半导体存储装置及其制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体存储装置被要求更快的访问性能。

技术实现思路

1、实施方式提供具有更快的访问性能的半导体存储装置及其制造方法。

2、实施方式的半导体存储装置具有：基板；电路，其设置在所述基板上；多个第1电极，其设置在所述基板的上方，经由多个第1接触部与所述电路相连接；多个第2电极，其与所述多个第1电极相连接；存储单元阵列，其经由多个第2接触部与所述多个第2电极相连接，所述存储单元阵列包括块，所述块包括多个单元，各所述单元包括多个存储单元晶体管和将层叠体贯通的多个第1柱状部，所述层叠体由多个电极层隔着绝缘层层叠而形成；第1源极区域，其设置在所述存储单元阵列的上方，与所述多个存储单元晶体管的一部分电连接；第2源极区域，其设置在所述存储单元阵列的上方，与所述多个存储单元晶体管的其它一部分电连接；以及第1缝隙，其按各所述单元将所述第1源极区域与所述第2源极区域绝缘。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具有：

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，具有：

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

12.一种半导体存储装置，具有：

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，

14.根据权利要求12所述的半导体存储装置，具有：

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，

16.根据权利要求12所述的半导体存储装置，

17.根据权利要求16所述的半导体存储装置，

18.根据权利要求16所述的半导体存储装置，

19.一种半导体存储装置的制造方法，包括：

20.根据权利要求19所述的半导体存储装置的制造方法，包括：

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置(1)包括设置在基板(11)上的处理电路(12)、与处理电路(12)相连接的多个贴合电极(P2)以及与多个贴合电极(P2)相连接的多个贴合电极(P1)。另外，也包括与多个贴合电极(P1)相连接的存储单元阵列(110)。存储单元阵列(110)包括块(BLK)，块(BLK)包括串单元(SU)。各串单元(SU)包括多个存储单元(MT)和将隔着绝缘层(20b)层叠多个电极层(20a)而形成的层叠体(20)贯通的多个柱状部(CL)。半导体存储装置(1)具有缝隙(STD)，该缝隙(STD)按各串单元(SU)将与多个存储单元(MT)的一部分电连接的源极线(SL)和与存储单元(MT)的其它一部分电连接的源极线(SL)绝缘。

技术研发人员：山田健太,满野阳介,铃木拓也,北本克征,小宫谦
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15