体声波滤波器及其制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种体声波滤波器及其制备方法。


背景技术：

2.利用压电材料的逆压电效应制成的谐振结构，是晶体振荡器和滤波器的关键元件，其常常被应用于体声波滤波器(bulk acoustic wave，baw)中。体声波滤波器的构造方式主要有空气隙型和固体装配型(smr)，其中，空气隙型滤波器一般采用mems制造工艺在基片内形成空气间隙，以用于将声波限制在压电震荡堆之中。该结构具有很高的q值，并且具有较好的机械强度。
3.具体可参考图1示出的一种体声波滤波器的示意图，该体声波滤波器包括依次堆叠设置在一衬底上的谐振结构，所述谐振结构至少位于衬底内的腔体11上方。具体的，所述谐振结构包括依次堆叠设置的下电极21、压电材料层22和上电极23，所述下电极21、所述压电材料层22和所述上电极23在所述腔体11正上方相互重叠的区域构成了谐振结构的有效谐振区20a。其中，所述下电极21的边缘通常需要横向延伸出所述腔体11，以使得下电极21的边缘可以搭载在腔体11的边缘上，从而支撑所述下电极21及其上方膜层。以及，所述上电极23也需要横向延伸出所述腔体11，以实现上电极23的电性引出。
4.然而，所述上电极23横向延伸出腔体的部分不可避免的会和所述下电极21搭载在所述腔体边缘的部分存在空间重叠。即，所述上电极23和所述下电极21在腔体11之外的区域也会出现空间重叠而形成腔体外重叠区20b，所述腔体外重叠区20b作为谐振结构的非有效谐振区，其在有效谐振区20a的边缘会产生横向模态机械震动，造成额外的机械损失和产生一些杂波，从而会降低谐振结构的q值。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种体声波滤波器，以降低体声波滤波器在非有效谐振区内产生的机械损失，提高器件的q值。
6.为解决上述技术问题，本发明提供一种体声波滤波器，包括：衬底，所述衬底中形成有腔体；谐振结构，包括依次设置在所述衬底上的下电极、压电材料层和上电极，所述上电极具有延伸出所述腔体的上电极延伸部，所述下电极具有延伸出所述腔体的下电极延伸部，所述下电极延伸部和所述上电极延伸部在腔体之外相互错开；并且，所述下电极未延伸出腔体的端部悬空设置在所述腔体的上方；以及，支撑柱，设置在所述腔体内，并位于所述下电极悬空设置的端部的下方，用于支撑所述下电极。
7.可选的，所述下电极包括下电极本体部和连接下电极本体部的侧边并延伸出腔体的下电极引出端，所述上电极包括上电极本体部和连接上电极本体部的侧边并延伸出腔体的上电极引出端。其中，所述上电极延伸部包括所述上电极引出端，所述下电极延伸部包括所述下电极引出端。
8.可选的，所述上电极延伸部仅包括所述上电极引出端，所述下电极延伸部包括所
述下电极引出端和所述下电极本体部延伸出腔体的部分。
9.可选的，所述下电极本体部和所述上电极本体部均完全设置在所述腔体的正上方。
10.可选的，所述下电极本体部为多边形结构，所述支撑柱设置在所述多边形结构的顶角位置的下方。
11.可选的，所述支撑柱设置在所述上电极本体部的投影区域之外。
12.可选的，所述下电极悬空的端部上设置有朝向腔体外周的方向凸出的支撑部，所述支撑柱设置在所述支撑部的下方。
13.可选的，所述下电极、所述压电材料层、所述上电极和所述腔体相互重叠的区域构成有效谐振区域，所述支撑部凸出至所述有效谐振区域之外。
14.本发明的另一目的在于提供一种体声波滤波器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有腔体，并在所述腔体中填充牺牲材料层；在所述牺牲材料层中形成支撑柱；在所述衬底上依次形成下电极、压电材料层和上电极，其中所述上电极具有延伸出所述腔体的上电极延伸部，所述下电极具有延伸出所述腔体的下电极延伸部，所述下电极延伸部和所述上电极延伸部在腔体之外相互错开，并且所述下电极未延伸出腔体的端部覆盖所述支撑柱；以及，去除所述牺牲材料层。
