一种MOSFET驱动电路的制作方法

一种mosfet驱动电路
技术领域
1.本实用新型属于驱动电路技术领域，具体涉及一种mosfet驱动电路。


背景技术：

2.mosfet因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于各种开关电源中。mosfet的导通与关断需要设置专门的驱动电路。驱动电路位于主电路和控制电路之间，其基本任务是将信息电子电路传来的控制信号按照其控制目标的要求，施加在mosfet的控制端和公共端之间，使mosfet按照电路的功能需求开通或关断主电路。现有的很多mosfet驱动控制电路都采用专用mosfet驱动器，该类驱动器电路复杂，成本较高。


技术实现要素：

3.鉴于现有技术所存在的上述缺点和不足，本实用新型提出了一种mosfet驱动电路。
4.本实用新型的技术方案如下：
5.一种mosfet驱动电路，包括电源vcc、微控单元mcu及驱动单元，电源vcc和微控单元mcu分别与驱动单元两个输入端相连。驱动单元被设置为，当微控单元mcu输出高电平时，电源vcc与驱动单元的输出端uout接通，当微控单元mcu输出低电平时，电源vcc与驱动单元的输出端uout断开。
6.进一步地，驱动单元包括三极管t1和三极管t2，三极管t1的发射极与基极间接有电阻r4，三极管t2的基极与发射极间接有电阻r6，三极管t1的基极通过电阻r5与三极管t2的集电极相连，三极管t1的集电极作为驱动单元的输出端uout，三极管t2的发射极接地。
7.进一步地，三极管t1的集电极与地之间接有滤波电路。
8.进一步地，滤波电路为电阻r1和电容c1并联组成的rc滤波电路。
9.进一步地，电源vcc通过限流电阻r2与三极管t1的发射极相连，微控单元mcu通过限流电阻r3与三极管t1的基极相连。
10.进一步地，三极管t1为pnp型三极管，三极管t2为npn型三极管。
11.本实用新型的有益效果是：
12.本实用新型所涉及的mosfet驱动电路，通过微控单元mcu输出的高低电平控制两个三极管t1和t2的导通与截止，进而控制电源vcc与输出端uout间的接通和断开，当电源vcc与输出端uout接通时，驱动单元输出高电平驱动mosfet导通，当电源vcc与输出端uout断开时，驱动单元输出低电平使mosfet关断。整个过程中微控单元mcu输出的高低电平逻辑与实际驱动mosfet电平逻辑相同，驱动频率相同，增加了驱动可靠性。
附图说明
13.图1为本实用新型mosfet驱动电路的电路原理图。
具体实施方式
14.下面结合附图对本实用新型的技术方案进行具体描述。在本申请的描述中，需要理解的是，除非另有明确说明，术语“安装”、“安放”、“设置”、“连接”、“固定”等术语应当做广义理解，可以根据其所处的具体技术方案被理解为固定连接或可拆卸连接等，本领域的普通技术人员可根据技术方案中所涉及的具体情况理解上述术语的具体含义。
15.在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系。
16.图1所示的一种mosfet驱动电路，包括电源vcc、微控单元mcu及驱动单元1，电源vcc和微控单元mcu的输出管脚分别与驱动单元1的两个输入端相连。其中，驱动单元1包括pnp型三极管t1和npn型三极管t2，三极管t1的发射极与基极间接有电阻r4，三极管t2的基极与发射极间接有电阻r6，三极管t2的发射极接地。三极管t1的基极通过下拉电阻r5与三极管t2的集电极相连，三极管t1的集电极作为驱动单元1的输出端uout与mosfet的栅极相连，即通过三极管t1的集电极对mosfet进行驱动。此技术方案中，三极管t1的发射极作为驱动单元1的其中一个输入端，三极管t2的基极作为驱动单元1的另一个输入端。
17.在上述技术方案的基础上，三极管t1的集电极与地之间接有由电阻r1和电容c1组成的rc滤波电路，一方面实现对驱动单元1的输出端uout的输出信号滤波，另一方面也起到了缓冲电路的作用。
18.在上述技术方案的基础上，进一步地，在电源vcc与三极管t1的发射极间接有起到限流作用的限流电阻r2，在微控单元mcu与三极管t1的基极间接有限流电阻r3。
19.一种mosfet驱动电路的工作原理如下：
20.微控单元mcu的输出管脚在整个控制过程中会根据mosfet所在主电路的工作需求发出高电平（3.3v）或低电平（0v）。如图1所示，微控单元mcu的输出管脚为高电平3.3v时，三极管t2饱和导通，进而三极管t1也饱和导通，电源vcc通过限流电阻r2限流后相当于与驱动单元的输出端uout相连通，此时以电源vcc的电压直接驱动mosfet，实现主电路的导通。
21.当io口输出为低电平0v时，三极管t2截止，进而三极管t1也进入截止状态，电源vcc与驱动单元的输出端uout间的连通被三极管t1阻断，即可实现对mosfet的关断动作，实现主电路的关断。在驱动单元对mosfet的整个控制过程中，微控单元mcu的高低电平逻辑与mosfet的控制电平逻辑相同，频率也相同。
22.本实用新型所涉及的驱动电路具有电路简单、可靠性高，成本低等优点。同时，该驱动电路可以通过调整电源vcc的大小提高施加在mosfet栅极的电压大小，使驱动mosfet的能力可调。


