等离子体处理装置和控制源高频电力的源频率的方法与流程

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和控制源高频电力的源频率的方法。

背景技术：

1、等离子体处理装置在对基片的等离子体处理中使用。等离子体处理装置为了将离子从在腔室内生成的等离子体引入到基片，使用偏置高频电力。下述的专利文献1公开了对偏置高频电力的功率水平和频率进行调制的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-246091号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本发明提供一种在等离子体处理装置中降低源高频电力的反射程度的技术。

3、用于解决课题的手段

4、在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源。基片支承部具有偏压电极，设置在腔室内。高频电源构成为为了在腔室内生成等离子体而产生源高频电力。偏置电源构成为在多个脉冲期间的各个中将偏置能量的脉冲施加到偏置电极。偏置电源构成为在多个脉冲期间的各个中将具有波形周期的偏置能量周期性地施加到偏置电极。高频电源构成为设定多个重叠期间各自所包含的偏置能量的多个波形周期各自中的多个相位期间各自中的源高频电力的源频率。多个重叠期间分别与多个脉冲期间重叠。高频电源构成为进行脉冲间反馈。脉冲间反馈包括根据源高频电力的反射程度的变化来调整源频率f(k，m，n)。f(k，m，n)是多个重叠期间中的第k个重叠期间内的第m个波形周期内的第n个相位期间中的源频率。反射程度的变化通过在第k个重叠期间之前的两个以上的重叠期间各自中的第m个波形周期内的第n个相位期间使用互相不同的源频率来确定。

5、发明效果

6、根据一个例示的实施方式，能够在等离子体处理装置中降低源高频电力的反射程度。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求8～10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

12.根据权利要求8～11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

13.一种控制源高频电力的源频率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

技术总结
本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源。高频电源为了在腔室内生成等离子体而产生源高频电力。偏置电源在多个脉冲期间的各个中将偏置能量的脉冲施加到偏置电极。高频电源根据源高频电力的反射程度的变化来设定分别与多个脉冲期间重叠的多个重叠期间各自中的多个相位期间各自中的源高频电力的源频率。反射程度通过在两个以上的先行的重叠期间内的同一相位期间使用互相不同的源频率来确定。

技术研发人员：舆水地盐
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15