存储器结构及其制造方法与流程

本公开为关于一种存储器结构及其制造方法。

背景技术：

1、切换装置具有许多应用，例如集成电路中的晶体管以及二极管。新的非易失性存储器技术的兴起，例如相变化存储器及电阻式存储器，已被令人兴奋的应用所激励，例如储存级存储器、固态硬盘、嵌入式非易失性存储器以及类神经计算。许多的这些应用在巨形「交叉点」阵列中显示密集堆积的，可提供许多的千兆位组。

2、此阵列中，准确读取或低功率写入的任何小子集阵列的存取需要强非线性iv特性，以使通过选择的装置的电流大幅超过通过未选择的装置的残余漏电。此非线性可通过在每一交叉点添加一分立式存取装置被明确地包括，或使用亦显示高非线性iv特性的非易失性存储器装置被隐含地包括。

3、其他类型的切换装置基于双向材料已知为双向定限开关，其特征是于切换阈值电压的电阻大幅下降，当电压下降至低于一保持阈值，阻挡状态下复原为高电阻。

4、切换装置已被使用于例如是各种可编程电阻式存储器装置中，包括一交叉点架构中所组织的多个单元的高密度阵列。一些交叉点架构使用多个存储器单元，例如包括一相变化存储器元件或串联一双向定线开关的其他电阻式存储器元。其他架构被使用，包括各种2维及3维阵列结构，亦可使用切换装置以选择阵列中的存储器元件。此外，双向定限开关已被提出，用于各种其他用途，包括所谓的类神经计算。

技术实现思路

1、本公开为关于一种存储器结构及其制造方法。

2、根据本公开的一方面，提出一种存储器结构，其包括一存储元件、一间隙壁结构以及一上元件结构。存储元件包括一下存储层与一上存储层在下存储层上。间隙壁结构在下存储层的一侧壁表面上。上元件结构电性连接在上存储层上。上元件结构的一下表面、下存储层的一上表面与上存储层的一侧壁表面定义为一凹口。

3、根据本公开的另一方面，提出一种存储器结构，其包括一上元件结构、一下元件结构、一存储元件以及一间隙壁结构。存储元件电性连接在上元件结构与下元件结构之间。存储元件包括一下存储侧壁表面与一上存储侧壁表面在存储元件的同一侧。间隙壁结构邻接下存储侧壁表面，且分离上存储侧壁表面。

4、根据本公开的又一方面，提出一种存储器结构的制造方法，其包括以下步骤。形成一存储器装置。存储器装置包括一存储元件。形成一间隙壁结构。间隙壁结构遮蔽存储元件的一下存储侧壁表面并露出存储元件的一上存储侧壁表面。进行一蚀刻步骤，从间隙壁结构露出的上存储侧壁表面移除存储元件的一部分。

技术特征：

1.一种存储器结构，包括：

2.如权利要求1所述的存储器结构，还包括一下元件结构，其中该存储元件电性连接在该下元件结构与该上元件结构之间。

3.如权利要求2所述的存储器结构，其中该下元件结构的一侧壁表面齐平该下存储层的该侧壁表面。

4.如权利要求1所述的存储器结构，还包括一绝缘元件及/或一空气隙在该凹口中。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中该上存储层在一横方向上的一尺寸是小于该下存储层在该横方向上的一尺寸。

6.如权利要求1所述的存储器结构，其中该下存储层的该上表面隔开该间隙壁结构与该上存储层。

7.如权利要求1所述的存储器结构，其中该间隙壁结构的上表面在一垂直方向上的位置是在该存储元件的厚度从底表面算起的1/3至1/2处。

8.一种存储器结构，包括：

9.如权利要求8所述的存储器结构，其中该间隙壁结构的上表面在一垂直方向上的位置是在该存储元件的厚度从底表面算起的1/3至1/2处。

10.一种存储器结构的制造方法，包括：

技术总结
本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一存储元件、一间隙壁结构以及一上元件结构。存储元件包括一下存储层与一上存储层在下存储层上。间隙壁结构在下存储层的一侧壁表面上。上元件结构电性连接在上存储层上。上元件结构的一下表面、下存储层的一上表面与上存储层的一侧壁表面定义为一凹口。

技术研发人员：赖二琨,龙翔澜,叶巧雯
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15