显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置。


背景技术：

2.目前，显示技术渗透到了人们日常生活的各个方面，相应地，越来越多的材料和技术被用于显示面板。当今，主流的显示面板主要有液晶显示面板和有机发光显示面板(organic light-emitting diode，oled)。
3.有机发光二极管作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中，oled显示面板具备自发光、广视角、响应速度快、对比度高、色域广、能耗低、面板薄、色彩丰富、可实现柔性显示、工作温度范围宽等诸多优异特性，因此被誉为下一代的“明星”平板显示技术。
4.oled显示面板包括阳极和阴极、以及设置在阳极和阴极之间的空穴传输层、有机发光层和电子传输层，阳极提供空穴注入，阴极提供电子注入，在外界电压的驱动下，由阴极和阳极注入的空穴和电子在有机发光层中复合，形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子)，激子辐射退激发发出光子，产生可见光。
5.为了提升oled显示面板中发光器件的发光效率、降低驱动电压，通常对空穴注入层(hil，hole inject layer)进行p型掺杂剂掺杂以调节材料能级，提升器件性能，但是相关技术中oled器件在制作空穴注入层时会使用通用掩膜版(cmm，common metal mask)而导致横向漏流，引起相邻子像素偷亮，在低灰阶下尤为明显。
6.因此，亟需提供一种能够改善由于横向漏流引起子像素偷亮的显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置。


技术实现要素：

7.有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置，用以改善由于横向漏流引起子像素偷亮的问题。
8.一方面，本发明提供了一种显示面板，包括：
9.阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板一侧的阵列层，在所述阵列层远离所述衬底基板一侧依次设置的、并在垂直于所述衬底基板所在平面与所述开口交叠的第一电极、像素定义层、公共第一类传输层、独立发光层、第二类传输层、第二电极。
10.所述像素定义层远离所述衬底基板一侧具有不规则粗糙面，所述粗糙面至少设置在相邻的且颜色不同的两个所述子像素之间。
11.另一方面，本发明还提供了一种等离子体掩膜装置，用于制作上述显示面板，包括：
12.多个遮挡块，所述遮挡块与所述子像素相对应；
13.第一连接部，所述第一连接部连接沿行方向上相邻的两个所述遮挡块；
14.第二连接部，所述第二连接部连接沿列方向上相邻的两个所述遮挡块。
15.另一方面，本发明还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
16.提供衬底基板；
17.在所述衬底基板一侧形成阵列层；
18.在所述阵列层远离所述衬底基板的一侧依次形成第一电极和像素定义层，所述像素定义层具有与显示面板的子像素对应的开口；
19.将所述等离子体掩膜装置放置在所述像素定义层上，使得所述遮挡块与所述开口相对应；
20.对所述像素定义层的表面进行等离子体处理，使所述像素定义层的表面粗糙化；
21.在所述开口上远离所述基板一侧依次形成公共第一类传输层、独立发光层、第二类传输层和第二电极。
22.与现有技术相比，本发明提供的显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置，至少实现了如下的有益效果：
23.一方面，本发明的显示面板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的阵列层、位于阵列层远离衬底基板一侧依次设置的并在垂直于衬底基板所在平面的方向上与子像素的开口交叠的第一电极、像素定义层、公共第一类传输层、独立发光层、第二类传输层、第二电极，像素定义层远离衬底基板一侧具有不规则粗糙面，该粗糙面至少设置在相邻的且颜色不同的两个子
24.像素之间，在形成公共第一类传输层时，公共第一类传输层会在粗糙面的5位置发生断裂或者不连续的现象，对应粗糙面的位置处的公共第一类传输层相当于发生断路电阻增大，由此降低了公共第一类传输层的空穴向相邻子像素的漏流的传输能力，减小了相邻子像素偷亮的风险。
25.另一方面，本发明还提供了一种等离子体掩膜装置，包括多个遮挡块，
26.所述遮挡块与所述子像素相对应；第一连接部，所述第一连接部连接沿行0方向上相邻的两个所述遮挡块；第二连接部，所述第二连接部连接沿列方
27.向上相邻的两个所述遮挡块，第一连接部和第二连接部连接遮挡块并且支撑遮挡块，该等离子体掩膜装置的遮挡块遮挡住子像素的开口，通过离子轰击遮挡块以外的区域使像素定义层远离衬底基板的一侧形成粗糙面，到
28.达降低公共第一类传输层的空穴向相邻子像素的漏流的传输能力、减小相5邻子像素偷亮的风险的目的。
29.当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
30.通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其0它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
31.被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
32.5图1是相关技术中显示面板的结构示意图；
33.图2是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图；