15.可选的，所述支撑柱的形成方法包括：刻蚀所述牺牲材料层以形成通孔，并在所述通孔中填充支撑材料以形成所述支撑柱。
16.在本发明提供的体声波滤波器中，通过在腔体内设置支撑柱以支撑下电极及其上方的膜层，从而可允许下电极的端部悬空设置在腔体的区域内而不需要通过腔体的侧壁进行支撑，并且可以更为灵活的实现下电极延伸部和上电极延伸部在腔体之外相互错开，如此，即能够在实现上下电极的电性引出的基础上，有效规避上电极和下电极在腔体之外相互重叠，降低了在非有效谐振区域内因上下电极重叠而产生的机械能损失，提高器件的q值。
附图说明
17.图1为现有的一种体声波滤波器的俯视图。
18.图2为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器的俯视图。
19.图3为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器其下电极的示意图。
20.图4为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器其上电极的示意图。
21.图5为本发明一实施例中体声波滤波器的剖面示意图。
22.图6为本发明一实施例中的第二种体声波滤波器的俯视图。
23.图7为本发明一实施例中的体声波滤波器的制备方法的流程示意图。
24.图8-图11为本发明一实施例中的体声波滤波器在其制备过程中的结构示意图。
25.其中，附图标记如下：
26.11-腔体；
27.21-下电极；
28.22-压电材料层；
29.23-上电极；
30.20a-有效谐振区；
31.20b-腔体外重叠区；
32.100-衬底；
33.110-腔体；
34.200-谐振结构；
35.210-下电极；
36.211-下电极延伸部；
37.212-支撑部；
38.220-压电材料层；
39.230-上电极；
40.231-上电极延伸部；
41.300-支撑柱；
42.410-下电极互连线；
43.420-上电极互连线；
44.500-牺牲材料层。
具体实施方式
45.本发明的核心思路在于提供一种体声波滤波器，该体声波滤波器中额外设置有支撑柱，用于在下电极的悬空端部的下方进行支撑，使得下电极的至少部分边缘可内缩至腔体的区域范围内，避免了下电极和上电极在腔体之外相互重叠，从而消除了有效谐振区之外由上电极和下电极相互重叠而产生的横向模态机械震动，降低机械损失，提高器件的q值。
46.以下结合附图和具体实施例对本发明提出的体声波滤波器及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“横向”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
47.其中，图2为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器的俯视图，图3为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器其下电极的示意图，图4为本发明一实施例中的第一种体声波滤波器其上电极的示意图，图5为本发明一实施例中体声波滤波器的剖面示意图。图6为本发明一实施例中的第二种体声波滤波器的俯视图。
48.首先结合图2-图4以及图5所示，本实施例中的半导体结构包括：衬底100和形成在所述衬底100上的谐振结构200。
49.本实施例中，所述衬底100内还形成有腔体110，所述谐振结构200至少形成在所述腔体110的上方。本实施例中，所述谐振结构200可用于进一步构成薄膜体声谐振滤波器(film bulk acoustic resonator，fbar)。
50.继续参考图2所示，所述谐振结构200包括依次设置在所述衬底100上的下电极