技术特征：
1.一种mosfet驱动电路，包括电源vcc、微控单元mcu及驱动单元（1），所述电源vcc和微控单元mcu分别与驱动单元（1）两个输入端相连，其特征在于：所述驱动单元（1）被设置为，当微控单元mcu输出高电平时，电源vcc与驱动单元（1）的输出端uout接通，当微控单元mcu输出低电平时，电源vcc与驱动单元（1）的输出端uout断开。2.如权利要求1所述的mosfet驱动电路，其特征在于：所述驱动单元（1）包括三极管t1和三极管t2，所述三极管t1的发射极与基极间接有电阻r4，三极管t2的基极与发射极间接有电阻r6，所述三极管t1的基极通过电阻r5与三极管t2的集电极相连，所述三极管t1的集电极作为驱动单元（1）的输出端uout，所述三极管t2的发射极接地。3.如权利要求2所述的mosfet驱动电路，其特征在于：所述三极管t1的集电极与地之间接有滤波电路。4.如权利要求3所述的mosfet驱动电路，其特征在于：所述滤波电路为电阻r1和电容c1并联组成的rc滤波电路。5.如权利要求4所述的mosfet驱动电路，其特征在于：所述电源vcc通过限流电阻r2与三极管t1的发射极相连，所述微控单元mcu通过限流电阻r3与三极管t1的基极相连。6.如权利要求2至5任一权利要求所述的mosfet驱动电路，其特征在于：所述三极管t1为pnp型三极管，所述三极管t2为npn型三极管。

技术总结
本实用新型涉及一种MOSFET驱动电路，包括电源VCC、微控单元MCU及驱动单元，电源VCC和微控单元MCU分别与驱动单元两个输入端相连。驱动单元包括三极管T1和三极管T2，三极管T1的发射极与基极间接有电阻R4，三极管T2的基极与发射极间接有电阻R6。三极管T1的基极通过电阻R5与三极管T2的集电极相连，集电极作为驱动电路的输出端Uout，三极管T2的发射极接地。本申请通过微控单元控制两个三极管T1和T2的导通与截止，进而控制电源与输出端间的接通和断开，增强了驱动能力，且整个过程中微控单元输出的高低电平逻辑与实际驱动MOSFET电平逻辑相同，驱动频率相同，增加了驱动可靠性。增加了驱动可靠性。增加了驱动可靠性。


技术研发人员：范亚东 周兴国 王艳军 刘昊 刘忠菊
受保护的技术使用者：沈阳贝特瑞科技有限公司
技术研发日：2022.10.21
技术公布日：2023/3/21