图仅包括主要的工艺步骤。可以在图5所示的步骤之前、之间、之后和期间执行各种常规工艺步骤(例如，表面制备、清洁、检查、烘烤、退火、监控、测试等)。
[0044]
虽然图5总体上描述了用于制造单个滤波器装置的工艺，但多个滤波器装置可以同时在共同晶片(由接合到基板的压电板组成)上制造。在这种情况下，工艺500的每个步骤可以在晶片上的所有滤波器装置上同时执行。
[0045]
图5的流程图捕获了用于制作xbar的工艺500的三种变体，该三种变体在何时以及如何在装置基板中形成空腔方面不同。可以在步骤510a、510b或510c处形成空腔。在工艺500的三种变体中的每种变体中仅执行这些步骤之一。
[0046]
在工艺500的一种变体中，在510a处压电板接合到基板之前，在515处一个或多个空腔形成在装置基板中。可以针对滤波器装置中的每个谐振器形成单独的空腔。可以使用常规光刻和蚀刻技术来形成一个或多个空腔。通常，在510a处形成的空腔将不贯穿装置基板。
[0047]
在515处，压电板接合到装置基板。压电板和装置基板可以通过晶片接合工艺接合。通常，装置基板和压电板的配合表面被高度抛光。中间材料(例如，氧化物或金属)的一层或多层可以形成或沉积在压电板和装置基板之一或两者的配合表面上。一个或两个配合表面可以使用例如等离子体工艺来激活。然后可以用相当大的力将配合表面压在一起，以
在压电板和装置基板或中间材料层之间建立分子键。
[0048]
在520处，可以去除牺牲基板。例如，压电板和牺牲基板可以是压电材料的晶片，该晶片已被离子注入以在晶体结构中沿着限定将成为压电板的晶片与牺牲基板之间的边界的平面产生缺陷。在520处，例如通过热冲击，分离牺牲基板并且留下接合到装置基板的压电板，晶片可以沿着缺陷平面被拆分。在牺牲基板被分离之后，压电板的暴露表面可以进行抛光或以某种方式进行处理。
[0049]
层压到非压电基板的单晶压电材料薄板是可市售的。在该应用中，铌酸锂板和钽酸锂极板都可接合到包括硅、石英和熔融石英的各种基板。现在或将来可获得其他压电材料的薄板。压电板的厚度可以在200nm与1000nm之间。当基板是硅时，sio2层可以设置在压电板与基板之间。当使用可市售的压电板/装置基板层压板时，不执行工艺500的步骤510a、515和520。
[0050]
在525处通过在压电板的前侧上沉积和图案化一个或多个导体层来形成包括每个xbar的idt的第一导体级。每个导体层可以是例如铝、铝合金、铜、铜合金或一些其他导电金属。可选地，可以将其他材料的一层或多层设置在下方(即，在导体层和压电板之间)以提高粘合性。例如，钛、铬或其他金属的薄膜可以用于提高导体层与压电板之间的粘合性。此外，其他材料的一层或多层可以设置在导体层的顶部以密封和平复底层导体层。
[0051]
在530处通过在压电板的前侧上沉积和图案化一个或多个附加导体层来形成包括二级母线的第二导体级。第二导体级可以包括如前所述的一个或多个导体层、粘合层和/或钝化层。
[0052]
在525和530处，可以通过在压电板的表面上顺序地沉积一个或多个导体层和可选地一个或多个其他金属层来形成第一导体级和第二导体级。然后可以通过图案化的光刻胶进行蚀刻来去除过多的金属。例如，可以通过等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、湿法化学蚀刻或其他蚀刻技术来蚀刻导体层。
[0053]
备选地，在525和530处，可以使用剥离工艺来形成第一导体层和第二导体层。光刻胶可以沉积在压电板上方并被图案化以限定导体图案。导体层和可选地一个或多个其他层可以顺序地沉积在压电板的表面上方。然后可以去除光刻胶，从而去除过多的材料，留下导体图案。第一导体级和第二导体级可以使用相同或不同的工艺来形成。
[0054]
在550处，可以通过在压电板的前侧上沉积介电材料的一层或多层来形成一个或多个频率设置介电层。例如，可以在并联谐振器上方形成介电层，以相对于串联谐振器的频率降低并联谐振器的频率。可以使用诸如物理气相沉积、原子层沉积、化学气相沉积或一些其他方法之类的常规沉积技术来沉积一个或多个介电层。一种或多种光刻工艺(使用光掩模)可以用于将介电层的沉积限制到压电板的选定区域。例如，可以使用掩模来限制介电层仅覆盖并联谐振器。
[0055]
在555处，钝化/调谐介电层沉积在压电板和导体图案上方。钝化/调谐介电层可以覆盖滤波器的除了用于电连接到位于滤波器外部的电路的焊盘之外的整个表面。在工艺500的一些实例中，可以在装置基板中的空腔在510b或510c处被蚀刻之后形成钝化/调谐介电层。
[0056]
