雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备的制作方法

本申请涉及微孔雾化，特别是涉及一种雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。

背景技术：

1、电解自来水不仅能产生氢气和氧气，同时还能产生次氯酸、臭氧、羟基自由基等氧化物质，如果把陶瓷雾化片和电解水相结合，不仅能对水起到杀菌消毒的目的，同时还能使空气和包含氧化物质的雾化水滴充分接触，实现空气杀菌消毒的目的。由于水的导电性，电解用的电极片和雾化用的雾化片容易形成电解池，从而造成雾化片腐蚀。

2、现有的技术方案中，通过采用用隔板将电解水腔和雾化水腔隔开，这种方法虽然避免了电极片和雾化片通过水形成电解池，但是雾化的水腔不能和氧化物质接触，容易滋生细菌；通过在雾化片驱动电路设置双绕组变压器，这种方法虽然避免了与电极片形成电流回路，但是双绕组变压器体积较大，效率较低，发热严重，不适合微孔雾化片。

3、目前微孔雾化片采用的是自耦变压器，由于在待机状态，依然会造成雾化片和电极片形成电解池回路，导致雾化片发生电化学腐蚀。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述现有的电解雾化方案中，依然会造成雾化片和电极片形成电解池回路，导致雾化片发生电化学腐蚀的问题，提供一种能够实现电极片和雾化片在同一水箱时避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积的雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。

2、第一方面，本申请提供一种雾化片驱动电路，包括：

3、雾化片，雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；

4、自耦变压器，自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；

5、扫频电路，扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；

6、供电电源，供电电源连接扫频电路的供电端。

7、可选的，扫频电路包括pmos管、第一电阻和第二电阻；

8、pmos管的栅极分别连接第一电阻的第一端、第二电阻的第二端，pmos管的源极分别连接供电电源、第二电阻的第一端，pmos管的漏极耦接自耦变压器的第二端；第一电阻的第二端连接处理芯片的pwm信号端。

9、可选的，扫频电路还包括第三电阻；第三电阻连接在自耦变压器的第二端与pmos管的漏极之间。

10、可选的，雾化片驱动电路还包括采样电路；采样电路的输入端连接扫频电路的输出端，采样电路的输出端连接处理芯片的采样端。

11、可选的，采样电路包括第一二极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容和第二电容；

12、第一二极管的阳极连接扫频电路的输出端，第一二极管的阴极连接第四电阻的第一端，第四电阻的第二端分别连接第一电容的正极、第五电阻的第一端；第一电容的负极连接第二电容的正极，第二电容的负极连接地线；第五电阻的第二端连接第六电阻的第一端，第六电阻的第二端连接地线，处理芯片的采样端连接在第五电阻的第二端与第六电阻的第一端之间。

13、可选的，雾化片为微孔雾化片。

14、第二方面，本申请提供一种雾化片防腐蚀装置，包括：处理芯片、电解单元和如上述任意一项的雾化片驱动电路；

15、处理芯片分别连接电解单元、雾化片驱动电路。

16、可选的，电解单元包括电极片和电解驱动电路；

17、电解驱动电路的输出端连接电极片，电解驱动电路的控制端连接处理芯片。

18、可选的，雾化片防腐蚀装置还包括供电电池；供电电路分别连接处理芯片、电解单元、雾化片驱动电路。

19、第三方面，本申请提供一种雾化设备，包括上述任意一项的雾化片防腐蚀装置。

20、上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

21、上述的雾化片驱动电路中，雾化片驱动电路包括雾化片、自耦变压器、扫频电路和供电电源，通过雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；供电电源连接扫频电路的供电端。进而在处理芯片向扫频电路输出pwm信号时，扫频电路工作，使得自耦变压器的第一端和第二端之间形成交流信号，根据电磁感应原理，在自耦变压器的第一端和第二端间的线圈周围产生交变磁场，该交变磁场又会在自耦变压器的第一端和第三端产生感应电压，同时利用线圈匝数比与感应电压之间的线性比例关系，从而在自耦变压器的第二端和第三端之间得到与pwm信号同频率的高压交流信号，将此信号加载雾化片两端，实现驱动雾化片喷雾。在待机状态，即处理芯片不向扫频电路输出pwm信号时，扫频电路处于关闭状态，使供电电源和自耦变压器之间断开，进而能够避免雾化片与电极片通过电解池形成回路，有效解决了电极片和雾化片在同一水箱中避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积。

技术特征：

1.一种雾化片驱动电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述扫频电路包括pmos管、第一电阻和第二电阻；

3.根据权利要求2所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述扫频电路还包括第三电阻；所述第三电阻连接在所述自耦变压器的第二端与所述pmos管的漏极之间。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的雾化片驱动电路，其特征在于，还包括采样电路；所述采样电路的输入端连接所述扫频电路的输出端，所述采样电路的输出端连接所述处理芯片的采样端。

5.根据权利要求4所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述采样电路包括第一二极管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一电容和第二电容；

6.根据权利要求4所述的雾化片驱动电路，其特征在于，所述雾化片为微孔雾化片。

7.一种雾化片防腐蚀装置，其特征在于，包括：处理芯片、电解单元和如权利要求1至6任意一项所述的雾化片驱动电路；

8.根据权利要求7所述的雾化片防腐蚀装置，其特征在于，所述电解单元包括电极片和电解驱动电路；

9.根据权利要求7所述的雾化片防腐蚀装置，其特征在于，还包括供电电池；所述供电电池分别连接所述处理芯片、所述电解单元、所述雾化片驱动电路。

10.一种雾化设备，其特征在于，包括权利要求7至9任意一项所述的雾化片防腐蚀装置。

技术总结
本申请涉及一种雾化片驱动电路、雾化片防腐蚀装置及雾化设备。所述电路包括雾化片、自耦变压器、扫频电路和供电电源，通过雾化片包括第一雾化端和第二雾化端；自耦变压器的第一端分别连接第一雾化端、地线，自耦变压器的第三端连接第二雾化端；扫频电路的输出端连接自耦变压器的第二端，扫描电路的控制端用于连接处理芯片；供电电源连接扫频电路的供电端。进而在处理芯片向扫频电路输出PWM信号时，能够实现驱动雾化片喷雾。在电路待机状态，扫频电路处于关闭状态，进而能够避免雾化片与电极片通过电解池形成回路，有效解决了电极片和雾化片在同一水箱中避免雾化片电化学腐蚀，同时提高整体电路效率和减小整体电路体积。

技术研发人员：赵宇波,张亚飞,吴鸿斌
受保护的技术使用者：深圳创新设计研究院有限公司
技术研发日：20220705
技术公布日：2024/1/13