半导体结构及其形成方法与流程

本发明是关于半导体结构及其形成方法，特别是关于具有介电衬层的半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)广泛地应用于消费性电子产品中。为了增加动态随机存取存储器内的组件密度以及改善其整体表现，目前其制造技术朝向组件尺寸的微缩化而努力。

2、然而，当组件尺寸缩小，许多挑战随之而生。举例而言，在形成存储器装置的有源区时，由于有源区的材料在不同成分的表面上的沉积速率不同，沉积速率较快的部分将提早封口而产生接缝(seam)。上述接缝可能会在后续的热工艺中因再结晶而圆化并形成具有圆形剖面的空隙，导致后续形成的位线结构电阻上升。

技术实现思路

1、一种半导体结构的形成方法，包括：提供基板；在基板上形成多个接触开口，且接触开口的侧壁上设置有介电衬层；以及在基板上形成位线结构，且位线结构在第一方向上横跨接触开口，其中介电衬层在接触开口内围绕位线结构且在基板的顶表面上方延伸到位线结构中。

2、一种半导体结构，包括：基板，具有多个接触开口；介电衬层，设置于接触开口的多个侧壁上；以及位线结构，设置于基板上且在第一方向上横跨接触开口，其中介电衬层在接触开口内围绕位线结构且在基板的顶表面上方延伸到位线结构中。

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括刻蚀所述导电材料及所述半导体材料以分别形成所述位线结构的一接触件及一半导体层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括移除高于所述导电材料及所述半导体材料的顶表面的部分的所述介电间隔层。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电间隔层的形成包括：

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括进行刻蚀工艺以形成所述多个接触开口，且所述多个接触开口露出所述基板。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述介电衬层完全覆盖所述多个接触开口的所述侧壁。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构包括：

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，与所述位线结构相交的部分的所述介电衬层与所述接触件的顶表面齐平。

13.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，并未相交所述位线结构的部分的所述介电衬层与所述基板的所述顶表面齐平。

14.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构在所述第一方向上与所述介电衬层实体接触。

15.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构与所述介电衬层之间在一第二方向上具有间隔，且所述第二方向与所述第一方向垂直。

技术总结
本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基板；在基板上形成多个接触开口，且接触开口的侧壁上设置有介电衬层；以及在基板上形成位线结构，且位线结构在第一方向上横跨接触开口，其中介电衬层在接触开口内围绕位线结构且在基板的顶表面上方延伸到位线结构中。

技术研发人员：游捷钧
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16