在工艺500的第二变体中，在510b处，在装置基板的后侧中形成一个或多个空腔。可以针对滤波器装置中的每个谐振器形成单独的空腔。可以使用各向异性或依赖于取向的
干法或湿法蚀刻以开孔通过装置基板的后侧直到压电板来形成一个或多个空腔。在这种情况下，所得谐振器设备将具有如图1所示的截面。
[0057]
在工艺500的第三变体中，可以在510c处通过使用通过压电板中的开口引入的蚀刻剂蚀刻基板来在装置基板中形成呈凹槽形式的一个或多个空腔。可以针对滤波器装置中的每个谐振器形成单独的空腔。在510c处，形成的一个或多个空腔将不贯穿装置基板。
[0058]
理想情况下，在形成空腔、导体级和介电层之后，晶片上的大部分或所有滤波器装置将满足性能要求集合。然而，正常的工艺容差将引起参数(例如，在550和555处形成的介电层的厚度)的变化、在525和530处形成的导体和idt指的厚度和线宽的变化、以及压电板的厚度的变化。这些变化贡献于滤波器装置性能偏离性能要求集合。
[0059]
为了提高满足性能要求的滤波器装置的产量，可以通过选择性地调整在555处沉积在谐振器上方的钝化/调谐层的厚度来执行频率调谐。可以通过将材料添加到钝化/调谐层来降低滤波器装置在通带的频率，并且可以通过从钝化/调谐层中去除材料来增加滤波器装置通带的频率。通常，将工艺500偏置以产生具有最初低于所需频率范围但可以通过从钝化/调谐层的表面去除材料而被调谐到期望频率范围的通带的滤波器装置。
[0060]
在560处，可以使用探针卡或其他装置与滤波器进行电连接，以允许对滤波器特性(例如，输入-输出传递函数)的射频(rf)测试和测量。通常，在共同压电板和基板上同时制造的所有或大部分滤波器装置上进行rf测量。
[0061]
在565处，可以通过使用选择性材料去除工具(例如，如前所述的扫描离子磨)从钝化/调谐层的表面去除材料来执行全局频率调谐。以等于或大于各个单独滤波器装置的空间分辨率执行“全局”调谐。全局调谐的目的在于将每个滤波器装置的通带移向所期望的频率范围。可以对来自560的测试结果进行处理，以根据晶片上的二维位置生成全局等值线图，该等值线图指示要去除的材料的量。然后使用选择性材料去除工具根据等值线图去除该材料。
[0062]
在570处，除了在565处执行的全局频率调谐之外或代替在565处执行的全局频率调谐，可以执行局部频率调谐。以小于各个单独滤波器装置的空间分辨率执行“局部”频率调谐。可以对来自560的测试结果进行处理以生成指示要在每个滤波器装置处去除的材料的量的图。局部频率调谐可能需要使用掩模来约束去除了材料的区域的尺寸。例如，第一掩模可以用于将调谐约束为仅针对并联谐振器，并且第二掩模随后可以用于将调谐约束为仅针对串联谐振器(反之亦然)。这将允许对滤波器装置的下频带边缘(通过调谐并联谐振器)和上频带边缘(通过调谐串联谐振器)进行独立调谐。
[0063]
在565和/或570处进行频率调谐之后，在575处完成滤波器装置。在575处可以发生的动作包括：形成接合焊盘或焊料凸块或用于在装置与外部电路之间进行连接的其他装置(如果在530处未形成这种焊盘)；从包含多个滤波器装置的晶片上切除各个单独滤波器装置；其他封装步骤；以及附加测试。在每个滤波器装置完成之后，该工艺在595处结束。
[0064]
结束评语
[0065]
贯穿本发明书，所示实施例和示例应被视为示例，而不是对所公开或要求保护的装置和过程的限制。尽管本文呈现的许多示例涉及方法动作或系统元素的具体组合，但是应当理解，这些动作和这些元素可以以其他方式组合以实现相同的目标。关于流程图，可以采取附加和更少的步骤，并且所示的步骤可以组合或进一步细化以实现本文所述的方法。
仅结合一个实施例讨论的动作、元素和特征不旨在被排除在其他实施例中的类似作用之外。
[0066]
如本文所使用的，“多个”意味着两个或更多个。如本文所使用的，项目的“集合”可以包括一个或多个这种项目。如本文所使用的，无论是在说明书或权利要求书中，术语“包含”、“包括”、“携带”、“具有”、“含有”、“涉及”等应当理解为开放式的，即意味着包括但不仅限于。只有过渡短语“由
……
组成”和“基本上由
……
组成”分别是关于权利要求的封闭或半封闭过渡短语。在权利要求中使用诸如“第一”、“第二”、“第三”等顺序术语来修改权利要求元素本身并不意味着一个权利要求元素相对于另一权利要求元素的任何优先性、优先级或顺序或者执行方法的动作的时间顺序，而是仅用作标记，以将具有特定名称的一个权利要求元素与具有相同名称(但使用序数术语)的另一元素区分开来，从而区分这些权利要求元素。如本文所使用的，“和/或”意味着所列项目是备选方案，但备选方案还包括所列项目的任何组合。