薄膜的制备方法、光电器件与电子设备与流程

本技术涉及光电，具体涉及一种薄膜的制备方法、光电器件与电子设备。

背景技术：

1、薄膜是指由原子、分子或离子中的至少一种沉积于基板表面而形成的二维材料，薄膜的材料可以是有机化合物以及无机化合物中的至少一种。薄膜的种类包括但不限于是光学薄膜和半导体薄膜，薄膜被广泛应用于电子、机械、印刷等领域。

2、薄膜在极端环境下的稳定性影响着包含薄膜的产品的性能稳定性，极端环境例如可以是水氧含量高的高湿度环境，高湿度环境可能对产品的性能造成不可逆的负面影响。因此，如何提高薄膜在极端环境下的性能稳定性对薄膜的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

1、本技术提供了一种薄膜的制备方法、光电器件与电子设备，以改善薄膜在极端环境下的性能稳定性。

2、本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提供了一种薄膜的制备方法，包括步骤：

4、提供基板，在所述基板的一侧施加包含薄膜材料的溶液，以形成湿膜；以及

5、对所述湿膜进行干燥处理以形成固化膜，以用于形成所述薄膜；

6、其中，在所述薄膜的形成过程中，在第一预设时间段内，对位于所述基板的一侧的所述薄膜材料进行第一离子束轰击，以及在第二预设时间段内，对位于所述基板的一侧的所述薄膜材料进行第二离子束轰击；所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击中的一者为氢离子束轰击，另一者为氧离子束轰击。

7、可选地，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之后进行。

8、可选地，所述第一离子束轰击和所述第二离子束轰击是在所述形成湿膜的步骤之后且在所述干燥处理以形成固化膜的步骤之前进行。

9、可选地，所述包含薄膜材料的溶液的浓度为20mg/ml至50mg/ml；

10、和/或，所述薄膜的厚度为25nm至50nm；

11、和/或，所述第一预设时间段为20毫秒至50秒；

12、和/或，所述第二预设时间段为20毫秒至50秒；

13、和/或，所述干燥处理的时间为5分钟至60分钟。

14、可选地，所述氢离子束轰击为连续式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氢离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氢离子束轰击为间断式处理，所述氢离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氢离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氢离子束轰击时间的间隔为2s至5s，氢离子束轰击的次数为2次至10次；

15、和/或，所述氧离子束轰击为连续式处理，所述氧离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，所述氧离子束轰击的处理时间为20ms至60ms；或者，所述氧离子束轰击为间断式处理，所述氧离子束轰击的注入能量为1kev至10kev，每次氧离子束轰击时间为20ms至60ms，相邻两次氧离子束轰击的间隔为2s至5s，氧离子束轰击的轰击次数为2次至10次。

16、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击无重叠处理的时间段。

17、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击依照先后顺序分别进行；

18、或者，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击交替进行。

19、可选地，所述氢离子束轰击和所述氧离子束轰击存在至少部分重叠处理的时间段。

20、第二方面，本技术提供了一种光电器件，包括：

21、阳极；

22、阴极，与所述阳极相对设置；以及

23、功能层，设置于所述阳极与所述阴极之间；

24、其中，所述功能层中的至少一种膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得。

25、可选地，所述光电器件为正置型结构，至少与所述阴极相邻的膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得；

26、或者，所述光电器件为倒置型结构，至少与所述阳极相邻的膜层采用如第一方面中任意一种所述薄膜的制备方法制得。

27、可选地，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点；

28、其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料或dbp荧光材料中的至少一种；

29、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种；

30、和/或，所述阳极和所述阴极的材料彼此独立地选自金属、碳材料或金属氧化物材料中的至少一种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca或mg中的至少一种，所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物材料选自氧化铟锡、氟掺杂氧化锡、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或镁掺杂的氧化锌中的至少一种。

31、可选地，所述功能层还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层；

32、和/或，所述功能层还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述发光层之间，所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，对于包含所述电子注入层和所述电子传输层的所述电子功能层，所述电子注入层较所述电子传输层更靠近所述阴极，所述电子传输层较所述电子注入层更靠近所述发光层。

33、可选地，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、c60、nio、moo3、wo3、v2o5、cro3、cuo或p型氮化镓中的至少一种；

34、和/或，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，所述过渡金属氧化物选自niox、moox、wox、crox或cuox中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自mosx、mosex、wsx、wsex或cusx中的至少一种；

35、和/或，所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，所述有机膦化合物选自有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种；

36、和/或，所述电子传输层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种。

37、可选地，所述电子传输层的材料还包括丙三醇，在所述电子传输层中，所述金属氧化物：丙三醇的质量比为1：(0.01～0.1)。

38、和/或，所述金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm。

39、第三方面，本技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第二方面中任意一种所述的光电器件。

40、本技术提供了一种薄膜的制备方法、光电器件与电子设备，具有如下技术效果：

41、对于本技术中薄膜的制备方法，具体是在薄膜的形成过程中，通过氧离子束轰击和氢离子束轰击的处理工艺，以使薄膜获得过量的氢离子和过量的氧离子的饱和处理，因此，即使后续对薄膜进行结构与工艺的调整，也不会因极微量的氢离子和氧离子的存在而破坏自身的电学平衡，从而薄膜对水氧敏感度大幅度地下降，有效改善高湿度环境对薄膜性能的负面影响。

42、对于本技术的光电器件，在功能层中至少一种膜层的形成过程中，通过氧离子束轰击和氢离子束轰击的处理工艺，以使膜层获得过量的氢离子和过量的氧离子的饱和处理，有效降低了所述膜层对水氧的敏感度，从而提高了光电器件在高湿度环境下的光电性能和使用寿命；此外，在电子传输层中掺杂丙三醇，并且在电子传输层的形成过程中，对电子传输湿膜或电子传输层进行氧离子束轰击和氢离子束轰击处理，能够提升光电器件在高温环境下的性能，进而有利于提升光电器件在极端环境下的性能稳定性。

43、将本技术的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能、工作稳定性和使用寿命。