包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底的制作方法

各种特征涉及封装件和衬底，但更具体地涉及包括嵌入包封层中的声学谐振器的衬底。

背景技术：

1、图1图示了包括衬底102、集成器件106、集成器件108和集成器件109的封装件100。集成器件106、集成器件108和集成器件109耦合到衬底102的表面。衬底102包括至少一个电介质层120和多个互连件122。多个焊料互连件130耦合到衬底102。集成器件106、108和109会占据大量空间和基板面。小型无线设备具有空间约束并且可能无法容纳许多集成器件。无线设备可能依赖于许多集成器件来提供高效和高效的无线通信。集成器件相对较大的尺寸可能会限制小型无线设备的无线性能，因为没有多少集成器件能够装入小型无线设备中。有提供具有更好的形状因子和更小尺寸的集成器件的持续需求使得集成器件可以在更小的设备中实现。

技术实现思路

1、各种特征涉及封装件和衬底，但更具体地涉及包括嵌入包封层中的声学谐振器的衬底。

2、一个示例提供了一种衬底，该衬底包括包封层、第一声学谐振器、第二声学谐振器、至少一个第一电介质层、多个第一互连件、至少一个第二电介质层和多个第二互连件。第一声学谐振器位于包封层中。第一声学谐振器包括第一压电衬底，该第一压电衬底包括第一厚度。第二声学谐振器位于包封层中。第二声学谐振器包括第二压电衬底，该第二压电衬底包括不同于第一厚度的第二厚度。至少一个第一电介质层耦合到包封层的第一表面。多个第一互连件耦合到包封层的第一表面。多个第一互连件至少位于至少一个第一电介质层中。至少一个第二电介质层耦合到包封层的第二表面。多个第二互连件耦合到包封层的第二表面。多个第二互连件至少位于至少一个第二电介质层中。

3、另一个示例提供了一种装置，该装置包括集成器件和耦合到该集成器件的衬底。衬底包括用于包封的部件、位于用于包封的部件中的用于第一声学谐振的部件、位于用于包封的部件中的用于第二声学谐振的部件、耦合到用于包封的部件的第一表面的至少一个第一电介质层、耦合到用于包封的部件的第一表面的多个第一互连件，其中多个第一互连件至少位于至少一个第一电介质层中，耦合到用于包封的部件的第二表面的至少一个第二电介质层，以及耦合到用于包封的部件的第二表面的多个第二互连件，其中多个第二互连件至少位于至少一个第二电介质层中。

4、另一个示例提供了一种用于制造衬底的方法。该方法提供了包括第一压电衬底的第一声学谐振器，该第一压电衬底包括第一厚度。该方法提供了包括第二压电衬底的第二声学谐振器，该第二压电衬底包括不同于第一厚度的第二厚度。该方法在第一声学谐振器和第二声学谐振器之上形成包封层。该方法在包封层的第一表面之上形成多个第一互连件。该方法在包封层的第一表面之上形成至少一个第一电介质层。该方法在包封层的第二表面之上形成多个第二互连件。该方法在包封层的第二表面之上形成至少一个第二电介质层。

技术特征：

1.一种衬底，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底，还包括位于所述包封层中的多个过孔互连件。

3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述多个过孔互连件包括耦合到所述第一声学谐振器的至少一个第一过孔互连件。

4.根据权利要求3所述的衬底，其中所述至少一个第一过孔互连件耦合到所述多个第一互连件。

5.根据权利要求3所述的衬底，其中所述至少一个第一过孔互连件耦合到所述多个第二互连件。

6.根据权利要求1所述的衬底，

7.根据权利要求6所述的衬底，

8.根据权利要求1所述的衬底，还包括：

9.根据权利要求8所述的衬底，其中所述第一声学谐振器、所述第二声学谐振器、所述第三声学谐振器和所述第四声学谐振器被配置为声学滤波器。

10.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一声学谐振器是声波(saw)器件、体声波(baw)器件、薄膜体声波谐振器(fbar)或轮廓模式谐振器(cmr)中的一者。

11.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第二声学谐振器是与所述第一声学谐振器不同类型的声学谐振器。

12.根据权利要求1所述的衬底，还包括：

13.根据权利要求1所述的衬底，还包括电感器和电容器，其中所述第一声学谐振器、所述第二声学谐振器、所述电感器和所述电容器被配置为双工器。

14.一种装置，包括：

15.根据权利要求14所述的装置，还包括位于所述用于包封的部件中的多个过孔互连件。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述多个过孔互连件包括耦合到所述用于第一声学谐振的部件的至少一个第一过孔互连件。

17.根据权利要求14所述的装置，

18.根据权利要求14所述的装置，还包括：

19.根据权利要求18所述的装置，其中所述用于第一声学谐振的部件、所述用于第二声学谐振的部件、所述用于第三声学谐振的部件和所述用于第四声学谐振的部件被配置为声学滤波器。

20.根据权利要求18所述的装置，

21.根据权利要求14所述的装置，其中所述用于第一声学谐振的部件是声波(saw)器件、体声波(baw)器件、薄膜体声波谐振器(fbar)或轮廓模式谐振器(cmr)中的一者。

22.根据权利要求14所述的装置，其中所述用于第二声学谐振的部件是与所述用于第一声学谐振的部件不同类型的用于声学谐振的部件。

23.根据权利要求14所述的装置，其中所述装置包括选自由以下组成的组的设备：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(iot)设备和机动车辆中的设备。

24.一种用于制造衬底的方法，包括：

25.根据权利要求24所述的方法，还包括在所述包封层中形成多个过孔互连件。

26.根据权利要求24所述的方法，

27.根据权利要求24所述的方法，还包括：

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一声学谐振器、所述第二声学谐振器、所述第三声学谐振器和所述第四声学谐振器被配置为声学滤波器。

29.根据权利要求24所述的方法，其中所述第一声学谐振器是声波(saw)器件、体声波(baw)器件、薄膜体声波谐振器(fbar)或轮廓模式谐振器(cmr)中的一者。

技术总结
一种衬底(202)，包括包封层(203)、第一声学谐振器(205)、第二声学谐振器(207)、至少一个第一电介质层(240)、多个第一互连件(244)、至少一个第二电介质层(260)和多个第二互连件(264)。该第一声学谐振器(205)位于该包封层中。该第一声学谐振器(205)包括第一压电衬底(250)，该第一压电衬底(250)包括第一厚度。该第二声学滤波器(207)位于该包封层(203)中。该第二声学谐振器(207)包括第二压电衬底(270)，该第二压电衬底(270)包括不同于该第一厚度的第二厚度。该至少一个第一电介质层耦合到该包封层的第一表面。该多个第一互连件耦合到该包封层的该第一表面。该多个第一互连件至少位于该至少一个第一电介质层中。

技术研发人员：金钟海,J-H·兰,R·达塔
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12