存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法与流程

本文公开的实施例涉及存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术：

1、存储器是一种类型的集成电路系统且用于计算机系统中以存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址。

2、存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长的时间段。非易失性存储器常规地被指定为具有至少约10年的留存时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的留存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器留存或存储在至少两种不同的可选状态中。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或者“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两种信息电平或状态。

3、场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近沟道区且通过薄栅极绝缘体与其分离。将合适电压施加到栅极允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极移除电压时，在很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构(例如可逆可编程电荷存储区)作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

4、快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的bios。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来取代常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议被标准化时支持新通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。

5、nand可为集成快闪存储器的基础架构。nand单元部件包括至少一个选择装置，其串联耦合到存储器单元的串联组合(其中串联组合通常被称为nand串)。nand架构可经配置成包括个别地包括可逆可编程竖直晶体管的竖直堆叠的存储器单元的三维布置。控制或其它电路系统可经形成在竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括竖直堆叠的存储器单元，其个别包括晶体管。

6、存储器阵列可布置成存储器页、存储器块及部分块(例如，子块)及存储器平面，例如如在第2015/0228651号、第2016/0267984号及第2017/0140833号美国公开专利申请案中展示且描述。存储器块可至少部分地界定竖直堆叠存储器单元的个别字线层级中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可发生在竖直堆叠存储器单元的阵列的末端或边缘处的所谓“楼梯台阶结构”中。楼梯台阶结构包含个别“楼梯”(也称为“台阶”或“楼梯台阶”)，其界定个别字线的接触区，竖向延伸的导电通孔在所述接触区上接触以提供对字线的电接入。

技术实现思路

技术特征：

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述竖直移除包括蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述竖直移除将所述向上打开的空隙空间的所述底部形成为在所述个别导电通孔的所述底部处或在所述底部上方。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述竖直移除将所述向上打开的空隙空间的所述底部形成为在所述个别导电通孔的所述底部上方。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述竖直移除使一些所述绝缘材料周向围绕所述个别导电通孔的横向侧壁的最上部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述竖直移除使一些所述绝缘材料周向围绕所述个别导电通孔的所有所述横向侧壁。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成也在所述个别导电通孔的顶部正上方。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成包括从所述个别导电通孔的导电材料选择性沉积所述绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述竖直移除使一些所述绝缘材料周向围绕所述个别导电通孔的所有横向侧壁，所述绝缘材料的所述形成包括从所述个别导电通孔的所述顶部的所述导电材料选择性地沉积所述绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成直接抵靠所述向上打开的空隙空间的底部。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成在所述个别导电通孔的所述顶部上方形成所述覆盖空隙空间的所述顶部。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成在所述个别导电通孔的所述顶部下方形成所述覆盖空隙空间的所述顶部。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料的所述形成将所述覆盖空隙空间的所述顶部形成为与所述个别导电通孔的所述顶部竖向重合。

14.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

15.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

16.一种存储器阵列，其包括：

17.根据权利要求16所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述底部位于所述个别导电通孔的所述底部或在所述底部上方。

18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述底部在所述个别导电通孔的所述底部上方。

19.根据权利要求16所述的存储器阵列，其包括周向围绕所述个别导电通孔的横向侧壁的最上部分的固体绝缘材料，所述固体绝缘材料横向地在所述个别导电通孔与所述覆盖的空隙空间之间。

20.根据权利要求16所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部位于所述个别导电通孔的所述顶部上方。

21.根据权利要求16所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部在所述个别导电通孔的所述顶部下方。

22.根据权利要求16所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部与所述个别导电通孔的所述顶部竖向重合。

23.一种存储器阵列，其包括：

24.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述底部位于所述个别第一导电通孔的所述底部或在所述底部上方。

25.根据权利要求24所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述底部在所述个别第一导电通孔的所述底部上方。

26.根据权利要求23所述的存储器阵列，其包括周向围绕所述个别第一导电通孔的横向侧壁的最上部分的固体绝缘材料，所述固体绝缘材料横向地在所述个别第一导电通孔与所述覆盖的空隙空间之间。

27.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部位于所述个别第一导电通孔的所述顶部上方。

28.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部在所述个别第一导电通孔的所述顶部下方。

29.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述覆盖的空隙空间的所述顶部与所述个别第一导电通孔的所述顶部竖向重合。

技术总结
一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠。存储器单元串的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。导电通孔形成在个别所述沟道材料串上方且个别电耦合到个别所述沟道材料串。绝缘材料横向地在紧邻的所述导电通孔之间。至少一些所述绝缘材料被竖直移除，以形成周向围绕多个所述导电通孔的向上打开的空隙空间。绝缘材料横向形成在所述紧邻的导电通孔之间，以从所述向上打开的空隙空间形成覆盖的空隙空间。数字线形成在其下方的多个个别所述导电通孔上方且个别电耦合到多个个别所述导电通孔。公开包含独立于方法的结构的其它实施例。

技术研发人员：S·古普塔,N·考希克,P·夏尔马
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21