使小芯片能够旋转到多小芯片集群中的边缘接口放置的制作方法

本公开的实施例大体上涉及基于小芯片的系统，且更确切地说，涉及减少基于小芯片的系统的占用面积的小芯片架构。

背景技术：

1、小芯片是用于集成各种处理功能性的新兴技术。一般来说，小芯片系统由精密芯片(例如，不同衬底或裸片上的集成电路(ic))组成，这些芯片可集成在中介层上并且封装在一起。此布置不同于在一个衬底(例如，单裸片)上含有不同装置块(例如，知识产权(ip)块)的单芯片(例如，ic)，例如芯片上系统(soc)，或集成在板上的精密封装的装置。一般来说，小芯片提供比精密封装的装置更好的性能(例如，更低的功耗、更少的时延等)，并且小芯片提供比单裸片芯片更高的生产效益。这些生产效益可包含更高的良率或减少的开发成本及时间。

2、小芯片系统大体上由一或多个应用小芯片及支持小芯片组成。此处，应用小芯片与支持小芯片之间的区别只是对小芯片系统可能的设计情境的参考。因此，举例来说，合成视觉小芯片系统可包含用于产生合成视觉输出的应用小芯片以及支持小芯片，例如存储器控制器小芯片、传感器接口小芯片或通信小芯片。在典型的用例中，合成视觉设计者可设计应用小芯片并且从其它方获取支持小芯片。因此，由于避免设计及生产支持小芯片中所体现的功能性，因此减少了设计支出(例如，在时间或复杂性方面)。小芯片还支持ip块的紧密集成，否则可能很难实现，例如使用不同特征大小的那些ip块。因此，例如，在上一代制造期间设计的具有较大特征大小的装置，或特征大小针对功率、速度或产热进行优化(例如，针对传感器应用)的那些装置可与具有不同特征大小的装置集成，比尝试在单个裸片上集成更容易。另外，通过减小裸片的整体大小，小芯片的良率往往会高于更复杂的单裸片装置的良率。

技术实现思路

技术特征：

1.一种系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中在所述小芯片的所述侧面上的每个i/o衬垫块与所述小芯片的中心线相距一定距离放置在所述小芯片的外围处，所述距离等于在侧面上的所述多个所述i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

3.根据权利要求1所述的系统，其中每个小芯片在所述小芯片的侧面上包含偶数数目个i/o衬垫块，并且所述i/o衬垫块中的每一个与所述小芯片的中心线相隔一定距离放置在所述小芯片的外围处，所述距离等于邻近i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

4.根据权利要求1所述的系统，其中每个小芯片在所述小芯片的侧面上包含奇数数目个i/o衬垫块，包含i/o衬垫的中心块；并且其中i/o衬垫的所述中心块居中于所述小芯片的中心线上，并且其它i/o衬垫块与所述小芯片的所述中心线相距一定距离放置，所述距离等于所述其它i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个i/o衬垫块是所述小芯片上的微凸块的多个块。

6.根据权利要求1所述的系统，其包含：

7.根据权利要求6所述的系统，其包含：

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底包含中介层，所述中介层包含在晶片硅衬底封装上的芯片中。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底包含中介层，所述中介层包含嵌入式多裸片互连桥(emib)。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底是有机衬底。

11.根据权利要求1所述的系统，其中布置在所述中介层上的所述多个小芯片包含存储器控制器小芯片及存储器装置小芯片。

12.根据权利要求1所述的系统，其中所述中介层的所述互连件包含小芯片网状网络。

13.一种方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中i/o衬垫块与所述小芯片的所述中心线相距一定距离布置在所述小芯片的其对应边缘上，所述距离等于所述对应边缘上的所述多个i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

15.根据权利要求13所述的方法，其中形成多个小芯片包含形成小芯片以在所述小芯片的边缘上具有偶数数目个i/o衬垫块，并且所述边缘上的所述i/o衬垫块中的每一个与所述小芯片的所述中心线相距一定距离放置，所述距离等于邻近i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

16.根据权利要求13所述的方法，其中形成多个小芯片包含形成小芯片以在所述小芯片的侧面上具有奇数数目个i/o衬垫块，包含i/o衬垫的中心块；并且其中i/o衬垫的所述中心块居中于所述小芯片的所述中心线上，并且其它i/o衬垫块与所述小芯片的所述中心线相距一定距离放置，所述距离等于所述其它i/o衬垫块之间的距离的二分之一。

17.根据权利要求13所述的方法，其中形成中介层包含形成中介层以在所述中介层的所述互连件中包含小芯片网状网络。

18.根据权利要求13所述的方法，其中形成多个小芯片包含形成存储器控制器小芯片及存储器装置小芯片，并且将所述存储器控制器小芯片及所述存储器装置小芯片布置在所述中介层上。

19.根据权利要求13所述的方法，其中形成中介层包含形成作为包含在晶片硅衬底封装上的芯片中的硅衬底的中介层。

20.根据权利要求13所述的方法，其中形成中介层包含形成包含嵌入式多裸片互连桥(emib)的中介层。

21.根据权利要求13所述的方法，其中形成中介层包含形成包含有机衬底的中介层。

22.一种存储器装置，其包含：

23.根据权利要求22所述的存储器装置，

24.根据权利要求22所述的存储器装置，

技术总结
一种基于小芯片的系统包括：衬底，其包括导电互连件；及多个小芯片，其布置在中介层上并且使用所述衬底的所述导电互连件互连。小芯片包含多个列的多个输入‑输出(I/O)信道，并且所述I/O信道连接到I/O衬垫块，并且所述小芯片的每一侧面包含多个所述I/O衬垫块。在所述小芯片的所述侧面上的所述多个I/O衬垫块相对于所述小芯片的中心线对称地布置，并且在所述小芯片的所述侧面上的每个I/O衬垫块与所述侧面上的任何邻近I/O衬垫块相距共同距离。

技术研发人员：M·G·普莱克,T·M·布鲁尔
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14