包含公共电荷产生层的显示装置及其制造方法与流程

本发明涉及一种包含公共电荷产生层的显示装置及其制造方法。

背景技术：

1、自1987年tang等人(c.w.tang等人，appl.phys.lett.51(12)913(1987))证明低工作电压以来，有机电致发光二极管一直是实现大面积显示的有希望的候选器件。它们由一系列薄(通常为1nm至1μm)有机材料层组成，所述有机材料层能够例如通过热真空蒸发或溶液处理来沉积，随后通过金属层形成电接触。有机电器件提供了各种各样的电子或光电子组件如二极管、发光二极管、光电二极管和薄膜晶体管(tft)，它们在特性方面与基于无机材料的现有组件竞争。

2、在有机发光二极管(oled)的情况下，由于外部施加的电压太过发光二极管将电荷载流子(源自一侧的电子、源自另一侧的空穴)从触点注入相邻的有机层，随后在有源区中形成激子(电子-空穴对)，以及这些激子的辐射复合来产生并发射光。

3、与传统无机组件(基于诸如硅或砷化镓的无机半导体)相比，此类有机组件的优势在于可选择制造大面积元件，例如大显示元件(视觉显示器、屏幕)或灯(用于照明应用)。与无机材料相比，有机材料相对便宜(材料和能量消耗较少)。而且，与无机材料相比，这些材料由于它们具有较低的加工温度而能够沉积在柔性基底上，从而在显示和照明工程中开辟了一系列新的应用领域。这种组件的基本构造包括一个或多个如下层的布置：载体基底；通常透明的空穴注入(正触点)基础电极；空穴注入层(hil)；空穴传输层(htl)；发光层(el)；电子传输层(etl)；电子注入层(eil)；电子注入(负触点)覆盖电极，通常为逸出功较低的金属；和封装，以排除环境影响。

4、尽管前面描述的是最典型的情况，但通常可以省略多个层(htl和etl除外)，或者一个层可以合并多种特性。

5、文献us 5093698中描述了掺杂的电荷-载流子传输层的用途(通过类受体分子的混合物对htl进行p掺杂、通过类供体分子的混合物对etl进行n掺杂)。从这个意义上讲，与两种相关物质中的一种的纯层相比，掺杂意味着所述掺杂物质的混合物掺杂到所述层中增加了该层中的平衡电荷-载流子浓度，这导致了改进的导电性和更好的电荷-载流子从相邻接触层到该混合层的注入。电荷-载流子的传输仍发生在基质分子上。根据us 5,093,698，掺杂层用作接触材料界面处的注入层，发光层位于两者之间(或者，当仅使用一个掺杂层时，紧邻另一个触点)。通过掺杂增加的平衡电荷-载流子密度和相关的带弯曲有利于电荷-载流子注入。根据us 5,093,698，应获得有机层的能级(homo＝最高占据分子轨道或最高能量价带能量；lumo＝最低未占据分子轨道或最低能量导带能量)，以便etl中的电子以及htl中的空穴能够注入el(发光层)，而无需进一步的势垒，这就要求htl材料具有很高的电离能并且etl材料具有很低的电子亲和力。

6、对于有源oled显示器，显示器像素之间的所谓串扰一直是一个主要问题。像素或颜色串扰是指因像素与从接近的像素散射的另一种颜色的光子的错误混合所产生的一种颜色的光子。例如，文献gb 2 492400a和wo 2002/015292 a2提供了减少oled器件中的颜色串扰的措施。此外，或者作为替代方面，可以发生电串扰。在这种情况下，例如，施加到其中一个像素的驱动电流可导致源自靠近为其提供驱动电流的像素的另一个像素的发光。两者都将对显示装置的性能产生负面影响，(参见yamazaki等人，a.(2013)，33.2：有机发光二极管显示器的空间分辨率性能：手持和工作站格式的mtf对比分析。sid研讨会技术论文摘要，44:419-422。doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x(yamazaki et al.,a.(2013),33.2:spatial resolution characteristics of organic light-emitting diodedisplays:a comparative analysis of mtf for handheld and workstationformats.sid symposium digest of technical papers,44:419-422.doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)。

7、在典型的商用有源基质oled显示器中，电像素串扰可通过在由更多oled像素共享的空穴传输层(htl)中应用氧化还原p掺杂引起(在共享的htl电连接到显示器中存在的多个像素的阳极的意义上)。使用氧化还原p掺杂剂有利于低操作电压、高操作稳定性和高制造收率，所述氧化还原p掺杂剂通过将电子从掺杂基质的分子转移到掺杂剂分子以创造新的电荷载流子(空穴)来增加电荷载流子密度。另一方面，氧化还原p掺杂将空穴传输层的电导率从不含p掺杂的小于10-8s/cm、通常从小于10-10s/cm增加到大于10-6s/cm(通常，p掺杂浓度在1至5重量％的范围内)。因此，氧化还原掺杂的htl通常是有源基质显示器中的任何电像素串扰的原由，所述有源基质显示器包含由多个像素共享的htl。如果利用氧化还原n掺杂剂进行n掺杂，则etl也可显示与氧化还原掺杂的htl类似的高导电性，然而，由于具有公共阴极的显示布局而导致etl不会引起电像素串扰。

8、仍然需要改进显示装置及其有机电子器件的性能，特别是在提供良好的整体oled性能的同时减少像素之间的串扰。

技术实现思路

1、本发明的一个方面提供一种包含多个像素的器件，其中多个像素中的各个像素包含至少两个垂直层叠的电致发光单元和布置在所述至少两个垂直层叠的电致发光单元之间的至少一个电荷产生层，其中各个电致发光单元包含至少一个发光层；

2、其中所述多个像素中的至少两个像素共享至少一个公共电荷产生层以作为电荷产生层，

3、其中所述至少一个公共电荷产生层包含：

4、公共n型电荷产生层，所述公共n型电荷产生层包含有机电子传输化合物和金属掺杂剂；和

5、公共p型电荷产生层，所述公共p型电荷产生层包含有机空穴传输化合物和有机p掺杂剂，其中基于所述p型电荷产生层的总重量，所述有机空穴传输化合物在所述p型电荷产生层中的含量为≥60重量％；

6、其中，

7、当测量电压降vhod时，所述有机空穴传输化合物具有在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率和/或具有通过测量电压降vhod所确定的在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率和/或以电压降vhod的方式给出的在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率，

8、当测量电压降veod时，所述有机电子传输化合物具有在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率和/或具有通过测量电压降veod所确定的在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率和/或以电压降veod的方式给出的在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率。

9、本发明的一个方面提供一种包含多个像素的器件，其中多个像素中的各个像素包含至少两个垂直层叠的电致发光单元和布置在所述至少两个垂直层叠的电致发光单元之间的至少一个电荷产生层，其中各个电致发光单元包含至少一个发光层；

10、其中所述多个像素中的至少两个像素共享至少一个公共电荷产生层以作为电荷产生层，

11、其中所述至少一个公共电荷产生层包含：

12、公共n型电荷产生层，所述公共n型电荷产生层包含有机电子传输化合物和金属掺杂剂；和

13、公共p型电荷产生层，所述公共p型电荷产生层包含有机空穴传输化合物和有机p掺杂剂，其中基于所述p型电荷产生层的总重量，所述有机空穴传输化合物在所述p型电荷产生层中的含量为≥60重量％；