210、压电材料层220和上电极230。具体的，所述下电极210、所述压电材料层220和所述上电极230在所述腔体110的上方具有相互重叠的部分，而所述下电极210、所述压电材料层220、所述上电极230和所述腔体110相互重叠的区域构成了有效谐振区域。其中，所述下电极210和上电极230的材料可以相同，例如均包括钼。以及，所述压电材料层220的材料例如包括氧化锌(zno)、氮化铝(aln)和锆钛酸铅(pzt)中的至少一种。
51.进一步的，所述上电极230具有延伸出所述腔体110的上电极延伸部231，所述下电极210具有延伸出所述腔体110的下电极延伸部211，所述上电极延伸部231和所述下电极延伸部211分别在不同区域延伸出所述腔体110，以使所述下电极210的下电极延伸部211和所述上电极230的上电极延伸部231在腔体110之外相互错开。具体而言，所述下电极210和所述上电极230部分位于所述腔体110的正上方，而位于腔体110的正投影区域内；以及，所述下电极210还部分从所述腔体110的正上方横向延伸出腔体的正投影区域之外而构成下电极延伸部211，所述上电极230还部分从所述腔体110的正上方横向延伸出腔体的正投影区域之外而构成上电极延伸部231。
52.需要说明的是，此处所述的“横向延伸”具体是指沿着平行于衬底表面的方向延伸。以及，此处所述的“正投影区域”例如是以衬底表面为投影面，投影至该投影面的投影区域。
53.即，下电极210和上电极230仅在所述腔体110的上方具有相互重叠的区域，而在腔体110之外不存在相互重叠的区域。此时，所述下电极210未延伸出腔体的端部即悬空设置在所述腔体110的上方，可以认为，上电极延伸部231即在所述下电极210悬空设置的端部上方延伸出所述腔体110，而所述上电极230对应于下电极延伸部211的端部也限制在腔体110的正上方而未延伸出腔体110。
54.具体示例中，所述上电极延伸部231和所述下电极延伸部211可分别朝不同方向延伸出所述腔体110，例如，图2所示的示例中，所述下电极延伸部211往第二方向(y1方向)延伸出，所述上电极延伸部231往第一方向(x1方向)延伸出。或者，所述上电极延伸部231和所述下电极延伸部211在平行于衬底表面相互开错的位置上延伸出所述腔体110，例如，所述上电极延伸部231和所述下电极延伸部211在图2所示的纸面上下错开的位置排布。
55.本实施例中，以所述上电极延伸部231和所述下电极延伸部211分别朝不同方向延伸出所述腔体110为例进行说明。需要说明的是，此处所述的“不同方向”指的是：电极延伸的具体朝向，其中相交的方向属于不同方向，例如图2中x1方向和y1方向为不同方向，相互背离的方向也属于不同方向，例如图2中x1方向和x2方向属于不同方向、y1方向和y2方向属于不同方向。
56.具体而言，所述上电极230的上电极延伸部231往第一方向(x1方向)延伸出所述腔体110，此时所述下电极210朝向第一方向的端部则悬空设置在所述腔体110的上方而未横向延伸出所述腔体110。即，相对于上电极230其延伸出腔体的上电极延伸部231而言，所述下电极210则避免在上电极延伸部231的下方再延伸出所述腔体110。以及，所述下电极210的下电极延伸部211往第二方向(y1方向)延伸出所述腔体110，此时所述上电极230朝向第二方向的端部则位于所述腔体110的上方而未横向延伸出所述腔体110。即，相对于下电极210其延伸出腔体的下电极延伸部211而言，所述上电极230则避免在下电极延伸部211的上方再延伸出所述腔体110。如此，即可使得上电极230和下电极210在腔体110之外未存在相
互重叠的部分，消除了有效谐振区之外由上电极230和下电极210相互重叠而产生的横向模态机械震动，从而可有效降低机械损失，提高器件的q值。
57.在图2-图4所示的示例中，所述上电极230仅将用于实现电性引出的上电极引出端延伸出所述腔体110，即，所述上电极延伸部231仅包括上电极引出端，以用于与互连线连接以电性引出所述上电极230，此时，只要使所述下电极210其对应于上电极延伸部231的端部限制在所述腔体110的区域范围内即可。在图2-图4所示的示例中，所述下电极210在x1方向、x2方向和y2方向上的端部均未延伸出所述腔体110。然而在其他示例中，还可以使得下电极210规避第一方向而在往更多方向上也延伸出所述腔体110，例如所述下电极210即使在x2方向和y2方向均延伸出所述腔体110，也仍然不会出现上电极230和下电极210在腔体110之外相互重叠的情况。
