压电振动元件的制造方法与流程

本发明涉及一种制造方法，且特别是涉及一种压电振动元件的制造方法。

背景技术：

1、由于小型化的趋势，在压电振动元件(例如是石英振荡器)的制造方法中常会使用多道曝光显影工艺来取代切割研磨工艺，以符合石英振荡器对精密度的要求，然而，使用越多道曝光显影工艺在人力、光罩及机台等制造成本上就会越高，因此如何在维持石英振荡器对精密度的要求的同时降低制造成本实为一种挑战。

技术实现思路

1、本发明提供一种压电振动元件的制造方法，其可以在维持压电振动元件对精密度的要求的同时降低制造成本。

2、本发明的一种压电振动元件的制造方法至少包括以下步骤。提供石英晶圆。全面地分别形成第一金属材料层与第二金属材料层于石英晶圆的第一表面与第二表面上。全面地分别形成第一光阻材料层与第二光阻材料层于第一金属材料层与第二金属材料层上。仅对第一光阻材料层进行曝光显影工艺，以形成第一图案化光阻层。通过第一图案化光阻层移除部分第一金属材料层，以形成金属图案。完全移除第一表面及第二表面之光阻。

3、在本发明的一实施例中，上述的制造方法更包括以下步骤。全面地分别形成第三光阻材料层于第一金属层材料层上与第四光阻材料层于第二金属材料层上。对第三光阻材料层与第四光阻材料层分别进行曝光显影工艺，以形成第二图案化光阻层与第三图案化光阻层。

4、在本发明的一实施例中，上述的制造方法更包括以下步骤。通过金属图案与第二图案化光阻层移除石英晶圆的第一部分，以形成从第一表面延伸至石英晶圆内的凹槽图案。

5、在本发明的一实施例中，上述的制造方法在形成凹槽图案后更包括以下步骤。通过第二图案化光阻层移除金属图案的一部分。通过所述第三图案化光阻层移除第二金属材料层的一部分。移除石英晶圆的第二部分，以将多个凹槽图案延伸贯穿至第二表面。

6、在本发明的一实施例中，上述的移除石英晶圆的第二部分后形成元件区、支撑区与分隔区，且分隔区位于元件区与支撑区之间。

7、在本发明的一实施例中，上述的形成元件区、支撑区与分隔区后移除第二图案化光阻层、第三图案化光阻层、金属图案的另一部分与第二金属材料层的另一部分。

8、在本发明的一实施例中，移除上述的石英晶圆的第二部分后支撑区上的支撑结构与元件区上的压电振动元件构成h型结构。

9、在本发明的一实施例中，上述的压电振动元件为平片状。

10、在本发明的一实施例中，上述的压电振动元件不为音叉状。

11、在本发明的一实施例中，上述的压电振动元件的厚度至少小于50微米。

12、基于上述，本发明的压电振动元件的制造方法做了简化工艺的设计，亦即本发明的压电振动元件的制造方法仅对石英晶圆的一面上的光阻材料层进行一次曝光显影工艺，非同时对石英晶圆的二面上的光阻材料层进行二次曝光显影工艺，且通过前述曝光显影后的光阻层所界定出的金属图案还是可以在单面上用于定义出压电振动元件的平面尺寸，因此可以在维持压电振动元件对精密度的要求的同时降低制造成本。

13、为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

技术特征：

1.一种压电振动元件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，更包括：

3.根据权利要求2所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，更包括：

4.根据权利要求3所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，在形成所述凹槽图案后更包括：

5.根据权利要求4所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，移除所述石英晶圆的所述第二部分后形成元件区、支撑区与分隔区，且所述分隔区位于所述元件区与所述支撑区之间。

6.根据权利要求5所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，形成所述元件区、所述支撑区与所述分隔区后移除所述第二图案化光阻层、所述第三图案化光阻层、所述金属图案的另一部分与所述第二金属材料层的另一部分。

7.根据权利要求5所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，移除所述石英晶圆的所述第二部分后所述支撑区上的支撑结构与所述元件区上的所述压电振动元件构成h型结构。

8.根据权利要求1所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，所述压电振动元件为平片状。

9.根据权利要求1所述的压电振动元件的制造方法，其特征在于，所述压电振动元件的厚度至少小于50微米。

技术总结
本发明提供一种压电振动元件的制造方法至少包括以下步骤。提供石英晶圆。全面地分别形成第一金属材料层与第二金属材料层于石英晶圆的第一表面与第二表面上。全面地分别形成第一光阻材料层与第二光阻材料层于第一金属材料层与第二金属材料层上。仅对第一光阻材料层进行曝光显影工艺，以形成第一图案化光阻层。通过第一图案化光阻层移除部分第一金属材料层，以形成金属图案。移除第一图案化光阻层与第二光阻材料层。

技术研发人员：黄博声,卓介仁,薛世峰,庄青叡,陈子帆,陈秋华
受保护的技术使用者：台湾晶技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6