自唤醒电路及电子设备的制作方法

本发明涉及电路，尤其涉及一种自唤醒电路及电子设备。

背景技术：

1、在物联网技术领域，极低的功耗可以有效延长电子设备的使用时间，进而提高电子设备的产品竞争力。

2、为降低电子设备的功耗，通常通过控制电子设备在较长时间内处于休眠状态来实现。在使用电子设备时，将电子设备唤醒。

3、然而，现有技术中，多数采用定时器溢出方式实现自唤醒，需要时钟电路的支持。然而，依赖内/外部的时钟电路才能触发类似中断等情况下，实现连续的自唤醒，无法满足极低功耗的应用场景。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的是无时钟电路的情况下，难以实现电子设备连续的自唤醒的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种自唤醒电路，包括：偏置单元、自唤醒单元、输出单元，其中：所述偏置单元，其输出端与所述自唤醒单元的输入端耦接，适于生成偏置电压并输出至所述自唤醒单元；所述自唤醒单元，其第一输出端与所述输出单元的第一输入端耦接，输出第一自唤醒信号；其第二输出端与所述输出单元的第二输入端耦接，输出第二自唤醒信号；所述第一自唤醒信号与所述第二自唤醒信号互补；所述输出单元，适于根据所述第一自唤醒信号以及所述第二自唤醒信号，输出唤醒信号。

3、可选的，所述偏置单元，包括：第一阻抗单元、二极管、功率管、第一电容、放大管，其中：所述第一阻抗单元，其第一端输入电源电压，其第二端与所述功率管的控制端、放大管的第一端耦接；所述功率管，其控制端输入所述电源电压，其第二端与所述放大管的第一端耦接；所述放大管，其控制端与所述偏置单元的输出端耦接，其第二端与所述二极管的第一端耦接；所述二极管，其第二端与所述偏置单元的接地端耦接；所述第一电容，其第一端与所述偏置单元的输出端耦接，其第二端与所述偏置单元的接地端耦接。

4、可选的，所述第一阻抗单元包括：第一pmos管以及第二pmos管，其中：所述第一pmos管，其源极与所述第一阻抗单元的第一端耦接，其栅极与其漏极耦接，其漏极与所述第二pmos管的栅极以及所述第二pmos管的漏极耦接；所述第二pmos管，其源极与所述第一阻抗单元的第二端耦接。

5、可选的，所述功率管包括第一nmos管，所述放大管包括第二nmos管，所述二极管包括第三pmos管，所述电容包括第三nmos管，其中：所述第一nmos管，其漏极为所述功率管的第一端，其栅极为所述功率管的控制端，其源极为所述功率管的第二端；所述第二nmos管，其漏极为所述放大管的第一端，其栅极为所述放大管的控制端，其源极为所述放大管的第二端；所述第三pmos管，其源极为所述二极管的第一端；其栅极与其漏极耦接，为所述二极管的第二端；所述第三nmos管，其栅极为所述第一电容的第一端；其源极与其漏极耦接，为所述第一电容的第二端。

6、可选的，所述自唤醒单元，包括三级反相模块、第二阻抗单元以及第二电容，其中：第一反相模块，其电源端与所述自唤醒单元的输入端耦接，其输入端与所述第二电容的第一端耦接，其输出端与所述第二反相模块的输入端耦接；所述第二反相模块，其电源端与所述自唤醒单元的输入端耦接，其输出端与所述第三反相模块的输入端耦接；所述第三反相模块，其电源端与所述自唤醒单元的输入端耦接，其输入端与所述自唤醒单元的第一输出端耦接，其输出端与所述自唤醒单元的第二输出端耦接；所述第二阻抗单元，其第一端与所述第一反相模块的输入端耦接，其第二端与所述第一反相模块的输出端耦接；所述第二电容，其第二端与所述第二反相模块的输出端耦接。

