发光显示设备的制作方法

本公开内容涉及发光显示设备，更具体地，涉及一种发光显示设备，该发光显示设备包括多个薄膜晶体管(tft)以简化工艺并改进发光显示设备的驱动稳定性。

背景技术：

1、最近，能够在与正在观看信息的用户交互的同时显示各种类型的信息的显示装置具有各种尺寸和形式以及各种功能。

2、这样的显示装置的示例包括液晶显示(lcd)装置、电泳显示装置(fpd)、发光二极管(led)显示装置等。

3、led显示装置是一种自发光显示装置，其与lcd装置不同，不需要光源，因此可以以轻质且薄的形式制造。led显示装置作为下一代显示器正在被研究，这是因为其可以用低电压驱动并且因此在功耗方面具有优势，并且在色彩实现、响应速度、视角和对比率(cr)方面都非常出色。

4、当led显示装置是有机led(oled)显示装置时，发光元件层可以是包括阳极电极、发光层和阴极电极的有机发光元件层。此外，可以使用包括作为发光元件层的量子点(qd)的量子点led(qled)。尽管本文中假设led显示装置是oled显示装置，但是发光元件层的类型不限于此。

5、oled显示装置通过多个像素在屏幕上显示信息，每个像素包括具有发光的发光层的发光元件层，并且oled显示装置根据驱动像素的方法可以分类为有源矩阵型oled显示器(amoled)或无源矩阵型oled显示器(pmoled)。

6、amoled通过使用薄膜晶体管(tft)控制流过oled的电流来显示图像。

7、amoled可以包括各种类型的tft，包括开关tft、连接到开关tft的驱动tft和连接到驱动tft的oled。

8、可以在基板的显示区域中设置用于控制发光元件层的操作的多个驱动电路。发光元件层可以电连接到驱动电路。驱动电路可以根据扫描信号将对应于数据信号的驱动电流供应到发光元件层。像素驱动电路可以包括多个tft和存储电容器。

9、多个tft可以包括不同类型的半导体图案的形式或混合形式的tft。

技术实现思路

1、发明人已经认识到，由于使用不同类型的半导体图案，例如，由低温多晶硅(ltps)材料形成的多晶半导体图案和由氧化物形成的氧化物半导体图案，制造包括多晶硅半导体图案的tft的工艺和使用氧化物半导体图案制造tft的工艺应该分开执行，从而增加了工艺的数目并且使工艺复杂化。多晶半导体图案和氧化物半导体图案对于化学气体表现出不同的特性，从而使工艺更加复杂。

2、当oled显示装置被应用为用于其上显示大量静止图像的智能手表等的led显示装置时，在显示静止图像时可能会出现漏电流，从而增加功耗。因此，对简化led显示装置的制造工艺和改进led显示装置的tft的稳定性的方法进行了多种研究，但结果并不理想，因此开发这样的led显示装置很迫切。

3、本公开内容旨在提供一种发光显示设备，其中在半导体图案之间设置有绝缘层以保护不同类型的薄膜晶体管(tft)的半导体图案。

4、本公开内容还旨在提供一种发光显示设备，其中在不同类型的半导体图案之间设置有绝缘层，以保护不同类型的tft的半导体图案并减少工艺数目。

5、本公开内容还旨在提供一种发光显示设备，其中不同tft中的每一个的栅电极以及源电极和漏电极设置在同一层上以减少工艺数目和制造成本。

6、本公开内容还旨在提供一种发光显示设备，其包括在不同tft下方的阻挡层以确保tft在被驱动时的稳定性。

7、本公开内容还旨在提供一种发光显示设备，其中到包括氧化物半导体图案的驱动tft下方的阻挡层的距离被设置成小于到另一tft下方的阻挡层的距离以防止在低灰度下发生屏幕模糊。

8、根据本公开内容的实施方式的发光显示设备包括：基板，其包括第一区域和第二区域；第一tft，其设置在基板的第一区域中并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二tft，其设置在基板的第二区域中并且包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；在第一半导体图案与第二半导体图案之间的至少一个绝缘层；在第一半导体图案下方的第一阻挡层；以及在第二半导体图案下方的第二阻挡层。

9、根据本公开内容的另一实施方式的发光显示设备包括：基板，其包括第一区域和第二区域；第一tft，其设置在基板的第一区域中并包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二tft，其设置在基板的第二区域中并包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；在第一半导体图案下方的第一阻挡层；以及在第二半导体图案下方的第二阻挡层。

10、在根据本公开内容的实施方式的发光显示设备中，在不同类型的薄膜晶体管(tft)的半导体图案之间设置有绝缘层，以保护半导体图案并改进发光显示设备的显示质量和稳定性。