58.举例而言，可参考6所示的另一种结构，在图6所示的示例中，所述上电极230仅上电极引出端(即，上电极延伸部231)延伸出所述腔体110，所述下电极210在第二方向(y1方向)、第三方向(x2方向)和第四方向(x2方向)上均延伸出所述腔体110，并且所述下电极210延伸出所述腔体110的部分，可搭接在所述腔体110的边缘上，提高对下电极210及其上方膜层的支撑强度。
59.同样的，当所述下电极210仅将用于实现电性引出的下电极引出端延伸出所述腔体110，即，所述下电极延伸部211构成下电极引出端，以用于与互连线连接以电性引出所述下电极210，此时，也只要使所述上电极230其对应于下电极延伸部211的端部限制在所述腔体110的区域范围内即可。因此，针对所述下电极210仅下电极引出端延伸出所述腔体110的情况下，同样可以更为灵活的设置所述上电极230的分布，使得上电极230还可以在更多方向上也延伸出所述腔体110，例如所述上电极230即使在x2方向和y2方向均延伸出所述腔体110，也仍然不会出现上电极230和下电极210在腔体110之外相互重叠的情况。
60.简而言之，本实施例中，所述下电极210和所述上电极230以相互错开的方向分别横向延伸出所述腔体110，从而可以在确保上下电极的电性引出的基础上，避免了在腔体110之外上下电极相互重叠。可选的示例中，可使上电极230和下电极210仅各自的引出端横向延伸出所述腔体110，即，上电极延伸部231仅包括上电极引出端，下电极延伸部211仅包括下电极引出端(例如图2-图4所示的示例中)；或者在另一种示例，还可使下电极210在其他方向(除了上电极延伸出的方向)也延伸出腔体110以搭接在腔体110的边缘上，例如，针对所述上电极延伸部231仅包括所述上电极引出端的情况下，所述下电极延伸部211可包括所述下电极引出端，还可包括所述下电极230在其他方向上延伸出腔体的部分(例如图6所示的示例中)。
61.具体来说，所述下电极210可包括下电极本体部和连接下电极本体部的侧边并横向延伸出腔体的下电极引出端，所述上电极230可包括上电极本体部和连接上电极本体部的侧边并横向延伸出腔体的上电极引出端。其中，所述下电极本体部和所述上电极本体部主要用于实现其谐振功能，所述下电极引出端和所述上电极引出端分别用于实现下电极和上电极的电性引出。本实施例的上电极230中，其上电极本体部完全位于所述腔体110的正上方而未延伸出所述腔体，此时所述上电极延伸部231仅包括所述上电极引出端。
62.而在图2-图4所示的示例中，所述下电极本体部完全位于所述腔体110的正上方而未延伸出所述腔体110，所述下电极本体部可以为多边形结构(例如，五边形结构)，所述下
电极引出端连接所述下电极本体部的其中一边缘并横向延伸出腔体110，此时，所述下电极延伸部211仅包括所述下电极引出端。或者在图6所示的示例中，所述下电极本体部部分位于所述腔体的正上方并在x2方向和y2方向上延伸出所述腔体110，其下电极引出端在y1方向上延伸出腔体110，可以认为，图6中的下电极延伸部211包括了下电极引出端和下电极本体部延伸出腔体的部分。
63.应当认识到，本实施例中的下电极210可以根据上电极210的分布区域而灵活的调整其分布区域的前提在于，所述下电极210的下方额外设置有支撑柱300，所述支撑柱300的存在使得下电极210的边缘可以悬空设置在所述腔体110的上方，同时本实施例中通过优化支撑柱300的设置方式还可避免对谐振结构的谐振性能产生不利影响。