7、可选的，所述第二阻抗单元包括第四pmos管以及第五pmos管，其中：所述第四pmos管，其源极与所述第二阻抗单元的第一端耦接，其栅极与其漏极耦接，其漏极与所述第五pmos管的栅极以及所述第五pmos管的漏极耦接；所述第五pmos管，其源极与所述第二阻抗单元的第二端耦接。

8、可选的，所述第二电容为mos电容，包括第六pmos管以及第七pmos管，其中：所述第六pmos管，其源极与其漏极耦接，且与所述第二电容的第一端耦接；其栅极与第七pmos管的漏极耦接，其漏极与所述第七pmos管的栅极耦接；所述第七pmos管，其源极与其漏极耦接，且其源极与所述第二电容的第二端耦接。

9、可选的，所述第一反相模块包括第八pmos管以及第四nmos管，所述第二反相模块包括第九pmos管以及第五nmos管，所述第三反相模块包括第十pmos管以及第六nmos管，其中：所述第八pmos管，其源极与所述第一反相模块的电源端耦接，其栅极与所述第一反相模块的输入端耦接，其漏极与所述第一反相模块的输出端耦接；所述第四nmos管，其栅极与所述第八pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第八pmos管的漏极耦接，其源极接地；所述第九pmos管，其源极与所述第二反相模块的电源端耦接，其栅极与所述第二反相模块的输入端耦接，其漏极与所述第二反相模块的输出端耦接；所述第五nmos管，其栅极与所述第九pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第九pmos管的漏极耦接，其源极接地；所述第十pmos管，其源极与所述第三反相模块的电源端耦接，其栅极与所述第三反相模块的输入端耦接，其漏极与所述第三反相模块的输出端耦接；所述第六nmos管，其栅极与所述第十pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第十pmos管的漏极耦接，其源极接地。

10、可选的，所述输出单元，包括电平移位模块以及第四反相模块，其中：所述电平移位模块，其第一输入端与所述自唤醒单元的第一输出端耦接，其第二输入端与所述自唤醒单元的第二输出端耦接，其输出端与所述第四反相模块的输入端耦接；所述第四反相模块，其输出端与所述输出单元的输出端耦接。

11、可选的，所述电平移位模块，包括：第十一pmos管、第十二pmos管、第十三pmos管、第十四pmos管、第七nmos管以及第八nmos管，其中：所述第十一pmos管，其源极与所述电平移位模块的电源端耦接，其栅极与所述第十四pmos管的漏极耦接，其漏极与所述第十三pmos管的源极耦接；所述第十二pmos管，其源极与所述电平移位模块的电源端耦接，其栅极与所述第十三pmos管的漏极耦接，其漏极与所述第十四pmos管的源极耦接；所述第十三pmos管，其栅极与所述电平移位模块的第一输入端耦接，其漏极与所述第七nmos管的漏极耦接；所述第十四pmos管，其栅极与所述电平移位模块的第二输入端耦接，其漏极与所述电平移位模块的输出端耦接；所述第七nmos管，其栅极与所述第十三pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第十三pmos管的漏极耦接，其源极与所述电平移位模块的接地端耦接；所述第八nmos管，其栅极与所述第十四pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第十四pmos管的漏极耦接，其源极与所述电平移位模块的接地端耦接。

12、可选的，所述第四反相模块，包括第十五pmos管以及第九nmos管，其中：所述第十五pmos管，其源极与所述第四反相模块的电源端耦接，其栅极与所述第四反相模块的输入端耦接，其漏极与所述第四反相模块的输出端耦接；所述第九nmos管，其栅极与所述第十五pmos管的栅极耦接，其漏极与所述第十五pmos管的漏极耦接，其源极与所述第四反相模块的接地端耦接。

13、本发明实施例还提供了一种电子设备，包括上述任一种所述的自唤醒电路。

14、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

15、由偏置单元生成偏置电压并输出至自唤醒单元，自唤醒单元生成第一自唤醒信号以及第二自唤醒信号。输出单元根据第一自唤醒信号以及第二自唤醒信号，输出唤醒信号。上述方案，无需依赖时钟电路，能够实现电子设备连续的自唤醒。