34.图3是图2中a-a’向的一种剖面图；
35.图4是图3中m区域的局部放大图；
36.图5是本发明提供的又一种显示面板的平面结构示意图；
37.图6是本发明提供的一种等离子体掩膜装置的结构示意图；
38.图7是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图；
39.图8是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图；
40.图9是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图；
41.图10是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图；
42.图11是图6中n区域的局部放大图；
43.图12是图6中b-b’向的一种剖面图；
44.图13是本发明提供的一种显示面板的制作方法流程图；
45.图14是步骤s2对应的结构图；
46.图15是步骤s3对应的结构图；
47.图16步骤s4对应的结构图；
48.图17是步骤s5对应的结构图。
具体实施方式
49.现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
50.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
51.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
52.在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
53.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
54.鉴于相关技术的oled显示面板存在横向漏流引起子像素偷亮的问题，发明人对相关技术进行了如下研究，参照图1，图1是相关技术中显示面板的结构示意图，图1中的显示面板包括阵列基板020，阵列基板020包括衬底基板014以及位于衬底基板014上的驱动晶体管013，每个驱动晶体管013与一个子像素电连接，图1中示出了相邻的三个子像素，即子像素001、子像素002和子像素003，子像素001、子像素002和子像素003的发光颜色均不相同，可以为r、g、b，每个子像素都包括阳极009、位于阳极009上的空穴注入层010、位于空穴注入层010上的发光材料层011、位于发光材料层011上的电子传输层015、位于电子传输层015上的阴极012，子像素001、子像素002和子像素003中的发光材料层011的发光颜色均不同，在相邻的子像素之间为像素定义层005，阳极009提供空穴注入，阴极012提供电子注入，在外界电压的驱动下，由阳极009和阴极012注入的空穴和电子在发光材料层011中复合，形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子)，激子辐射退激发发出光子，产生可见光，从图1中可以
看到，子像素001、子像素002和子像素003中的发光材料层011彼此是断开的，但空穴注入层010和电子传输层015是公共的即是整层覆盖的，这样就存在漏流的机会，表现在横向漏流最为明显，另外由图1可知阳极009与阴极012之间的膜层较多，距离较远，阳极009的电压在每一膜层都会产生不同程度的压降，所以要保证子像素发光，阳极009的电压需要足够大，而阳极009的电压足够大之后，空穴不仅会在垂直于阵列基板020的方向上有传输，而且在横向方向x上也会向相邻的子像素传输，如图1中(箭头指向的方向)当子像素001发光时会有一定量的空穴向子像素002移动，空穴注入层010传输的是空穴，空穴带正电，如果子像素001的空穴向子像素002漏流，子像素001中带正电的空穴与子像素002中阴极提供的电子在子像素002的发光材料层011中复合引起子像素002被偷偷点亮。同理，子像素002发光时，也会有一定量的空穴向子像素001、子像素003移动，子像素002中带正电的空穴与子像素001中阴极提供的电子在子像素001的发光材料层011中复合引起子像素001被偷偷点亮、子像素002中带正电的空穴与子像素003中阴极提供的电子在子像素003的发光材料层中引起子像素003被偷偷点亮。
55.有鉴于此，本发明提供的另一种显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置，用以改善oled显示面板横向漏流子像素偷亮的问题。对于显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置的具体实施例下文将详述。
56.参照图2和图3，图2是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图，图3是图2中a-a’向的一种剖面图。
57.本实施例的显示面板1000包括：阵列基板(图中未标注)，阵列基板包括衬底基板10、位于衬底基板10一侧的阵列层11，还包括在阵列层11远离衬底基板10一侧依次设置的、并在垂直于衬底基板10所在平面的方向上与子像素2000的开口交叠的第一电极300、像素定义层400、公共第一类传输层500、独立发光层600、第二类传输层700、第二电极800；像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，粗糙面401至少设置在相邻的且颜色不同的两个子像素2000之间。