64.继续参考图2、图5和图6所示，所述支撑柱300设置在所述腔体110内，并位于所述下电极210悬空设置的端部的下方，用于支撑所述下电极210。本实施例中，所述支撑柱300仅在下电极210的端部支撑所述下电极210，大大降低了对下电极210及所构成的谐振结构的谐振性能造成影响。
65.具体示例中，可以在所述腔体110内设置有多个支撑柱300，多个支撑柱300沿着下电极210的端部边缘而依次排布。例如参考图2所示的示例中，所述下电极210仅在第二方向(y1方向)上延伸出腔体110之外，而朝向其他方向的端部均位于腔体110的区域范围内，此时多个支撑柱300沿着下电极210的各个端部的边缘依次排布，确保对下电极210及其上方膜层的稳固支撑。
66.如上所述，在具体示例中，所述下电极210的下电极本体部例如为多边形结构(例如，五边形结构)，针对下电极本体部完全设置在腔体的区域范围内时，则可在下电极本体部其多边形结构的各个顶角位置均对应设置所述支撑柱300，以在下电极本体部的各个顶角位置进行支撑。或者，在图6所示的示例中，所述下电极210的下电极本体部部分延伸出腔体，此时，可在下电极本体部未延伸出腔体而悬空设置的顶角位置设置所述支撑柱300。
67.可选的方案中，所述支撑柱300设置在所述上电极的230的投影区域之外，使得所述上电极230未覆盖所述支撑柱300。具体而言，所述支撑柱300设置在下电极本体部的边缘而未对应在所述上电极230的投影区域内。所述支撑柱300设置在所述上电极的230的投影区域之外，例如是以以衬底表面为投影面，所述支撑柱300在该投影面的投影位于所述上电极的230在该投影面的投影区域之外。如上所述，所述下电极210、所述压电材料层220、所述上电极230和所述腔体110相互重叠的区域构成有效谐振区域，因此，所述支撑柱300即设置在所述有效谐振区域之外，更大程度的降低甚至避免支撑柱300对谐振结构的谐振性能造成影响。
68.本实施例中，所述下电极210悬空的端部上设置有朝向腔体外周的方向凸出的支撑部212。即，所述下电极210悬空设置的端部上另设置有支撑部212，所述支撑部212在端部侧面上朝向腔体外周的方向横向凸出，所述支撑部212和所述支撑柱300的位置上下对应，以使所述支撑柱300支撑所述支撑部212。即，所述支撑柱300通过对延伸出的支撑部212进行支撑，避免对下电极210的主要振动区域进行支撑，进一步降低支撑柱300对谐振结构的谐振性能的影响。应当认识到，所述下电极210延伸形成的支撑部212仍位于所述腔体110的区域范围内。参考图2和图6所示，所述支撑柱300具体在下电极210的顶角位置进行支撑，因此可使所述下电极210其五边形结构的顶角均横向凸出而形成所述支撑部212。此外，所述
支撑部212横向凸出至上电极230的覆盖范围之外，以使所述上电极230未覆盖所述支撑部212。
69.进一步的，所述体声波滤波器还包括上电极互连线420和下电极互连线410，所述上电极互连线420连接所述上电极引出端，所述下电极互连线连接所述下电极引出端。其中，所述上电极互连线420和所述下电极互连线410的材料例如均包括金属材料。
70.基于如上所述的体声波滤波器，以下对其制备方法进行详细说明。具体可参考图7所示，所述体声波滤波器的制备方法包括如下步骤。
71.步骤s100，提供衬底，所述衬底中形成有腔体，并在所述腔体中填充牺牲材料层。
72.步骤s200，在所述牺牲材料层中形成支撑柱。
73.步骤s300，在所述衬底上依次形成下电极、压电材料层和上电极，以形成谐振结构。
74.步骤s400，去除所述牺牲材料层。
75.下面结合图8-图11对本实施例中的体声波滤波器的制备方法做进一步说明。
76.在步骤s100中，具体参考图8所示，提供衬底100，所述衬底100中形成有腔体110，并在所述腔体110中填充牺牲材料层500。所述牺牲材料层500将在后续制备完成谐振结构之后被去除，以释放出所述腔体。
77.其中，所述牺牲材料层500的形成方法例如包括：在所述衬底100上沉积牺牲材料(例如包括氧化硅)，所述牺牲材料填满所述腔体110；接着执行平坦化工艺(例如化学机械研磨工艺)以平坦化所述衬底表面，去除衬底表面上的牺牲材料，使得剩余的牺牲材料仅填充在所述腔体110内。