14、其中，

15、当测量电压降vhod时，所述有机空穴传输化合物具有在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率，当测量电压降veod时，所述有机电子传输化合物具有在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率，

16、和/或

17、所述有机空穴传输化合物具有通过测量电压降vhod所确定的在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率，并且所述有机电子传输化合物具有通过测量电压降veod所确定的在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率，

18、和/或

19、所述有机空穴传输化合物具有以电压降vhod的方式给出的在≥1.2v至≤20v范围内的空穴迁移率，并且所述有机电子传输化合物具有以电压降veod的方式给出的在≥0.1v至≤20v范围内的电子迁移率。

20、根据本发明的一个实施方案，所述至少一个公共电荷产生层延伸到所述多个像素中的至少两个像素上。

21、根据本发明的一个实施方案，所述多个像素中的各个像素作共享延伸到所述多个像素中的所有像素上的至少一个公共电荷产生层以作为电荷产生层。

22、应当注意，除非另有说明，否则在整个申请和权利要求中，任何an、arn、bn、rn等总是指相同的部分。

23、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指被氘、c1至c12烷基和c1至c12烷氧基取代。

24、然而，在本说明书中，“芳基取代的”是指被一个或多个芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。

25、相应地，在本说明书中，“杂芳基取代的”是指被一个或多个杂芳基基团取代，其本身可以被一个或多个芳基和/或杂芳基基团取代。

26、在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”是指饱和脂肪族烃基基团。烷基基团可以是c1至c12烷基基团。更具体地，烷基基团可以是c1至c10烷基基团或c1至c6烷基基团。例如，c1至c4烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。

27、烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团。

28、术语“环烷基”是指通过从包含在相应环烷烃中的环原子中形式上分离出一个氢原子而衍生自环烷烃的饱和烃基基团。环烷基基团的实例可以是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、甲基环己基基团、金刚烷基基团等。

29、术语“杂”被理解为在可以由共价键合的碳原子形成的结构中的至少一个碳原子被另一个多价原子代替。优选地，杂原子选自b、si、n、p、o、s；更优选选自n、p、o、s。

30、在本说明书中，“芳基基团”是指通过从相应芳族烃的芳族环形式上分离出一个氢原子而产生的烃基基团。芳族烃是指含有至少一个芳族环或芳族环系的烃。芳族环或芳族环系是指共价结合的碳原子的平面环或环系，其中所述平面环或环系包含满足hückel规则的离域电子的共轭体系。芳基基团的实例包括：单环基团如苯基或甲苯基；包含更多由单键连接的芳族环的多环基团，如联苯基；和包含稠合环的多环基团，如萘基或芴-2-基。

31、类似地，在杂芳基下，尤其适合理解为通过从包含至少一个杂环芳族环的化合物中的这样的环上形式上分离出一个环氢而衍生的基团。

32、在杂环烷基下，尤其适合理解为通过从包含至少一个饱和环烷基环的化合物中的这样的环上形式上分离出一个环氢而衍生的基团。

33、术语“稠合芳基环”或“缩合芳基环”理解为当两个芳基环共享至少两个公共的sp2杂化碳原子时它们被认为是稠合或缩合的。

34、在本说明书中，单键是指直接键。

35、术语“n型电荷产生层”有时在本领域中也被称为n-cgl或电子产生层并且旨在包含所述两者。

36、术语“p型电荷产生层”有时在本领域中也称为p-cgl或空穴产生层并且旨在包含所述两者。

37、术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积前化合物中可能存在的杂质。杂质对本发明所实现的目的没有技术影响。

38、术语“接触夹入”是指三个层的排列，其中中间层与两个相邻层直接接触。

39、术语“吸光层”和“光吸收层”同义使用。

40、术语“发光层”、“光发射层”和“发射层”同义使用。

41、术语“oled”、“有机发光二极管”和“有机发光器件”同义使用。

42、术语“阳极”、“阳极层”和“阳极电极”同义使用。

43、术语“阴极”、“阴极层”和“阴极电极”同义使用。

44、在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时，提供一个电子以形成空穴的能力，并且由于根据最高占据分子轨道(homo)能级的导电特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

45、此外，电子特性是指当施加电场时接受电子的能力，并且由于根据最低未占用分子轨道(lumo)能级的导电特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层并在发光层中传输。

46、有益效果

47、令人惊讶地发现，根据本发明的显示装置通过使器件在多个方面优于本领域已知的显示装置，特别是在提供良好的整体oled特性的同时减少像素之间的串扰方面，从而解决了本发明的根本问题。

48、根据本发明的一个实施方案，通过在20℃至25℃、优选22℃下以10ma/cm2的固定电流密度测量电压降vhod来测量空穴迁移率，并且通过在20℃至25℃、优选22℃下以15ma/cm2的固定电流密度测量电压降veod来测量电子迁移率。

49、根据本发明的一个实施方案，对于纯空穴载流子器件，通过在20℃至25℃、优选22℃下以10ma/cm2的固定电流密度测量电压降vhod来测量空穴迁移率，并且对于纯电子载流子器件，通过在20℃至25℃、优选22℃下以15ma/cm2的固定电流密度测量电压降veod来测量电子迁移率。

50、根据本发明的一个实施方案，纯空穴载流子器件具有如下顺序的结构：

51、-玻璃基底，

52、-由薄层电阻为15欧姆/平方的ito组成的90nm阳极层，

53、-由有机空穴传输化合物和10重量％的4,4',4”-((1e,1'e,1”e)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)组成的10nm层，

54、-由有机空穴传输化合物组成的400nm层，

55、-由cnhat组成的10nm层，

56、-由银组成的100nm阴极层，并且

57、其中所述纯电子载流子器件具有如下顺序的结构：

58、-玻璃基底

59、-由银组成的100nm阳极层，

60、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阳极层，

61、-由8-羟基喹啉锂组成的1nm层，

62、-由有机电子传输化合物组成的36nm层，

63、-由8-羟基喹啉锂组成的1nm层，

64、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阴极层，

65、其中用于测量电压降的结构的层通过蒸发来沉积。

66、根据本发明的一个实施方案，纯空穴载流子器件具有如下顺序的结构：

67、-玻璃基底，

68、-由薄层电阻为15欧姆/平方的ito组成的90nm阳极层，

69、-由有机空穴传输化合物和10重量％的4,4',4”-((1e,1'e,1”e)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)组成的10nm层，

70、-由有机空穴传输化合物组成的400nm层，

71、-由cnhat组成的10nm层，

72、-由银组成的100nm阴极层，并且

73、其中所述纯电子载流子器件具有如下顺序的结构：

74、-玻璃基底，

75、-由银组成的100nm阳极层，

76、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阳极层，

77、-由8-羟基喹啉锂组成的1nm层，

78、-由有机电子传输化合物组成的36nm层，

79、-由8-羟基喹啉锂或5nm 3-苯基-3h-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂环庚熳-3-氧化物:yb(1体积％的yb)组成的1nm层，

80、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阴极层，

81、其中用于测量电压降的结构的层通过蒸发来沉积。

82、根据本发明的一个实施方案，纯空穴载流子器件具有如下顺序的结构：

83、-玻璃基底，

84、-由薄层电阻为15欧姆/平方的ito组成的90nm阳极层，

85、-由有机空穴传输化合物和10重量％的4,4',4”-((1e,1'e,1”e)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)组成的10nm层，

