半导体结构及其形成方法与流程

本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、已经开发了多种晶体管结构以满足各种设计标准。由氧化物半导体制成的薄膜晶体管(tft)是用于后段制程(beol)集成的有吸引力的选择，因为tft可以在低温下处理，并且因此将不会损坏先前制造的器件。例如，制造条件和技术不会损坏先前制造的前段制程(feol)和中段制程(meol)器件。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成离散介电模板结构的二维阵列，其中，所述离散介电模板结构通过沟槽彼此间隔开；通过在所述沟槽的下部中沉积第一介电间隔件材料来形成第一介电间隔件矩阵层；通过在所述沟槽的上部中沉积第二介电间隔件材料来形成第二介电间隔件矩阵层；在每个所述离散介电模板结构的体积内形成一对源极腔和漏极腔；在每个所述源极腔和每个所述漏极腔中分别形成源电极和漏电极；以及在形成所述离散介电模板结构的所述二维阵列之前或之后形成栅电极，由此形成场效应晶体管的二维阵列。

2、本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：源极-间隔件-漏极组合的二维阵列，位于衬底上方并且通过复合介电矩阵彼此横向间隔开，其中，选自所述源极-间隔件-漏极组合的所述二维阵列的每个所述源极-间隔件-漏极组合包括与源电极和漏电极接触的电极间介电间隔件，并且其中，所述复合介电矩阵包括第一介电间隔件矩阵层和第二介电间隔件矩阵层，所述第一介电间隔件矩阵层包括第一介电间隔件材料，所述第二介电间隔件矩阵层包括第二介电间隔件材料并且位于所述第一介电间隔件矩阵层上面；有源层的二维阵列，位于所述源极-间隔件-漏极组合的所述二维阵列上面或下面；栅电极，通过栅极介电层与所述有源层的所述二维阵列间隔开；以及存储器结构的二维阵列，其中，所述存储器结构的所述二维阵列内的每个所述存储器结构电连接至所述源极-间隔件-漏极组合的所述二维阵列内的相应源电极。

3、本发明的又一实施例提供了一种半导体结构，包括：源极-间隔件-漏极组合的二维阵列，位于衬底上方并且通过复合介电矩阵彼此横向间隔开，其中，选自所述源极-间隔件-漏极组合的所述二维阵列的每个所述源极-间隔件-漏极组合包括与源电极和漏电极接触的电极间介电间隔件，并且其中，所述复合介电矩阵包括第一介电间隔件矩阵层和第二介电间隔件矩阵层，所述第一介电间隔件矩阵层包括第一介电间隔件材料，所述第二介电间隔件矩阵层包括第二介电间隔件材料并且位于所述第一介电间隔件矩阵层上面；有源层的二维阵列，位于所述源极-间隔件-漏极组合的所述二维阵列上面或下面；以及层堆叠件的二维阵列，其中，每个所述层堆叠件包括电荷存储元件、阻挡介电层和栅电极，并且通过隧穿介电层与所述有源层的所述二维阵列内的相应有源层间隔开。

技术特征：

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述开口的所述二维阵列中的每个所述开口具有在选自所述离散介电模板结构的相邻对上方和所述第二介电间隔件矩阵层的部分上方连续延伸的相应区域，所述离散介电模板结构沿着第一水平方向横向间隔开，所述沟槽的第一子集沿着所述第一水平方向横向延伸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

9.一种半导体结构，包括：

10.一种半导体结构，包括：

技术总结
在衬底上方形成离散介电模板结构的二维阵列。可以在离散介电模板结构之间的沟槽的下部中形成第一介电间隔件矩阵层。可以在沟槽的上部中形成第二介电间隔件矩阵层。可以在每个离散介电模板结构的体积内形成一对源极腔和漏极腔。可以在每个源极腔和每个漏极腔中分别形成源电极和漏电极。可以在形成离散介电模板结构的二维阵列之前或之后形成栅电极，以提供可以连接至存储器元件或可以包含存储器元件的场效应晶体管的二维阵列。本发明的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术研发人员：吴高铭,姜慧如,黄健豪,林仲德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12