78.在步骤s200中，具体参考图9所示，在所述牺牲材料层500中形成支撑柱300。具体的，所述支撑柱300的形成方法例如包括：刻蚀所述牺牲材料层500以形成通孔，并在所述通孔中填充支撑材料以形成所述支撑柱300。其中，所述支撑柱300的材料例如包括氮化硅。
79.在步骤s300中，具体参考图10所示，在所述衬底100上依次形成下电极210、压电材料层220和上电极230，以形成谐振结构200。
80.其中，所述下电极210的形成方法具体包括：首先，在所述衬底100上形成电极材料层；接着，图形化所述电极材料层以形成所述下电极210。如上所述，所述下电极210形成在腔体110的上方并具有延伸出腔体的下电极延伸部，以及所述下电极210未延伸出腔体的端部则覆盖所述支撑柱300，从而在后续去除所述牺牲材料层500之后，即可利用所述支撑柱300支撑下电极210。
81.具体示例中，所述下电极210包括用于实现震动功能的下电极本体部和用于实现电性引出的下电极引出端，其中可仅使下电极引出端延伸出腔体110，此时下电极延伸部即为下电极引出端；或者，还可使下电极本体部部分延伸出腔体，此时下电极延伸部包括下电极引出端和下电极本体部延伸出腔体的部分。
82.本实施例中，在所述衬底100上还形成有用于与上电极230连接的上电极连接垫421，所述上电极连接垫421可辅助实现上电极230的电性引出。具体的，所述上电极连接垫421和所述下电极210利用同一电极材料层制备形成，即，在对电极材料层进行图形化工艺时，保留下电极210的部分和上电极连接垫421的部分，以分别构成相互分断的下电极210和上电极连接垫421。
83.以及，所述压电材料层220覆盖所述下电极层210和所述上电极连接垫421，并在所述压电材料层220上形成上电极230，本实施例中，所述上电极230包括用于实现震动功能的上电极本体部和用于实现电性引出的上电极引出端，其中可仅使上电极引出端延伸出腔体110，此时上电极延伸部即为上电极引出端。进一步的，所述上电极引出端延伸至所述上电极连接垫421的侧边，以利于上电极引出端和所述上电极连接垫421之间的电性连接。
84.进一步的方案中，在形成所述上电极230之后，还包括：刻蚀所述压电材料层220，以在所述压电材料层220中形成第一接触窗(图中未示出)和第二接触窗，所述第一接触窗暴露出所述下电极引出端，所述第二接触窗暴露出所述上电极连接垫421，并且所述接触窗也靠近所述上电极引出端；在所述第一接触窗中形成下电极互连线410，所述下电极互连线410连接所述下电极引出端，在所述第二接触窗中形成上电极互连线420，所述上电极互连线420的底部连接所述上电极连接垫421，所述上电极互连线420的顶部连接所述上电极引出端。
85.在步骤s400中，具体参考图11所示，去除所述牺牲材料层500，以释放出腔体110a的空间。具体可采用刻蚀工艺去除所述牺牲材料层500，以及所述牺牲材料层500和所述支撑柱300的材料不同，在刻蚀去除所述牺牲材料层后，所述支撑柱300仍被保留以用于支撑所述下电极210及其上方的膜层。
86.综上所述，本实施例提供的体声波滤波器中，通过在腔体内设置支撑柱，以利用支撑柱在腔体内对下电极及其上方膜层进行支撑。与传统工艺中需要将下电极延伸出腔体以利用腔体的侧壁对下电极进行支撑相比，本实施例中的下电极可以在支撑柱的支撑下而不必然需要全部延伸出腔体，有效规避上电极和下电极在腔体之外相互重叠，降低了在非有效谐振区域内因上下电极重叠而产生的机械能损失，提高器件的q值。
87.需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
88.还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
89.此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。