86、-由有机空穴传输化合物组成的400nm层，

87、-由cnhat组成的10nm层，

88、-由银组成的100nm阴极层，并且

89、其中所述纯电子载流子器件具有如下顺序的结构：

90、-玻璃基底，

91、-由银组成的100nm阳极层，

92、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阳极层，

93、-由8-羟基喹啉锂组成的1nm层，

94、-由有机电子传输化合物组成的36nm层，

95、-对于不含po的电子传输化合物，由8-羟基喹啉锂或5nm 3-苯基-3h-苯并[b]二萘并[2,1-d:1',2'-f]磷杂环庚熳-3-氧化物:yb(1体积％的yb)组成的1nm层，

96、-由mg:ag(90:10体积％)组成的30nm阴极层，

97、其中用于测量电压降的结构的层通过蒸发来沉积。

98、根据本发明的cnhat是二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈。

99、公共p型cgl

100、有机空穴传输化合物

101、根据本发明的一个实施方案，当测量电压降vhod时，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.5v至≤20v、优选≥1.7v至≤20v、更优选≥1.9v至≤20v、更优选≥2.1v至≤20v、更优选≥2.3v至≤20v、更优选≥2.5v至≤20v、更优选≥3.0v至≤20v、更优选≥3.5v至≤20v、更优选≥4.0v至≤20v、更优选≥4.5v至≤20v、更优选≥5v至≤20v、更优选≥5.5v至≤20v、最优选≥6.0v至≤20v的范围内。

102、根据本发明的一个实施方案，当测量电压降vhod时，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.2v至≤15v、优选≥1.2v至≤15v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤15v、更优选≥3.0v至≤15v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤15v、更优选≥4.5v至≤15v、更优选≥5.0v至≤15v、更优选≥5.5v至≤15v、更优选≥6.0v至≤15v的范围内。

103、根据本发明的一个实施方案，当测量电压降vhod时，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.2v至≤10v、优选≥1.2v至≤10v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤10v、更优选≥3.0v至≤10v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤10v、更优选≥4.5v至≤10v、更优选≥5.0v至≤10v、更优选≥5.5v至≤10v、更优选≥6.0v至≤10v的范围内。

104、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的通过测量电压降vhod所确定的空穴迁移率在≥1.5v至≤20v、优选≥1.7v至≤20v、更优选≥1.9v至≤20v、更优选≥2.1v至≤20v、更优选≥2.3v至≤20v、更优选≥2.5v至≤20v、更优选≥3.0v至≤20v、更优选≥3.5v至≤20v、更优选≥4.0v至≤20v、更优选≥4.5v至≤20v、更优选≥5v至≤20v、更优选≥5.5v至≤20v、最优选≥6.0v至≤20v的范围内。

105、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的通过测量电压降vhod所确定的空穴迁移率在≥1.2v至≤15v、优选≥1.2v至≤15v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤15v、更优选≥3.0v至≤15v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤15v、更优选≥4.5v至≤15v、更优选≥5.0v至≤15v、更优选≥5.5v至≤15v、更优选≥6.0v至≤15v的范围内。

106、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的通过测量电压降vhod所确定的空穴迁移率在≥1.2v至≤10v、优选≥1.2v至≤10v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤10v、更优选≥3.0v至≤10v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤10v、更优选≥4.5v至≤10v、更优选≥5.0v至≤10v、更优选≥5.5v至≤10v、更优选≥6.0v至≤10v的范围内。

107、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.5v至≤20v、优选≥1.7v至≤20v、更优选≥1.9v至≤20v、更优选≥2.1v至≤20v、更优选≥2.3v至≤20v、更优选≥2.5v至≤20v、更优选≥3.0v至≤20v、更优选≥3.5v至≤20v、更优选≥4.0v至≤20v、更优选≥4.5v至≤20v、更优选≥5v至≤20v、更优选≥5.5v至≤20v、最优选≥6.0v至≤20v的范围内，其中通过电压降vhod给出空穴迁移率。

108、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.2v至≤15v、优选≥1.2v至≤15v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤15v、更优选≥3.0v至≤15v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤15v、更优选≥4.5v至≤15v、更优选≥5.0v至≤15v、更优选≥5.5v至≤15v、更优选≥6.0v至≤15v的范围内，其中空穴迁移率由电压降vhod给出。

109、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的空穴迁移率在≥1.2v至≤10v、优选≥1.2v至≤10v、更优选≥1.5v至≤15v、更优选≥2.5v至≤10v、更优选≥3.0v至≤10v、更优选≥3.5v至≤15v、更优选≥4.0v至≤10v、更优选≥4.5v至≤10v、更优选≥5.0v至≤10v、更优选≥5.5v至≤10v、更优选≥6.0v至≤10v的范围内，其中空穴迁移率由电压降vhod给出。

110、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物的homo能级在≥-6ev到≤-4.90ev、优选≥-6ev至≤-5.00ev、更优选≥-6ev至≤-5.10ev、更优选≥-6ev至≤-5.12ev、更优选≥-6ev至≤-5.15ev、最优选≥-6ev至≤-5.18ev的范围内，所述homo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并通过循环伏安法测定。

111、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物的homo能级在≥-6ev到≤-4.90ev、优选≥-5.75ev至≤-4.90ev、更优选≥-5.50ev至≤-4.90ev、更优选≥-5.40ev至≤-4.90ev、更优选≥-5.35ev至≤-4.90ev、更优选≥-5.30ev至≤-4.90ev的范围内，所述homo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并通过循环伏安法测定。

112、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物的homo能级在≥-6ev到≤-5.00ev、优选≥-5.75ev至≤-5.00ev；优选≥-5.50ev至≤-5.00ev、更优选≥-5.40ev至≤-5.00ev、更优选≥-5.35ev至≤-5.00ev、更优选≥-5.30ev至≤-5.00ev的范围内，所述homo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并通过循环伏安法测定。

113、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的homo能级在≥-6ev到≤-4.68ev、优选≥-6ev至≤-4.71ev、更优选≥-6ev至≤-4.75ev、最优选≥-6ev至≤-4.79ev的范围内，所述homo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并使用在程序包turbomole v6.5中实现的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组来计算。

114、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物的homo能级在≥-6ev到≤-4.68ev、-5.5ev至≤-4.68ev、优选≥-5.1ev至≤-4.68ev、更优选≥-5.0ev至≤-4.68ev的范围内，所述homo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并使用在程序包turbomolev6.5中实现的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组来计算。

115、根据本发明的一个实施方案，基于p型电荷产生层的总重量，有机空穴传输化合物在p型电荷产生层中的含量为≥65重量％，优选为≥70重量％，更优选为≥80重量％，最优选为≥90重量％。

116、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物是基本共价有机空穴传输化合物。

117、有机空穴传输化合物可以是基本共价基质化合物。

118、基本共价基质化合物可基本上由共价键合的c、h、o、n、s组成，其任选地另外包含共价键合的b、p、as和/或se。

119、根据一个实施方案，基本共价基质化合物可以选自基本上由共价键合的c、h、o、n、s组成的有机化合物，其任选地另外包含共价键合的b、p、as和/或se。

120、在一个实施方案中，基本共价基质化合物缺少金属原子且其大部分骨架原子可以选自c、o、s、n。或者，基本共价基质化合物缺少金属原子且其大部分骨架原子可以选自c和n。

121、根据本发明的一个实施方案，有机空穴传输化合物包含至少15个共价键合原子，优选至少20个共价键合原子，更优选至少25个共价键合原子，更优选至少30个共价键合原子，更优选至少35个共价键合原子，更优选40个共价键合原子，更优选45个共价键合原子。

122、根据一个实施方案，基本共价基质化合物可以具有≥400且≤2000g/mol的分子量mw，优选≥450且≤1500g/mol的分子量mw，还优选≥500且≤1000g/mol的分子量mw，还优选≥550且≤900g/mol的分子量mw，还优选≥600且≤800g/mol的分子量mw。

123、优选地，基本共价基质化合物包含至少一个芳基胺部分或者二芳基胺部分或者三芳基胺部分。

124、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物不含金属络合物或金属阳离子。

125、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物不是金属络合物、金属阳离子和/或金属有机化合物。

126、根据本发明的一个实施方案，所述有机空穴传输化合物不包含任何金属原子。

127、优选地，基本共价基质化合物不含金属和/或离子键。

128、根据本发明的一个实施方案，也可称为“基本共价基质化合物”的有机空穴传输化合物可以包含至少一种芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物、式(vii)化合物或式(viii)化合物：

129、

130、其中：

131、t1、t2、t3、t4和t5独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基，优选单键或苯亚基；

132、t6为苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基或萘亚基；

133、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5独立地选自：取代或未取代的c6至c20芳基或取代或未取代的c3至c20杂芳亚基、取代或未取代的联二苯叉、取代或未取代的芴、取代的9-芴、取代的9,9-芴、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的苝、取代或未取代的联三苯叉、取代或未取代的并四苯、取代或未取代的苯并蒽、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩、取代或未取代的呫吨、取代或未取代的咔唑、取代的9-苯基咔唑、取代或未取代的氮杂环庚熳、取代或未取代的二苯并[b,f]]氮杂环庚熳、取代或未取代的9,9'-螺二[芴]、取代或未取代的螺[芴-9,9'-呫吨]；或取代或未取代的芳族稠合环系，包含至少三个取代或未取代的芳族环，所述芳族环选自取代或未取代的非杂5元环、取代或未取代的杂5元环、取代或未取代的6元环和/或取代或未取代的7元环；取代或未取代的芴；或包含2至6个取代或未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自：(i)不饱和的5至7元环的杂环；(ii)5至6元芳族杂环；(iii)不饱和5至7元环的非杂环；(iv)6元环芳族非杂环；

134、其中

135、ar1、ar2、ar3、ar4和ar5的取代基相同或不同地选自：h、d、f、c(＝o)r2、cn、si(r2)3、p(＝o)(r2)2、or2、s(＝o)r2、s(＝o)2r2、具有1至20个碳原子的取代或未取代的直链烷基、具有1至20个碳原子的取代或未取代的支链烷基、具有3至20个碳原子的取代或未取代的环状烷基、具有2至20个碳原子的取代或未取代的烯基或炔基基团、具有1至20个碳原子的取代或未取代的烷氧基基团、具有6至40个芳族环原子的取代或未取代的芳族环系和具有5至40个芳族环原子的取代或未取代的杂芳族环系、未取代的c6至c18芳基、未取代的c3至c18杂芳基、包含2至6个未取代的5至7元环的稠合环系并且所述环选自：不饱和的5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和5至7元的非杂环和6元环芳族非杂环，

136、其中r2可以选自h、d、具有1至6个碳原子的直链烷基、具有1至6个碳原子的支链烷基、具有3至6个碳原子的环状烷基、具有2至6个碳原子的烯基或炔基、c6至c18芳基或c3至c18杂芳基。

137、根据一个实施方案，t1、t2、t3、t4和t5可独立地选自单键、苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基。根据一个实施方案，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基、联苯亚基或三联苯亚基并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个是单键。根据一个实施方案，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基或联苯亚基并且t1、t2、t3、t4和t5中的一个是单键。根据一个实施方案，其中t1、t2、t3、t4和t5可以独立地选自苯亚基或联苯亚基并且t1、t2、t3、t4和t5中的两个是单键。

138、根据一个实施方案，t1、t2和t3可以独立地选自苯亚基并且t1、t2和t3中的一个是单键。根据一个实施方案，其中t1、t2和t3可以独立地选自苯亚基并且t1、t2和t3中的两个是单键。

139、根据一个实施方案，t6可以是苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基。根据一个实施方案，其中t6可以是苯亚基。根据一个实施方案，其中t6可以是联苯亚基。根据一个实施方案，其中t6可以是三联苯亚基。

140、根据本发明的实施方案，式(vii)或式(viii)的基质化合物选自如下化合物f1至f14：

141、

142、

143、有机p掺杂剂

144、根据本发明的一个实施方案，有机p掺杂剂的lumo能级在≥-5.7ev至≤-4.7ev、优选≥-5.55ev至≤-4.7ev、更优选≥-5.50ev至≤-4.7ev、更优选≥-5.45ev至≤-4.7ev、更优选≥-5.40ev至≤-4.7ev、更优选≥-5.35ev至≤-4.7ev、更优选≥-5.30ev至≤-4.7ev、最优选≥-5.25ev至≤-4.7ev的范围内，所述lumo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并使用在程序包turbomole v6.5中实现的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组来计算。

145、根据本发明的一个实施方案，有机p掺杂剂选自根据式(i)的化合物，

146、

147、其中在式(i)中

148、-a1独立地选自根据式(ii)的基团

149、

150、其中ar1独立地选自取代或未取代的c6至c36芳基和取代或未取代的c2至c36杂芳基；

151、其中对于ar1被取代的情况，所述取代基中的一个或多个独立地选自吸电子基团、f、cn、部分氟化的或全氟化的烷基和-no2；

152、-a2和a3独立地选自式(iii)的基团

153、

154、其中ar2独立地选自取代或未取代的c6至c36芳基和取代或未取代的c2至c36杂芳基；

155、其中对于ar2被取代的情况，所述取代基中的一个或多个独立地选自吸电子基团、f、cn、部分氟化或全氟化的烷基和-no2；

156、-并且其中各个r’独立地选自取代或未取代的c6至c18芳基、c3至c18杂芳基、吸电子基团、部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、卤素、f或cn。

157、根据本发明的一个实施方案，ar1选自c6至c30芳基和取代或未取代的c2至c30杂芳基。

158、根据本发明的一个实施方案，ar1选自c6至c24芳基和取代或未取代的c2至c24杂芳基。

159、根据本发明的一个实施方案，ar1选自c6至c18芳基和取代或未取代的c3至c18杂芳基。

160、根据本发明的一个实施方案，ar1选自c6至c12芳基和取代或未取代的c3至c12杂芳基。

161、根据本发明的一个实施方案，其中对于ar1被取代的情况，一个或多个取代基独立地选自：f；cn；部分氟化的烷基或全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3；和-no2。

162、根据本发明的一个实施方案，其中对于ar1被取代的情况，一个或多个取代基独立地选自：f；cn；部分氟化的烷基或全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3。

163、根据本发明的一个实施方案，ar2选自c6至c30芳基和取代或未取代的c2至c30杂芳基。

164、根据本发明的一个实施方案，ar2选自c6至c24芳基和取代或未取代的c2至c24杂芳基。

165、根据本发明的一个实施方案，ar2选自c6至c18芳基和取代或未取代的c3至c18杂芳基。

166、根据本发明的一个实施方案，ar2选自c6至c12芳基和取代或未取代的c3至c12杂芳基。

167、根据本发明的一个实施方案，其中对于ar2被取代的情况，一个或多个取代基独立地选自：f；cn；部分氟化的烷基或全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3；-no2。

168、根据本发明的一个实施方案，其中对于ar2被取代的情况，一个或多个取代基独立地选自：f；cn；部分氟化的烷基或全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3。

169、根据本发明的一个实施方案，r’独立地选自：吸电子基团；cn；卤素；f；部分氟化的c1至c8烷基；全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3。

170、根据本发明的一个实施方案，r’选自：cn；f；部分氟化或全氟化的c1至c8烷基，特别是cf3。

171、根据本发明的一个实施方案，r’选自cn。

172、根据本发明的一个实施方案，根据式(ii)的基团选自式(iv)，

173、

174、其中

175、x1选自cr1或n；

176、x2选自cr2或n；

177、x3选自cr3或n；

178、x4选自cr4或n；

179、x5选自cr5或n；

180、r1、r2、r3、r4和r5(如果存在)独立地选自cn、部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、卤素、cl、f、d或h，其中当r1、r2、r3、r4和r5中的任一者存在时，则相应的x1、x2、x3、x4和x5不是n。

181、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn、-no2、卤素、cl或f。

182、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn或f。

183、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基或cn。

184、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基。

185、根据本发明的一个实施方案，x1是cr1并且r1选自cf3。

186、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn、卤素、cl或f。

187、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn或f。

188、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基或cn。

189、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基。

190、根据本发明的一个实施方案，x1是cr1且x5是cr5，并且r1和r5独立地选自cf3。

191、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自式(v)，

192、

193、-ar1独立地选自取代或未取代的c6至c36芳基和取代或未取代的c2至c36杂芳基；

194、其中对于ar1被取代的情况，所述一个或多个取代基独立地选自吸电子基团、f、cn、部分氟化或全氟化的烷基和-no2；并且

195、-ar2独立地选自取代或未取代的c6至c36芳基和取代或未取代的c2至c36杂芳基；

196、其中对于ar2被取代的情况，所述一个或多个取代基独立地选自吸电子基团、f、cn、部分氟化或全氟化的烷基和-no2。

197、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自式(vi)，

198、

199、其中

200、各个x1选择cr1或n；

201、各个x2选择cr2或n；

202、各个x3选择cr3或n；

203、各个x4选择cr4或n；

204、各个x5选择cr5或n；

205、其中各个r1、r2、r3、r4和r5(如果存在)独立地选自cn、部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、卤素、cl、f、d或h，其中当r1、r2、r3、r4和r5中的任一者存在时，则相应的x1、x2、x3、x4和x5不是n。

206、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn、-no2、卤素、cl或f。

207、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn或f。

208、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基或cn。

209、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且r1选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基。

210、根据一个实施方案，x1是cr1且r1选自cf3。

211、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5，并且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn、卤素、cl或f。

212、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5，并且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基、cn或f。

213、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5，并且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基或cn。

214、根据本发明的一个实施方案，x1为cr1且x5为cr5，并且r1和r5独立地选自部分氟化或全氟化的c1至c8烷基。

215、根据本发明的一个实施方案，x1是cr1且x5是cr5，并且r1和r5独立地选自cf3。

216、根据本发明的一个实施方案，式(ii)的基团选自下式中的一种：

217、

218、

219、根据本发明的一个实施方案，式(ii)的基团选自下式中的一种：

220、

221、

222、根据本发明的一个实施方案，式(ii)的基团选自下式中的一种：

223、

224、

225、根据本发明的一个实施方案，式(iii)的基团选自下式中的一种：

226、

227、

228、

229、根据本发明的一个实施方案，式(iii)的基团选自下式中的一种：

230、

231、

232、根据本发明的一个实施方案，式(iii)的基团选自下式中的一种：

233、

234、

235、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物a1至a80，其中式(i)化合物的a1、a2和a3选自下式：

236、

237、

238、

239、

240、

241、

242、

243、

244、

245、

246、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物a1至a29、a57、a59、a60、a61、a64、a70至a72、a77、a78及a80，其中式(i)化合物的a1、a2和a3选自下式：

247、

248、

249、

250、

251、

252、

253、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物a1至a18、a57、a59、a60、a61、a64、a77、a78和a80，其中式(i)化合物的a1、a2和a3选自下式：

254、

255、

256、

257、

258、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物b1至b80：

259、

260、

261、

262、

263、

264、

265、

266、

267、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物b1至b29、b56、b57、b59、b60、b61、b64、b67、b70至b73、b77、b78和b80：

268、

269、

270、

271、

272、根据本发明的一个实施方案，式(i)化合物选自化合物b1至b18、b56、b57、b59、b60、b61、b64、b67、b70至b73、b77和b78以及b80：

273、

274、

275、

276、

277、p型cgl

278、根据本发明的一个实施方案，公共p型电荷产生层具有≤30nm、优选≤25nm、更优选≤20nm、更优选≤15nm且最优选≤10nm的厚度。

279、根据本发明的一个实施方案，公共p型电荷产生层具有≥1nm、优选≥2nm的厚度。

280、根据本发明的实施方案，其中p型电荷产生层不含二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(cnhat)或2,2'-(2,5-环己二烯-1,4-二亚基)双丙二腈(tcnq)或2,2'-(全氟环己-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(f4-tcnq)。

281、根据本发明的实施方案，其中p型电荷产生层不含二吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(cnhat)或2,2'-(2,5-环己二烯-1,4-二亚基)双丙二腈(tcnq)或2,2'-(全氟环己-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(f4-tcnq)或2,2'-(1,3,4,5,7,8-六氟-2,6-萘二亚基)双[丙二腈](f6-tcnnq)。

282、公共n型cgl

283、有机电子传输化合物

284、根据本发明的一个实施方案，当测量电压降veod时，有机电子传输化合物的电子迁移率在如下范围内：≥0.1v至≤15v；或≥0.1v至≤10v，或≥0.1v至≤7.5v，或≥0.1v至≤5.0v；或≥0.1v至≤4.5v，或≥0.1v至≤4.0v；或者≥0.1v至≤3.5v；或者≥0.1v至≤3.0v；或者≥0.1v至≤2.5v；或者≥0.1v至≤2.0v；或者≥0.1v至≤1.5v；或者≥0.1v至≤1.0v；或者≥0.1v至≤0.9v；或者≥0.1v至≤0.8v；或者≥0.1v至≤0.7v；或者≥0.1v至≤0.6v；或者≥0.1v至≤0.5v。

285、根据本发明的一个实施方案，所述有机电子传输化合物具有在如下范围内的通过测量电压降veod确定的电子迁移率：≥0.1v至≤15v；或≥0.1v至≤10v；或≥0.1v至≤7.5v；或≥0.1v至≤5.0v；或≥0.1v至≤4.5v；或≥0.1v至≤4.0v；或者≥0.1v至≤3.5v；或者≥0.1v至≤3.0v；或者≥0.1v至≤2.5v；或者≥0.1v至≤2.0v；或者≥0.1v至≤1.5v；或者≥0.1v至≤1.0v；或者≥0.1v至≤0.9v；或者≥0.1v至≤0.8v；或者≥0.1v至≤0.7v；或者≥0.1v至≤0.6v；或者≥0.1v至≤0.5v。

286、根据本发明的一个实施方案，所述有机电子传输化合物具有在如下范围内的电子迁移率：≥0.1v至≤15v；或≥0.1v至≤10v；或≥0.1v至≤7.5v；或≥0.1v至≤5.0v；或≥0.1v至≤4.5v；或≥0.1v至≤4.0v；或者≥0.1v至≤3.5v；或者≥0.1v至≤3.0v；或者≥0.1v至≤2.5v；或者≥0.1v至≤2.0v；或者≥0.1v至≤1.5v；或者≥0.1v至≤1.0v；或者≥0.1v至≤0.9v；或者≥0.1v至≤0.8v；或者≥0.1v至≤0.7v；或者≥0.1v至≤0.6v；或者≥0.1v至≤0.5v，由此通过测量电压降veod给出电子迁移率。

287、根据本发明的一个实施方案，所述有机电子传输化合物的lumo能级在≥-3.5ev至≤-1e v的范围内，优选在≥-2.5ev至≤-1.2ev的范围内且更优选在≥-2.0ev至≤-1.5ev的范围内，所述lumo能级以参考真空能级为零的绝对标度来表示并使用在程序包turbomole v6.5中实现的杂化泛函b3lyp和gaussian 6-31g*基组来计算。

288、根据本发明的一个实施方案，基于n型电荷产生层的总重量，有机电子传输化合物在公共n型电荷产生层中的含量为≥0.1重量％，优选为≥1重量％，更优选为≥5重量％，更优选为≥10重量％，更优选为≥20重量％，更优选为≥30重量％，更优选为≥40重量％，更优选为≥50重量％，更优选为≥60重量％，更优选为≥70重量％，更优选为≥80重量％，更优选为≥90重量％，更优选为≥95重量％，更优选为≥96重量％，更优选为≥97重量％，最优选为≥98重量％。

289、根据本发明的一个实施方案，有机电子传输化合物缺乏金属原子且其大部分骨架原子可以选自c、h、o、n、s，其任选地另外包含共价键合的b、p、as和/或se。

290、有机电子传输化合物可基本上由共价键合的c、h、o、n、s组成，其任选地另外包含共价键合的b、p、as和/或se。

291、根据本发明的实施方案，有机电子传输化合物优选包含至少一个c2至c24 n-杂芳基或p＝x基团，其中x为o、p、se，尤其优选p＝o。

292、根据本发明的实施方案，所述至少一个c2至c24 n-杂芳基可以选自包含至少一个叠氮基团、优选至少两个叠氮基团、还优选三个叠氮基团的化合物。

293、根据本发明的实施方案，所述有机电子传输化合物包含选自如下中的至少一种基团：吡啶、嘧啶、三嗪、咪唑、苯并咪唑、苯并唑、醌、苯醌、喹喔啉、苯并喹喔啉、吖啶、菲咯啉、苯并吖啶、二苯并吖啶。

294、根据本发明的一个实施方案，有机电子传输化合物包含至少15个共价键合原子，优选至少20个共价键合原子，更优选至少25个共价键合原子，最优选至少30个共价键合原子。

295、根据本发明的一个实施方案，有机基本共价电子传输化合物包含至少15个共价键合原子，优选至少20个共价键合原子，更优选至少25个共价键合原子，最优选至少30个共价键合原子。

296、根据本发明的一个实施方案，有机电子传输化合物可以具有：≥400且≤2000g/mol的分子量mw，优选≥450且≤1500g/mol的分子量mw，还优选≥500且≤1000g/mol的分子量mw，还优选≥550且≤900g/mol的分子量mw，还优选≥580且≤800g/mol的分子量mw，还优选≥600且≤800g/mol的分子量mw。

297、根据本发明的一个实施方案，所述有机电子传输化合物是基本共价有机电子传输化合物。

298、根据本发明的一个实施方案，有机电子传输化合物不含金属络合物、金属阳离子和/或金属有机化合物。

299、根据本发明的一个实施方案，有机电子传输化合物不是金属络合物或金属阳离子。

300、优选地，基本共价有机电子传输化合物不含金属和/或离子键。

301、金属掺杂剂

302、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂选自具有通过鲍林标度确定的≤1.4ev的电负性的金属或包含具有通过鲍林标度确定的≤1.4ev的电负性的金属的金属合金。

303、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂选自具有通过鲍林标度确定的≤1.35ev的电负性的金属或包含具有通过鲍林标度确定的≤1.35ev的电负性的金属的金属合金。

304、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自li、na、k、rb、cs、mg、ca、sr、ba、sm、eu或yb中的金属或包含选自li、na、k、rb、cs、mg、sr、ba、sm、eu或yb中的金属的合金。

305、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自li、na、k、cs、mg、ca、ba、sm、eu或yb中的金属或包含选自li、na、k、cs、mg、ca、ba、sm、eu或yb中的金属的合金。

306、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自li、mg或yb中的金属或包含选自li、mg或yb中的金属的金属合金。

307、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自li或yb中的金属或包含选自li或yb中的金属的金属合金。

308、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自yb中的金属或包含选自li或yb中的金属的金属合金。

309、根据本发明的一个实施方案，金属掺杂剂是选自yb中的金属。

310、n型cgl

311、根据本发明的一个实施方案，公共n型电荷产生层具有≤30nm、优选≤25nm、更优选≤20nm、更优选≤15nm且最优选≤10nm的厚度。

312、根据本发明的一个实施方案，公共n型电荷产生层具有≥1nm、优选≥2nm的厚度。

313、公共cgl

314、根据本发明的一个实施方案，公共电荷产生层具有≤60nm、优选≤55nm、更优选≤50nm、更优选≤45nm、更优选≤40nm、更优选≤35nm、更优选≤30nm、更优选≤25nm且最优选≤20nm的厚度。

315、根据本发明的一个实施方案，公共电荷产生层具有≥2nm、优选≥4nm的厚度。

316、根据本发明的一个实施方案，当单独测量时，公共电荷产生层具有在如下范围内的薄层电阻rs：≥0.2千兆欧姆/平方至≤106千兆欧姆/平方，优选为≥2千兆欧姆/平方至≤106千兆欧姆/平方，更优选为≥20千兆欧姆/平方至≤106千兆欧姆/平方，最优选为200千兆欧姆/平方至≤106千兆欧姆/平方。

317、106千兆欧姆/平方等于1015欧姆/平方或1千万亿欧姆/平方。

318、有机半导体层如电荷产生层的一个特性是它们的导电性。例如，通过所谓的“传输线法”确定薄层电阻。此时，向薄层施加电压并测量流过该层的电流。薄层电阻，分别为导电率，是通过考虑触点的几何形状和样品层的厚度得出的。因此，单位“欧姆/平方”与单位“欧姆”相同，其中添加“/平方”仅帮助区分电阻。

319、根据本发明的一个实施方案，通过传输线法测量薄层电阻。下面进一步对传输线法进行描述。

320、根据本发明的一个实施方案，p型电荷产生层与n型电荷产生层直接接触。

321、电致发光叠层

322、根据本发明的一个实施方案，电致发光单元包含至少一个发光层。

323、根据本发明的一个实施方案，电致发光单元包含至少一个发光层、空穴传输层和电子传输层。

324、根据本发明的一个实施方案，电致发光单元包含至少一个发光层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层和电子传输层。

325、根据本发明的一个实施方案，电子阻挡层布置在空穴传输层与至少一个发光层之间。

326、根据本发明的一个实施方案，空穴阻挡层布置在至少一个发光层与电子传输层之间。

327、显示装置

328、根据本发明的一个实施方案，显示装置包含至少一个公共电荷产生层。

329、根据本发明的一个实施方案，显示装置包含至少两个公共电荷产生层。

330、根据本发明的一个实施方案，显示装置包含至少三个公共电荷产生层。

331、根据本发明的一个实施方案，各个像素包含至少三个垂直层叠的电致发光单元。

332、根据本发明的一个实施方案，各个像素包含至少四个垂直层叠的电致发光单元。

333、根据本发明的一个实施方案，显示装置包含在每对两个垂直层叠的电致发光单元之间的公共电荷产生层。

334、根据本发明的一个实施方案，像素是oled像素。

335、根据本发明的一个实施方案，显示装置是有源基质显示器。

336、根据本发明的一个实施方案，显示装置是oled显示器。

337、根据本发明的一个实施方案，显示装置包含驱动电路，所述驱动电路被配置为分别驱动所述多个像素中的像素。

338、制造方法

339、本发明还涉及一种制造根据本发明的显示装置的方法，所述方法包括制造至少一个公共电荷产生层的步骤，其中各个公共层在一个处理步骤中通过一个大掩模开口沉积到整个显示区域上。

340、其它层

341、根据本发明，除了上面已经提到的层之外，像素或显示装置可以还包含其它层。下面对各个层的示例性实施方案进行描述：

342、基底

343、基底可以是通常用于制造电子器件诸如有机发光二极管的任意基底。如果要通过基底发光，则基底应为透明或半透明的材料，例如玻璃基底或透明塑料基底。如果要通过顶面发光，则基底既可以是透明材料也可以是不透明的材料，例如玻璃基底、塑料基底、金属基底或硅基底。

344、阳极层

345、可以通过沉积或溅射用于形成阳极层的材料来形成阳极层。用于形成阳极层的材料可以是高逸出功材料，从而有助于空穴注入。阳极材料也可以选自低逸出功材料(即铝)。阳极电极可以是透明或反射电极。可以使用透明的导电氧化物例如氧化锡铟(ito)、氧化铟锌(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化锌铝(alzo)和氧化锌(zno)来形成阳极电极。阳极层也可以使用金属或金属合金来形成，所述金属典型地为银(ag)、金(au)。

346、空穴注入层

347、可以通过真空沉积、旋涂、印刷、流延、狭缝式模头涂布、langmuir-blodgett(lb)沉积等在阳极层上形成空穴注入层(hil)。当使用真空沉积形成hil时，沉积条件可以根据用于形成hil的化合物以及hil的期望结构和热特性而变化。然而，通常，真空沉积的条件可以包括100℃至500℃的沉积温度、10-8至10-3托的压力(1托等于133.322pa)和0.1nm/秒至10nm/秒的沉积速率。

348、当使用旋涂或印刷形成hil时，涂布条件可以根据用于形成hil的化合物以及hil的期望结构和热特性而变化。例如，涂布条件可以包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度。在进行涂布之后，热处理以去除溶剂。

349、hil可以由通常用于形成hil的任意化合物形成。可以用于形成hil的化合物的实例包括酞菁化合物如酞菁铜(cupc)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、tdata、2t-nata、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙叉二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯(pani/pss)。

350、hil可以包含或由p型掺杂剂组成，并且p型掺杂剂可以选自：四氟-四氰基醌二甲烷(f4tcnq)、2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈或2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)，但不限于此。hil可以选自掺杂有p型掺杂剂的空穴传输基质化合物。已知的掺杂的空穴传输材料的典型实例是：酞菁铜(cupc)，其homo能级为约-5.2ev，掺杂有四氟-四氰基醌二甲烷(f4tcnq)，其lumo能级为约-5.2ev；掺杂有f4tcnq的酞菁锌(znpc)(homo＝-5.2ev)；掺杂有f4tcnq的α-npd(n,n'-双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺)；掺杂有2,2'-(全氟萘-2,6-二亚基)二丙二腈的α-npd。所述p型掺杂剂的浓度能够选自1至20重量％，更优选选自3重量％至10重量％。

351、然而，根据本发明的优选实施方案，hil包含如上所述的式(i)化合物。

352、根据本发明的优选实施方案，hil可以包含与p型电荷产生层相同的式(i)化合物。

353、根据本发明的优选实施方案，hil可以包含如上所述的基本共价基质化合物。

354、根据本发明的优选实施方案，hil可以包含如上所述的式(i)化合物和如上所述的式(vii)或(viii)化合物。

355、根据本发明的优选实施方案，p型电荷产生层和空穴注入层可以包含相同的基本共价基质化合物。

356、hil的厚度可以在约1nm至约100nm的范围内，并且例如在约1nm至约25nm的范围内。当hil的厚度在该范围内时，hil可以具有优异的空穴注入特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

357、空穴传输层

358、可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、langmuir-blodgett(lb)沉积等在hil上形成空穴传输层(htl)。当通过真空沉积或旋涂来形成htl时，沉积和涂布的条件可以类似于形成hil的条件。然而，真空或溶液沉积的条件可以根据用于形成htl的化合物而变化。

359、htl可以由通常用于形成htl的任意化合物形成。例如在yasuhiko shirota和hiroshi kageyama,chem.rev.2007,107,953-1010中公开了能够适合使用的化合物并通过引用并入本文。可以用于形成htl的化合物的实例是：咔唑衍生物如n-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；联苯胺衍生物如n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(tpd)或n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(α-npd)；和三苯胺类化合物4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)。在这些化合物中，tcta能够传输空穴并抑制激子扩散到eml中。

360、根据本发明的一个实施方案，空穴传输层可以包含如上所述的基本共价基质化合物。

361、根据本发明的一个实施方案，空穴传输层可以包含如上所述的式(vii)或(viii)化合物。

362、根据本发明的优选实施方案，空穴注入层和空穴传输层可以包含如上所述的相同的式(vii)或(viii)化合物。

363、根据本发明的优选实施方案，p型电荷产生层、空穴注入层和空穴传输层可以包含相同的基本共价基质化合物。

364、根据本发明的优选实施方案，p型电荷产生层、空穴注入层和空穴传输层可以包含相同的如上所述的式(vii)或(viii)化合物。

365、htl的厚度可以在约5nm至约250nm、优选地约10nm至约200nm、还优选约20nm至约190nm、还优选约40nm至约180nm、还优选约60nm至约170nm、还优选约80nm至约160nm、还优选约100nm至约160nm、还优选约120nm至约140nm的范围内。htl的优选厚度可以为170nm至200nm。

366、当htl的厚度在该范围内时，htl可以具有优异的空穴传输特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

367、电子阻挡层

368、电子阻挡层(ebl)的功能是防止电子从发光层转移到空穴传输层，从而将电子限制在发光层。由此，改进了效率、工作电压和/或寿命。通常，电子阻挡层包含三芳基胺化合物。三芳基胺化合物的lumo能级比空穴传输层的lumo能级更接近真空能级。与空穴传输层的homo能级相比，电子阻挡层可以具有更远离真空能级的homo能级。电子阻挡层的厚度可以在2至20nm之间选择。

369、如果电子阻挡层具有高三重态能级，则也可以将其描述为三重态控制层。

370、如果使用磷光绿色或蓝色发光层，则三重态控制层的功能是减少三重态的猝灭。由此，能够实现源自磷光发光层的更高的发光效率。三重态控制层选自三重态能级高于相邻发光层中的磷光发光体的三重态能级的三芳基胺化合物。在ep 2 722 908 a1中描述了用于三重态控制层的合适化合物，特别是三芳基胺化合物。

371、光活性层(pal)

372、根据本发明的实施方案，所述有机电子器件还可以包含光活性层，其中所述光活性层布置在所述阳极层与所述阴极层之间。

373、光活性层将电流转化为光子或将光子转化为电流。

374、可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等在htl上形成pal。当通过真空沉积或旋涂来形成pal时，沉积和涂布的条件可以类似于形成hil的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成pal的化合物而变化。

375、根据本发明的一个实施方案，光活性层不包含式(i)化合物。

376、光活性层可以是发光层或吸光层。

377、发光层(eml)

378、根据本发明的实施方案，所述有机电子器件还可以包含发光层，其中所述发光层布置在所述阳极层与所述阴极层之间。

379、可以通过真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等在htl上形成eml。当使用真空沉积或旋涂形成eml时，沉积和涂布的条件可类似于形成hil的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成eml的化合物而变化。

380、根据本发明的一个实施方案，发光层不包含式(i)化合物。

381、发光层(eml)可以由主体和发光体掺杂剂的组合来形成。主体的实例为alq3、4,4'-n,n'-二咔唑-联苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(tbadn)、二苯乙烯基芳亚基(dsa)和双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(zn(btz)2)。

382、发光体掺杂剂可以是磷光或荧光发光体。磷光发光体和经由热激活延迟荧光(tadf)机制发光的发光体由于它们效率较高而可以是优选的。发光体可以是小分子或聚合物。

383、红色发光体掺杂剂的实例是ptoep、ir(piq)3和btp21r(acac)，但不限于此。这些化合物是磷光发光体，然而，也可以使用荧光红色发光体掺杂剂。

384、磷光绿色发光体掺杂剂的实例是ir(ppy)3(ppy＝苯基吡啶)、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3。

385、磷光蓝色发光体掺杂剂的实例为：f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)和ir(dfppz)3；以及三芴。荧光蓝色发光体掺杂剂的实例是4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(dpavbi)、2,5,8,11-四叔丁基苝(tbpe)。

386、基于100重量份的主体，发光体掺杂剂的量可以在约0.01至约50重量份的范围内。或者，发光层可以由发光聚合物组成。eml可以具有约10nm至约100nm、例如约20nm至约60nm的厚度。当eml的厚度在该范围内时，eml可以具有优异的发光，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

387、空穴阻挡层(hbl)

388、可以通过使用真空沉积、旋涂、狭缝式模头涂布、印刷、流延、lb沉积等在eml上形成空穴阻挡层(hbl)，以防止空穴扩散到etl中。当eml包含磷光掺杂剂时，hbl还可以具有三重态激子阻挡功能。

389、hbl也可以命名为辅助etl或a-etl。

390、当使用真空沉积或旋涂形成hbl时，沉积和涂布的条件可以类似于用于形成hil的条件。然而，沉积和涂布的条件可以根据用于形成hbl的化合物而变化。可以使用通常用于形成hbl的任意化合物。用于形成hbl的化合物的实例包括二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物和吖嗪衍生物，优选三嗪或嘧啶衍生物。

391、hbl的厚度可以在约5nm至约100nm、例如约10nm至约30nm的范围内。当hbl的厚度在该范围内时，hbl可以具有优异的空穴阻挡特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

392、电子传输层(etl)

393、根据本发明的有机电子器件可以还包含电子传输层(etl)。

394、根据本发明的另一个实施方案，电子传输层可以还包含吖嗪化合物，优选三嗪化合物或嘧啶化合物。

395、在一个实施方案中，电子传输层可以还包含选自碱金属有机络合物的掺杂剂，优选liq。

396、etl的厚度可以在约15nm至约50nm的范围内，例如在约20nm至约40nm的范围内。当etl的厚度在该范围内时，etl可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

397、根据本发明的另一个实施方案，有机电子器件可以还包含空穴阻挡层和电子传输层，其中空穴阻挡层和电子传输层包含吖嗪化合物。优选地，所述吖嗪化合物是三嗪化合物。

398、根据本发明的实施方案，n型电荷产生层接触夹入电子传输层与p型电荷产生层之间。

399、根据本发明的实施方案，n型电荷产生层接触夹入电子传输层与p型电荷产生层之间；其中n型电荷产生层和/或电子传输层包含叠氮化合物。可获得特别改进的性能。

400、根据本发明的实施方案，n型电荷产生层接触夹入电子传输层与p型电荷产生层之间；并且电子传输层接触夹入第一发光层与n型电荷产生层之间；其中n型电荷产生层和/或电子传输层包含叠氮化合物。可获得特别改进的性能。

401、根据本发明的实施方案，n型电荷产生层接触夹入电子传输层与p型电荷产生层之间；并且电子传输层接触夹入第一发光层与n型电荷产生层之间；其中n型电荷产生层包含菲咯啉化合物并且电子传输层包含叠氮化合物，优选三嗪或嘧啶化合物。可获得特别改进的性能。

402、电子注入层(eil)

403、可以促进从阴极注入电子的任选的eil可以形成在etl上，优选直接在电子传输层上。形成eil的材料的实例包括本领域已知的8-羟基喹啉锂(liq)、lif、nacl、csf、li2o、bao、ca、ba、yb、mg。用于形成eil的沉积和涂布条件类似于用于形成hil的条件，但是沉积和涂布条件可以根据用于形成eil的材料而变化。

404、eil的厚度可以在约0.1nm至约10nm的范围内，例如在约0.5nm至约9nm的范围内。当eil的厚度在该范围内时，eil可以具有令人满意的电子注入特性，而不会对驱动电压造成实质性的损害。

405、阴极层

406、在etl或任选的eil上形成阴极层。阴极层可以由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。阴极电极可以具有低逸出功。例如，阴极层可以由锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝(al)-锂(li)、钙(ca)、钡(ba)、镱(yb)、镁(mg)-铟(in)、镁(mg)-银(ag)等形成。或者，阴极电极可以由诸如ito或izo的透明导电氧化物形成。

407、阴极层的厚度可以在约5nm至约1000nm的范围内，例如在约10nm至约100nm的范围内。当阴极层的厚度在约5nm至约50nm的范围内时，即使由金属或金属合金形成，阴极层也可以是透明或半透明的。

408、应当理解，阴极层不是电子注入层或电子传输层的一部分。

409、像素

410、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极和阴极层。

411、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极和阴极层，其中至少两个垂直层叠的电致发光单元和至少一个电荷产生层布置在阳极层与阴极层之间。

412、根据本发明的一个实施方案，电荷产生层布置在至少两个垂直层叠的电致发光单元的至少一个发光层之间。

413、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极层、空穴注入层、电子注入层和阴极层。

414、根据本发明的一个实施方案，空穴注入层与阳极层直接接触。

415、根据本发明的一个实施方案，电子注入层与阴极层直接接触。

416、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极层、空穴传输层、电子传输层和阴极层。

417、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极层。

418、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。

419、根据本发明的一个实施方案，像素还包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层。