11、在根据本公开内容的实施方式的发光显示设备中，不同类型的半导体图案设置成与绝缘层的上侧和下侧接触，以在形成另一个半导体图案期间保护每个tft的半导体图案并且减少工艺数目。

12、在根据本公开内容的实施方式的发光显示设备中，不同类型的tft的栅电极以及源电极和漏电极设置在同一层上，以减少工艺数目和制造成本。

13、在根据本公开内容的实施方式的发光显示设备中，在不同的tft下方设置有阻挡层以确保tft在被驱动时的稳定性，从而改进显示质量。

14、在根据本公开内容的实施方式的发光显示设备中，到包括氧化物半导体图案的驱动tft下方的阻挡层的距离被设置成小于到另一个tft下方的阻挡层的距离，以减小驱动tft中的电流变化，从而防止在低灰度下的驱动tft中出现画面模糊。

15、本公开内容的效果不限于此，并且本领域普通技术人员将从以下描述清楚地理解这里未描述的其他效果。

技术特征：

1.一种发光显示设备，包括：

2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一阻挡层至少部分地与所述第一半导体图案交叠，并且所述第二阻挡层至少部分地与所述第二半导体图案交叠。

3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第二半导体图案与所述第二阻挡层之间的第二垂直距离小于所述第一半导体图案与所述第一阻挡层之间的第一垂直距离。

4.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案与所述第一阻挡层之间的缓冲层的数目比所述第二半导体图案与所述第二阻挡层之间的缓冲层的数目多至少一个。

5.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极设置在彼此相同的层上，并且

6.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第二阻挡层电连接到所述第二漏电极和发光元件层。

7.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第二阻挡层电连接到存储电容器。

8.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案包括多晶半导体图案，并且所述第二半导体图案包括氧化物半导体图案。

9.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案是氧化物半导体图案。

10.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述至少一个绝缘层的下侧与所述第一半导体图案接触，并且所述至少一个绝缘层的上侧与所述第二半导体图案的下侧接触。

11.根据权利要求1所述的发光显示设备，还包括：在所述基板上的触摸传感器层。

12.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述触摸传感器层包括第一触摸连接电极、在所述第一触摸连接电极上的触摸绝缘层、以及在所述触摸绝缘层上的第一触摸电极和第二触摸电极。

13.根据权利要求12所述的发光显示设备，其中，检测所述第一触摸电极与所述第二触摸电极之间的互电容的变化，以感测是否存在触摸并感测触摸位置。

14.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极设置在同一层上，并且

15.根据权利要求6所述的发光显示设备，还包括：设置在所述发光元件层上的保护层。

16.一种发光显示设备，包括：

17.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在彼此相同的层上，

18.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一阻挡层至少部分地与所述第一半导体图案交叠，并且所述第二阻挡层至少部分地与所述第二半导体图案交叠。

19.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第二半导体图案与所述第二阻挡层之间的第二垂直距离小于所述第一半导体图案与所述第一阻挡层之间的第一垂直距离。

20.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案与所述第一阻挡层之间的缓冲层的数目比所述第二半导体图案与所述第二阻挡层之间的缓冲层的数目多至少一个。

21.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第二阻挡层电连接到所述第二漏电极和发光元件层。

22.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第二阻挡层电连接到存储电容器。

23.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案包括多晶半导体图案，并且所述第二半导体图案包括氧化物半导体图案。

24.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案是氧化物半导体图案。

25.根据权利要求16所述的发光显示设备，还包括：在所述基板上的触摸传感器层。

26.根据权利要求25所述的发光显示设备，其中，所述触摸传感器层包括第一触摸连接电极、在所述第一触摸连接电极上的触摸绝缘层、以及在所述触摸绝缘层上的第一触摸电极和第二触摸电极。

27.根据权利要求26所述的发光显示设备，其中，检测所述第一触摸电极与所述第二触摸电极之间的互电容的变化，以感测是否存在触摸并感测触摸位置。

28.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在彼此相同的层上，

29.根据权利要求21所述的发光显示设备，还包括：设置在所述发光元件层上的保护层。

30.一种发光显示设备，包括：

31.一种显示设备，包括：

技术总结
本公开内容提供了一种发光显示设备，其包括：包括第一区域和第二区域的基板；第一薄膜晶体管(TFT)，其设置在基板的第一区域中，并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极；第二薄膜晶体管TFT，其设置在基板的第二区域中，并且包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；在第一半导体图案与第二半导体图案之间的至少一个绝缘层；在第一半导体图案下方的第一阻挡层；以及在第二半导体图案下方的第二阻挡层。

技术研发人员：罗炫锡,金相吉,安宰俊,朴炯宣,玄昌锡
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15