一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板的制作方法

本技术属于绝缘电路基板，具体涉及一种低介电、增韧液晶聚合物基高频传输电路基板。

背景技术：

1、目前通信、电子产品使用的电路基板一般采用电子级玻璃纤维布作为增强材料，浸以热固性树脂，再经烘干、层叠、热压形成。单纯由玻璃纤维布进行增强，基板的脆性比较大，韧性不足，在机加工过程中往往由于脆性大呈现孔边或者板边发白，严重的时会出现开裂和分层现象，影响电路基板的正常使用。

2、与此同时，随着通信、电子产品逐渐向多功能、小型化、高频、高速方向发展，电路基板需要具备更低的介电常数和介电损耗以及良好的尺寸稳定性，但目前改性后的低介电玻纤布的介电常数也仅在4.0左右，难以满足5g高频、高速场景应用需求；另外电路基板采用的纤维布多由经纱和纬纱交织形成，工艺繁杂，且织造时易造成纤维损伤或出现纬斜缺陷，而影响电路基板的尺寸稳定性。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是针对上述技术问题提供一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，该电路基板低的介电性能使其满足5g高频传输需求，同时电路基板刚性和韧性得到良好平衡，使其具有优异的加工成型性能。

2、本实用新型的目的可以通过下述技术方案实现：一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，所述电路基板包括依次叠层并压合为一体的第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层和第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。

3、优选地，所述液晶聚合物无纬布的厚度δ1与液晶聚合物薄膜的厚度δ2满足δ2/δ1≧4：(3-2)。

4、优选地，所述液晶聚合物薄膜的的厚度为30-200μm。

5、优选地，所述第一金属箔和第二金属箔为铜箔、铝箔、镍箔中的至少一种。

6、进一步优选，所述第一和第二金属箔的厚度为5-70μm。

7、与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

8、1、采用无纬布结构替代传统的纤维织布结构，避免了繁杂的织布工艺、消除了织布过程中的纤维损伤和纬斜缺陷，确保电路基板的尺寸稳定性。

9、2、本实用新型在增强材料无纬布上下两侧覆盖具有一定韧性的液晶聚合物薄膜，使电路基板在刚性和韧性上实现良好平衡，进而获得良好的加工成型性能。

10、3、无纬布和薄膜均由低介电的液晶聚合物构成，二者复合作为绝缘层在低介电上具有一致性，构成的绝缘层10ghz时介电常数低于3.2、介电损耗低于0.002，完全满足5g高频、高速应用需求。

技术特征：

1.一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述电路基板包括依次叠置并压合为一体的第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层和第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。

2.根据权利要求1所述的低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述液晶聚合物无纬布的厚度δ1与液晶聚合物薄膜的厚度δ2满足δ2/δ1≧4：(3-2)。

3.根据权利要求1所述的低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜层的厚度为30-200μm。

4.根据权利要求1所述的低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述第一金属箔和第二金属箔为铜箔、铝箔、镍箔中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其特征在于，所述第一金属箔和第二金属箔的厚度为5-70μm。

技术总结
本技术公开了一种低介电、增韧液晶聚合物基电路基板，其依次包括第一金属箔、至少一个液晶聚合物基绝缘层、第二金属箔；所述液晶聚合物基绝缘层由一液晶聚合物无纬布层和至少两液晶聚合物薄膜层构成，所述两液晶聚合物薄膜层分别覆盖于所述液晶聚合物无纬布层的上下侧面。采用无纬布结构替代传统的纤维织布结构，使电路基板具有更佳的尺寸稳定性。同时在无纬布上下两侧覆盖具有一定韧性的液晶聚合物薄膜，使电路基板在刚性和韧性上实现良好平衡，进而获得良好的加工成型性能。将无纬布和薄膜复合作为绝缘层在低介电上具有一致性，构成的绝缘层10GHz时介电常数低于3.2、介电损耗低于0.002，完全满足5G高频、高速应用需求。

技术研发人员：王阳,李东伟
受保护的技术使用者：宁波聚嘉新材料科技有限公司
技术研发日：20221128
技术公布日：2024/1/12