本公开涉及真空光源,特别涉及一种光源、生成光的方法及半导体缺陷检测系统。
背景技术:
1、晶圆是半导体电路制作中重要的中间产物,通过在晶圆上蚀刻出各种电子器件电路以完成半导体电路制造。随着半导体行业逐步发展,现如今芯片先进制程工艺已达到纳米量级,同时图案化晶圆蚀刻图案也随着制程进步越发复杂精细,这使得在图案化晶圆中检测缺陷的难度增加。因此,精确检测出细微缺陷的半导体检测技术对半导体行业重要且关键,目前,半导体制造中一般通过晶圆检测系统维持并提高ic芯片制造的良率从而降低生产成本。
2、传统检测技术以光学检测为主,通过光学成像原理对相邻的晶圆进行比对,可以在短时间内进行大范围检测。在光谱学、测量等领域宽光谱光源主要长期使用卤素灯,氙灯等,具有低成本、宽光谱、产量大等优点。但是寿命短,光斑点大,光谱不够平滑,亮度不够高等特点仍然在很多应用上有许多的限制。
3、传统的辐射校准光源,如氘灯、石英窗卤素钨灯、长弧氙灯等在光谱测量范围上都具有非常大的局限性,因为上述光源无法在200nm-800nm范围内保持较高的输出。传统电致发光光源通过光源灯室电极加高压激发灯室中气体放电,从而发光。传统光源如弧光灯、氘灯、氙灯等,由于使用了电极耦合产生等离子体,亮度、uv光功率、寿命都有很大的限制。这些传统的使用电极驱动的灯源,由于高温的烧蚀,灯的寿命很短,传统光源需要在使用100小时或更短时间后进行重新校准,在使用600小时后还需要更换灯泡。
技术实现思路
1、本公开提供了一种光源,包括:发生腔,用于容纳工作气体;射频激励装置,与发生腔耦合,用于向发生腔产生射频使工作气体形成等离子体;以及激光发生装置,用于向发生腔发射激光以驱动等离子体发光。
2、本公开提供了一种半导体检测系统,包括:本公开的任意一项实施例中的光源,用于向半导体器件发射光;成像装置,用于对来自半导体器件的光进行成像;以及处理装置,用于对成像装置生成的图像进行分析,以检测半导体器件的缺陷。
3、本公开提供了一种用于生成光的方法,包括:对工作气体进行射频激励,以形成等离子体;以及对等离子体进行激光照射,以驱动等离子体发光。
1.一种光源,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光源,其特征在于,还包括:
3.根据权利要求2所述的光源,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的光源,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求4所述的光源,其特征在于,所述聚焦元件包括聚焦透镜、聚焦球面镜、凹面镜中的至少一种。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的光源,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的光源,其特征在于,所述透光腔体包括t型腔体、柱形腔体、球形腔体、椭球形腔体或其组合中的至少一种。
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的光源,其特征在于,所述射频激励装置被配置为在所述激光发生装置向所述发生腔发射激光的情况下,停止向所述发生腔产生射频。
9.根据权利要求1-5中任意一项所述的光源,其特征在于,还包括:
10.一种半导体检测系统,其特征在于,包括:
11.根据权利要求10所述的半导体检测系统,其特征在于,所述处理装置用于在图像中识别所述半导体器件的缺陷并对所识别的缺陷进行分类。
12.根据权利要求11所述的半导体检测系统,其特征在于,所述处理装置用于基于所述分类生成缺陷报告。
13.一种用于生成光的方法,其特征在于,包括:
14.根据权利要求13所述的用于生成光的方法,其特征在于,还包括以下中的一项或多项: