具有中间电极的RERAM模块的制作方法

背景技术：

1、随机存取存储器(在此称为“ram”)是在计算机存储系统中使用的存储类。ram以若干形式出现，其中的许多形式可用于快速存取处理器高速缓冲存储器内部和外部的信息。如此，一些类型的ram被安装在诸如母板的系统板上。这些类型的ram可以根据ram的格式以不同的方式存储信息。例如，一些类型通过改变ram单元中的晶体管-电容器对的状态来存储位信息(例如，“1”或“0”)。

2、一些类型的ram通过改变跨ram单元的电阻的状态来存储位信息。这些电阻式ram(resistive ram，reram)模块包括位于两个电极之间的忆阻器(memristor)元件。通过向忆阻器元件引入电压，可以在忆阻器元件中创建导电缺陷图案。该图案通常被称为导电丝(filament)，并且可以被控制以在高阻状态和低阻状态之间切换忆阻器元件。

技术实现思路

1、本文的一些实施例可以被描述为包括源电极和中间电极的电阻式ram模块。中间电极形成于源电极上。电阻式ram模块还包括忆阻器元件，忆阻器元件沉积在中间电极上，使得中间电极电性地位于源电极与忆阻器元件之间。电阻式ram模块还包括沉电极(sinkelectrode)，沉电极与忆阻器元件相接触，忆阻器元件电性地位于中间电极与沉电极之间。中间电极具有包含至少一个点的闭合曲线轮廓。

2、本文的一些实施例还可以被描述为一种形成电阻式ram模块的方法。该方法包括将一组种子柱施加到电阻式ram模块的层的表面。垂直于表面施加种子柱(seed pillar)。该层包括嵌入层间电介质中的源电极。该方法还包括在种子柱的侧壁上沉积氮化物，使得氮化物累积产生围绕种子柱的一组氮化物边界。该组中的每个氮化物边界与至少两个其他氮化物边界部分重叠，使得在氮化物边界的中心形成间隙。该方法还包括在源电极的顶部上和间隙中沉积中间电极。该方法还包括去除种子柱。该方法还包括：在中间电极上沉积忆阻器元件；以及在忆阻器元件上沉积沉电极。

3、本文的一些实施例还可以被描述为一种计算机程序产品。该计算机程序产品包括计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质具有程序指令。程序指令可由计算机执行，以使计算机执行以上形成电阻式ram模块的方法。

技术特征：

1.一种电阻式ram模块，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式ram模块，其中，所述封闭曲线轮廓是凹形封闭曲线轮廓。

3.根据权利要求2所述的电阻式ram模块，其中，所述忆阻器元件共享所述凹形闭合曲线轮廓。

4.根据权利要求3所述的电阻式ram模块，其中，所述沉电极形成所述凹形闭合曲线轮廓的负图案。

5.根据权利要求2所述的电阻式ram模块，其中，所述凹形闭合曲线轮廓具有四个点。

6.根据权利要求1所述的电阻式ram模块，进一步包括氮化物帽，所述氮化物帽形成在所述中间电极和所述忆阻器元件上。

7.一种形成reram模块的方法，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

9.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述中间电极包括用所述中间电极填充所述间隙。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述中间电极具有凹形闭合曲线轮廓。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述忆阻器元件共享所述凹形闭合曲线轮廓。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沉电极形成所述凹形闭合曲线轮廓的负图案。

13.根据权利要求7所述的方法，其中所述凹形闭合曲线轮廓具有三个点。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括在所述源极电极与所述沉电极之间施加形成电压，其中，所述形成电压致使在所述窄点中的一个窄点处形成导电丝。

15.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机可读存储介质，所述计算机可读存储机制具有的程序指令，所述程序指令可由计算机执行以致使所述计算机：

16.根据权利要求14所述的计算机程序产品，其中所述中间电极具有凹形闭合曲线轮廓。

17.根据权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述忆阻器元件共享所述凹形闭合曲线轮廓。

18.根据权利要求16所述的计算机程序产品，其中所述沉电极形成所述凹形闭合曲线轮廓的负图案。

19.根据权利要求16所述的计算机程序产品，其中所述凹形闭合曲线轮廓具有六个点。

技术总结
电阻式RAM模块包括源电极和形成在源电极上的中间电极。中间电极具有闭合曲线轮廓。电阻式RAM模块还包括沉积在中间电极上的忆阻器元件。电阻式RAM模块还包括与忆阻器元件接触的沉电极。中间电极电性地位于源电极与忆阻器元件之间，并且忆阻器元件电性地位于中间电极与沉电极之间。

技术研发人员：李俊涛,K·程,K·布鲁,D·孔
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15