谐振子以及谐振装置的制作方法

本发明涉及多个振动臂以面外的弯曲振动模式振动的谐振子以及谐振装置。

背景技术：

1、以往，使用mems(micro electro mechanical systems：微机电系统)技术的谐振装置例如被用作定时设备。该谐振装置安装于智能手机等电子设备内嵌入的印刷电路基板上。谐振装置具备下侧基板、在与下侧基板之间形成空腔的上侧基板、在下侧基板以及上侧基板之间配置于空腔内的谐振子。

2、例如在专利文献1中公开了一种谐振子，具备：谐振子，具有振动部、保持部以及保持臂，上述振动部具备基部和多个振动臂，多个振动臂具有与该基部连接的固定端以及与该基部分离设置的开放端，并从固定端延伸到开放端，基部以及多个振动臂具有压电膜、中间夹着该压电膜对置设置的下部电极以及上部电极、以及设置为覆盖上部电极的绝缘膜，上述保持部向多个振动臂的开放端侧延伸设置，上述保持臂连接振动部与保持部；上盖，与谐振子的上部电极对置设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置设置，下盖具有向多个振动臂中的相邻的2个振动臂之间突起的突起，突起具有绝缘膜，振动臂具有设置于开放端侧并且宽度比振动臂中的其他的部位宽的锤部，锤部具有形成在绝缘膜上的导电膜，在俯视下盖的与下部电极对置的面时，与相邻的2个振动臂的任一个振动臂的锤部与保持部之间的第一距离相比，该锤部与上述突起之间的第二距离较大。根据该谐振子，能够抑制谐振子上的绝缘体层、或者绝缘体层上的导电层上带电的电荷对谐振频率造成的影响。

3、专利文献1：国际公开第2019/207829号

4、在以往的谐振装置中，若由于落下等冲击，振动臂在x轴向以及y轴向的至少一个方向上较大地位移，则会在谐振子产生意想不到的较大的应力。其结果，有对产生的应力最大的部位，例如，连接基部与保持部的支承臂施加较大的应力，该支承臂或者该支承臂的周边部位破损的危险。

技术实现思路

1、本发明是鉴于这样的事情而完成的，其目的之一在于提供能够缓和由于冲击在谐振子产生的应力的谐振装置。

2、本发明的一方面所涉及的谐振装置具备：谐振子，包括基部、3根以上的多个振动臂以及保持部，上述多个振动臂分别具有与基部连接的固定端侧的臂部和形成于开放端侧的锤部，并且上述多个振动臂相互并列延伸且以面外弯曲振动模式为主振动进行振动，上述保持部配置于多个振动臂的周围的至少一部分，构成为保持基部；第一基板；第二基板，在与第一基板之间形成谐振子的振动空间；以及突出部，从第一基板或者第二基板的内面向振动空间突出，保持部具有第一突起，在上述谐振子的俯视时，上述第一突起形成于与多个振动臂中的至少一个振动臂的锤部对置的位置。

3、本发明的另一方面所涉及的谐振装置具备：谐振子，具有基部、3根以上的多个振动臂以及保持部，上述多个振动臂分别具有与基部连接的固定端侧的臂部和形成于开放端侧的锤部，并且上述多个振动臂相互并列延伸且以面外弯曲振动模式为主振动进行振动，上述保持部配置于多个振动臂的周围的至少一部分，并构成为保持基部；第一基板；第二基板，在与第一基板之间形成谐振子的振动空间；以及第一突出部，从第一基板或者第二基板的内面向振动空间突出，且与多个振动臂中的至少一个振动臂的上述锤部对置。

4、发明效果

5、根据本发明，能够缓和由于冲击在谐振子产生的应力。

技术特征：

1.一种谐振装置，具备：

2.根据权利要求1所述的谐振装置，其中，

3.根据权利要求2所述的谐振装置，其中，

4.根据权利要求2所述的谐振装置，其中，

5.根据权利要求1所述的谐振装置，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的谐振装置，其中，

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的谐振装置，其中，

8.一种谐振装置，具备：

9.根据权利要求8所述的谐振装置，其中，

10.根据权利要求8所述的谐振装置，其中，

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的谐振装置，其中，

12.根据权利要求8至11中的任一项所述的谐振装置，其中，

技术总结
本发明缓和由于冲击在谐振子产生的应力。谐振装置具备：谐振子(10)，包括基部(130)、多个振动臂(121A～121D)以及保持部(140)，上述多个振动臂分别具有与基部连接的固定端侧的臂部(123A～123D)和形成于开放端侧的锤部(122A～122D)，并且上述多个振动臂相互并列延伸且以面外弯曲振动模式为主振动进行振动，上述保持部配置于多个振动臂(121A～121D)的周围的至少一部分，构成为保持基部(130)；下盖；上盖，在与下盖之间形成谐振子(10)的振动空间；以及突出部(50)，从下盖或者上盖的内面向振动空间突出，保持部(140)具有突起(146a、146b)，在俯视时，上述突起形成于与多个振动臂(121A～121D)中的至少一个振动臂的锤部(122A～122D)对置的位置。

技术研发人员：河合良太,樋口敬之,福光政和,远藤史也,岸武彦,维莱·卡亚卡里
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21