一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法与流程

文档序号:35925424发布日期:2023-11-04 15:26阅读:50来源:国知局
一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法与流程

本申请涉及电致发光,具体涉及一种薄膜、电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法。


背景技术:

1、现有量子点电致发光(quantum dot light emitting diodes,简称qled)器件/有机电激光显示(organic light-emitting diode,简称oled)器件均为有机无机复合器件,即空穴注入与传输是有机材料,电子注入与传输为无机材料。在实际喷墨打印这种结构的qled器件/oled器件时,我们发现无法确保发光层(尤其是qled器件的量子点发光层)的成膜均匀性,进行影响这些qled器件/oled器件用于显示时的发光效果。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供一种薄膜、电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法,旨在改善现有的电致发光器件结构无法在喷墨打印、溶液涂覆等溶液法沉积薄膜时确保发光层的成膜均匀性的技术问题。

2、本申请实施例是这样实现的,一种薄膜,所述薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物,所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。

3、可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜的材料由所述导电聚合物和所述温敏高分子化合物组成。

4、可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜内,沿着所述薄膜的厚度方向,所述温敏高分子化合物的分布逐渐变大或变小。

5、可选的,在本申请的一些实施例中,以所述薄膜的总质量计,所述温敏高分子化合物在所述薄膜中的质量分数为3~10%wt。

6、可选的,在本申请的一些实施例中,所述预设温度响应范围为28~35℃;和/或,所述温敏高分子化合物为聚(n-异丙基丙烯酰胺)。

7、可选的,在本申请的一些实施例中,所述导电聚合物包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物;和/或,所述导电聚合物为可交联的聚合物。

8、本申请还提供一种电致发光器件,包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极,其中,所述空穴传输层为上述的薄膜。

9、可选的,在本申请的一些实施例中,所述空穴传输层的厚度为10nm~50nm。

10、可选的,在本申请的一些实施例中,所述发光层包括量子点,所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种,所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种,所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete及cdznste中的至少一种,所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种,所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种;所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种,所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。

11、可选的,在本申请的一些实施例中,所述电致发光器件在所述阳极和所述空穴传输层之间还设置有空穴注入层;和或,所述电致发光器件在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子传输层。

12、本申请还提供一种显示屏,包括若干像素,每一所述像素为上述的电致发光器件。

13、相应的,本申请实施例还提供一种电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:提供阳极基板;提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液,将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成膜层后,对所述膜层进行干燥处理,得到空穴传输层;在所述空穴传输层上设置发光层;在所述发光层设置阴极;其中,所述温敏高分子化合物的分子内具有亲水基团和疏水基团。

14、可选的,在本申请的一些实施例中,通过溶液法将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成所述膜层。

15、可选的,在本申请的一些实施例中,所述干燥处理包括第一干燥处理,所述第一干燥处理为真空减压干燥处理,所述真空减压干燥处理时的工作温度为35℃~80℃,持续时间为2min~15min。

16、可选的,在本申请的一些实施例中,所述干燥处理还包括第二干燥处理,所述第二干燥处理为高温退火处理,所述高温退火处理时的工作温度为100℃~250℃,持续时间为5min~60min。

17、可选的,在本申请的一些实施例中,以所述空穴传输层的总质量计,所述温敏高分子化合物在所述空穴传输层中的质量分数为3~10%wt。

18、可选的,在本申请的一些实施例中,所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28~35℃;和/或,所述温敏高分子化合物为聚(n-异丙基丙烯酰胺)。

19、可选的,在本申请的一些实施例中,还包括以下步骤:在所述阳极基板和所述空穴传输层之间设置空穴注入层;和或,在所述阴极和所述发光层之间设置电子传输层。

20、在本申请中,其薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物。由于温敏高分子化合物的分子内同时具有亲水基团和疏水基团,其会在一温度响应范围内产生亲水/疏水间的可逆构象变化,具体体现在当温敏高分子化合物的温度高于其温度响应范围时,温敏高分子化合物会使得该薄膜的表面处于疏水状态。因而,当在该薄膜的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时,可利用溶液干燥过程中使得温敏高分子化合物的温度高于其温度响应范围时,温敏高分子化合物会使得该薄膜的表面处于疏水状态的特性,来利于新薄膜的成膜调控,进而能够确保新薄膜的成膜均匀性。同时,当该薄膜用作电致发光器件的空穴传输层时,亦可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是qled器件的量子点发光层)时,使得当前空穴传输层的表面处于疏水状态的特性,来利于发光层的成膜调控,进而确保发光层(尤其是qled器件的量子点发光层)的成膜均匀性。



技术特征:

1.一种薄膜,其特征在于,所述薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物,所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。

2.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述薄膜的材料由所述导电聚合物和所述温敏高分子化合物组成。

3.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述薄膜内,沿着所述薄膜的厚度方向,所述温敏高分子化合物的分布逐渐变大或变小。

4.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,以所述薄膜的总质量计,所述温敏高分子化合物在所述薄膜中的质量分数为3~10%wt。

5.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28~35℃;

6.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于,所述导电聚合物包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物;和/或,所述导电聚合物为可交联的聚合物。

7.一种电致发光器件,其特征在于,包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极,其中,所述空穴传输层为如权利要求1~6任一项所述的薄膜。

8.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的厚度为10nm~50nm。

9.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层包括量子点,所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种,所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种,所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete及cdznste中的至少一种,所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种,所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种;所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种,所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。

10.根据权利要求7~9任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件在所述阳极和所述空穴传输层之间还设置有空穴注入层;和/或,所述电致发光器件在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子传输层。

11.一种显示屏,其特征在于,包括若干像素,每一所述像素为如权利要求1~10任一项所述的电致发光器件。

12.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,通过溶液法将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成所述膜层。

14.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述干燥处理包括第一干燥处理,所述第一干燥处理为真空减压干燥处理,所述真空减压干燥处理时的工作温度为35℃~80℃,持续时间为2min~15min。

15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述干燥处理还包括第二干燥处理,所述第二干燥处理为高温退火处理,所述高温退火处理时的工作温度为100℃~250℃,持续时间为5min~60min。

16.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,以所述空穴传输层的总质量计,所述温敏高分子化合物在所述空穴传输层中的质量分数为3~10%wt。

17.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28~35℃;

18.根据权利要求12~17任一项所述的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:


技术总结
本申请公开一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法,属于电致发光技术领域。本申请的薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物,所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。本申请能够在该薄膜的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时,确保新薄膜的成膜均匀性。

技术研发人员:侯文军
受保护的技术使用者:TCL科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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