具有平面化层的有机发光二极管显示器的制作方法

背景技术：

1、本公开整体涉及电子设备，并且更具体地涉及具有显示器的电子设备。

2、电子设备通常包括显示器。例如，电子设备可具有基于有机发光二极管像素的有机发光二极管(oled)显示器。在这种类型的显示器中，每个像素都包括发光二极管和薄膜晶体管，薄膜晶体管用于控制向发光二极管施加信号以产生光。发光二极管可包括定位在阳极和阴极之间的oled层。

技术实现思路

1、本发明公开了一种可具有显示器诸如有机发光二极管显示器的电子设备。有机发光二极管(oled)显示器可具有有机发光二极管像素阵列，该有机发光二极管像素各自具有插置在阴极和阳极之间的oled层。第一钝化层、第一平面化层和第二钝化层可形成在阴极上方。第一钝化层和第二钝化层可由无机材料形成。第一平面化层可由有机材料形成。偏振片可以形成在第二钝化层上方。

2、第二平面化层可以形成在第二钝化层上方介于第二钝化层与偏振片之间。第二平面化层可以在显示器的有效区域的边缘处平坦化偏振片，其中该偏振片否则将具有陡峭的锥度。以这种方式平坦化偏振片减轻从偏振片的不期望的二次反射。第二平面化层可由有机材料形成。

3、第一平面化层可以在显示器的有效区域上方具有最大厚度并在显示器的无效区域上方具有最小厚度。第一钝化层和第二钝化层可以在显示器的无效区域中直接接触。为了补偿第一平面化层的厚度变化，第二平面化层可以在显示器的无效区域上方具有最大厚度并在显示器的有效区域上方具有最小厚度。

技术特征：

1.一种具有显示器的电子设备，所述电子设备包括：

2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一平面化层在所述发光区域上方插置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层在所述显示器的与所述发光区域相邻的非发光区域中直接接触。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中所述显示器具有周边边缘，并且所述非发光区域沿着所述周边边缘形成。

6.根据权利要求4所述的电子设备，其中所述非发光区域被所述发光区域横向包围。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一平面化层和所述第二平面化层由有机材料形成，并且其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由无机材料形成。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二平面化层具有与所述发光区域重叠的第一部分和与所述显示器的非发光区域重叠的第二部分，其中所述第二平面化层的所述第一部分具有第一厚度，其中所述第二平面化层的所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中所述第一平面化层具有与所述发光区域重叠的第一部分和与所述非发光区域重叠的第二部分，其中所述第一平面化层的所述第一部分具有第三厚度，并且其中所述第一平面化层的所述第二部分具有小于所述第三厚度的第四厚度。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二平面化层具有最小厚度和比所述最小厚度大至少50％的最大厚度。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第二平面化层具有上表面，并且其中所述上表面具有每1毫米横向延伸下降3微米的最大坡度。

11.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

12.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

13.一种具有发光区域和非发光区域的显示器，所述显示器包括：

14.根据权利要求13所述的显示器，还包括：

15.根据权利要求13所述的显示器，其中所述第一有机平面化层具有在所述发光区域上方的第一厚度和在所述非发光区域上方的小于所述第一厚度的第二厚度，并且其中所述第二有机平面化层具有在所述非发光区域上方的第三厚度和在所述发光区域上方的小于所述第三厚度的第四厚度。

16.一种电子设备，包括：

17.根据权利要求16所述的电子设备，其中所述第一平面化层和所述第二平面化层由有机材料形成，并且其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由无机材料形成。

18.一种电子设备，包括：

19.根据权利要求18所述的电子设备，其中所述金属层部分是金属层的一部分，并且其中所述金属层包括在所述有机发光二极管像素阵列上方形成触摸传感器金属的附加金属层部分。

20.根据权利要求18所述的电子设备，其中所述切割结构具有底切。

技术总结
本公开涉及具有平面化层的有机发光二极管显示器。本文公开了一种可具有显示器诸如有机发光二极管显示器的电子设备。有机发光二极管(OLED)显示器可具有有机发光二极管像素阵列，该有机发光二极管像素各自具有插置在阴极和阳极之间的OLED层。第一钝化层、第一平面化层和第二钝化层可形成在阴极上方。第一钝化层和第二钝化层可由无机材料形成。第二平面化层可以形成在第二钝化层上方介于第二钝化层与偏振片之间。第二平面化层可以在显示器的有效区域的边缘处平坦化偏振片，其中该偏振片否则将具有陡峭的锥度。以这种方式平坦化偏振片减轻从偏振片的不期望的二次反射。第一平面化层和第二平面化层可由有机材料形成。

技术研发人员：P·曼德里克,B·拉尔古迪·维斯韦沃兰,A·马哈詹,C-H·常,C·E·格拉佐夫斯基,D·L·韦,芦慧,石井孝英,T·阿分塔克斯,刘晗,谢承志,A·瑟曼,张世昌,陈科维,林上智,蔡宗廷,崔宰源,A·贾姆希德·罗德巴里,常鼎国,J-P·S·吉罗
受保护的技术使用者：苹果公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13