电磁波噪声抑制片及其制造方法与流程

文档序号:36244984发布日期:2023-12-02 09:10阅读:51来源:国知局
电磁波噪声抑制片及其制造方法与流程

本发明涉及电磁波噪声抑制片及其制造方法。


背景技术:

1、碳纳米管具有如将均匀的平面石墨烯片卷成筒状这样的构造。碳纳米管由于具有这种独特的构造,因此具有各种各样的特性,有望在广泛的领域中得到应用。

2、例如在专利文献1中,记载有以相对于基材成为1g/cm2以上的方式涂布多壁碳纳米管而成的电磁波抑制片。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:特开2012-174833号公报


技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、上述这样的电磁波抑制片例如贴附到电子设备来使用。电子设备容易蓄积热。所以,要求电磁波噪声抑制性能以及热传导性高。当热传导性高时,能够使电子设备的热效率良好地散发。

3、而且,上述这样的碳纳米管的价格高,因此,如果能够在确保电磁波噪声抑制性能的同时将碳纳米管的一部分置换为其它无机材料,则能够实现低成本化。

4、本发明的若干方案的目的之一在于,提供电磁波噪声抑制性能和热传导性高且成本低的电磁波噪声抑制片。另外,本发明的若干方案的目的之一在于,提供电磁波噪声抑制性能和热传导性高且成本低的电磁波噪声抑制片的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本发明的电磁波噪声抑制片的一个方案,

7、包含第1层,所述第1层包含碳纳米管、无机填料以及羧甲基纤维素,

8、所述无机填料是从包括石墨、炭黑以及无机颜料的组中选择的至少一种,

9、所述无机填料的质量相对于所述碳纳米管的质量的比为1/4以上、2以下。

10、在所述电磁波噪声抑制片的一个方案中,也可以是,

11、所述无机填料为所述石墨。

12、在所述电磁波噪声抑制片的一个方案中,也可以是,

13、所述无机填料为所述无机颜料。

14、在所述电磁波噪声抑制片的一个方案中,也可以是,

15、所述无机颜料为高岭土。

16、在所述电磁波噪声抑制片的任意一个方案中,也可以是,

17、所述比为1以下。

18、在所述电磁波噪声抑制片的任意一个方案中,也可以是,

19、所述比为1以上。

20、在所述电磁波噪声抑制片的任意一个方案中,也可以是,

21、包含设置有所述第1层的第2层。

22、本发明的电磁波噪声抑制片的制造方法的一个方案包含:

23、制作包含碳纳米管、无机填料、羧甲基纤维素以及水的分散液的工序;以及

24、使所述分散液干燥而形成第1层的工序,

25、所述无机填料是从包括石墨、炭黑以及无机颜料的组中选择的至少一种,

26、在所述分散液中,所述无机填料的质量相对于所述碳纳米管的质量的比为1/4以上、2以下。

27、在所述电磁波噪声抑制片的制造方法的一个方案中,也可以是,

28、所述无机填料为所述石墨。

29、在所述电磁波噪声抑制片的制造方法的一个方案中,也可以是,

30、所述无机填料为所述无机颜料。

31、在所述电磁波噪声抑制片的制造方法的一个方案中,也可以是,

32、所述无机颜料为高岭土。

33、在所述电磁波噪声抑制片的制造方法的任意一个方案中,也可以是,

34、包含在形成所述第1层的工序之前,将所述分散液涂布到第2层的工序。

35、发明效果

36、本发明的电磁波噪声抑制片包含第1层,所述第1层包含碳纳米管、无机填料以及羧甲基纤维素,无机填料是从包括石墨、炭黑以及无机颜料的组中选择的至少一种,无机填料的质量相对于碳纳米管的质量的比为1/4以上、2以下,因此,电磁波噪声抑制性能和热传导性高且成本低。



技术特征:

1.一种电磁波噪声抑制片,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的电磁波噪声抑制片,其中,

3.根据权利要求1所述的电磁波噪声抑制片,其中,

4.根据权利要求3所述的电磁波噪声抑制片,其中,

5.根据权利要求2或4所述的电磁波噪声抑制片,其中,

6.根据权利要求2或4所述的电磁波噪声抑制片,其中,

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的电磁波噪声抑制片,其中,

8.一种电磁波噪声抑制片的制造方法,其特征在于,包含:

9.根据权利要求8所述的电磁波噪声抑制片的制造方法,其中,

10.根据权利要求8所述的电磁波噪声抑制片的制造方法,其中,

11.根据权利要求10所述的电磁波噪声抑制片的制造方法,其中,

12.根据权利要求8至11中的任意一项所述的电磁波噪声抑制片的制造方法,其中,


技术总结
提供电磁波噪声抑制性能和热传导性高且成本低的电磁波噪声抑制片。本发明的电磁波噪声抑制片(100)包含第1层(10),第1层(10)包含碳纳米管、无机填料以及羧甲基纤维素,无机填料是从包括石墨、炭黑以及无机颜料的组中选择的至少一种,无机填料的质量相对于碳纳米管的质量的比为1/4以上、2以下。

技术研发人员:迂山英秋,田村笃
受保护的技术使用者:北越株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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