58.具体的，本发明的显示面板1000为有机发光显示面板1000，参照图2，图2中示出了具体的，图2中的显示面板1000包括显示区aa和围绕显示区aa的非显示区bb，图2仅示出了非显示区bb完全围绕显示区aa的情况，当然非显示区bb还可以部分围绕显示区aa，例如水滴屏，这里不做具体限定。非显示区bb沿列方向y上包括相对设置的上边框和下边框，下边框中通常会绑定有驱动芯片，图2的显示面板1000中还示出了沿行方向x排布列方向y延伸的数据线s、以及沿行方向x延伸列方向y排布的扫描线g，扫描线g和数据线s均设置在阵列层11，驱动芯片ic为数据线s提供数据电压，通过数据线s的传输将数据电压写入阵列层11的驱动电路中，对于驱动电路的结构这里不做具体限定，可选的，驱动电路可以7t1c电路。
59.参照图3，图3中示出了衬底基板10以及位于衬底基板10靠近显示面板1000出光面一侧的阵列层11，阵列层11包括驱动晶体管m0，驱动晶体管m0包括栅极m01、源极m02和漏极m03，当然阵列层11还包括位于衬底基板10一侧的有源层m04、第一金属层、第二金属层，驱动晶体管m0包括位于第一金属层的栅极m01以及位于第二金属层的源极m02和漏极m03，在有源层和第一金属层之间、以及第一金属层和第二金属层之间均包括绝缘层1212，图中未对衬底基板10和绝缘层12进行图案填充，数据线s与第二金属层同层，扫描线g与第一金属层同层。在一些可选的实施例中，还设置第三金属层(图中未示出)，第三金属层位于第二金
属层远离衬底基板的一侧，数据线与第三金属层同层。
60.本发明的显示面板1000包括位于阵列层11远离衬底基板10一侧的发光器件，具体的，包括在阵列层11远离衬底基板10一侧依次设置的第一电极300、像素定义层400、公共第一类传输层500、独立发光层600、第二类传输层700、第二电极800：
61.第一电极300可以为阳极，由各种导电材料形成。对于阳极，因为需要将空穴注入到oled中，因此需要其具有较高的功函数(work function)。例如，可以根据它的用途形成为透明电极或反射电极。当第一电极300形成为透明电极时，阳极可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟、au、pt、或si等。
62.像素定义层400可以由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、亚克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成。
63.公共第一类传输层500可以为空穴注入层和空穴传输层，也可以仅为空穴传输层，通过蒸镀的方法形成，在蒸镀公共第一类传输层500时可以使用通用掩膜版，整面形成公共第一类传输层500。
64.再在公共第一类传输层500上蒸镀独立发光层600，不同子像素2000的开口内蒸镀的发光材料不同，发光材料可以由低分子量有机材料或者高分子量的有机材料形成。
65.位于独立发光层600远离衬底基板10一侧的是第二类传输层700，第二类传输层700可以为电子传输层，电子传输层也可以通过蒸镀的方法形成。
66.第二电极800可选的为阴极，阴极位于发光结构上。与阳极相似，阴极可以形成为透明电极或反射电极。阴极材料的选择的最基本条件是电子注入容易。因此，需要选择低功率的材料作为oled的阴极，采用低功函数的材料作为阴极，不仅可以提高电子注入效率，还可以降低oled工作时产生的焦耳热，提高器件的寿命。
67.oled显示面板1000的发光原理为有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，oled显示器件通常采用氧化铟锡(ito)像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到有机发光材料层，并在有机发光材料层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
68.图3中还示出了封装层900，图中未对封装层900进行图案填充，封装层900位于第二电极800远离衬底基板10的一侧，用于防止水氧气进入。
69.可以理解的是，沿行方向x上，相邻两个子像素2000的发光颜色均不同，图3中示出了沿行方向x上，第一子像素2001和第二子像素2002之间的像素定义层400具有粗糙面401，同时在第二子像素2002和第三子像素2003之间的像素定义层400也具有粗糙面401。在一些可选的实施例中，可以在第一子像素2001和第二子像素2002之间的像素定义层400具有粗糙面401，这里未示出。在一些可选的实施例中，可以在第二子像素2002和第三子像素2003之间的像素定义层400具有粗糙面401，这里未示出。可以理解的是，沿列方向y上两个子像素2000之间的像素定义层400也可以具有粗糙面401，这里不做具体限定。
70.需要说明的是，本发明中的粗糙面401可以是向衬底基板10一侧凹陷的不规则凹槽，也可以是在像素定义层400远离衬底基板10的一侧形成尖端状凸起。
71.参照图3，像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，该粗糙面
401至少设置在相邻的且颜色不同的两个子像素2000之间，在形成公共第一类传输层500时，公共第一类传输层500会在粗糙面401的位置发生断裂或者不连续的现象。
72.图3中示出了在第一子像素2001和第二子像素2002之间的像素定义层400具有不规则粗糙面401，以及在第二子像素2002和第三子像素2003之间的像素定义层400也具有不规则粗糙面401，增加了像素定义层400的表面粗糙度和颗粒感，后续蒸镀公共第一类传输层500时，由于像素定义层400的表面粗糙，蒸镀膜层附着不佳，出现公共第一类传输层500膜层断裂或者不连续的现象，使得公共第一类传输层500在第一子像素2001和第二子像素2002之间、以及在第二子像素2002和第三子像素2003之间均发生了断裂，相当于公共第一类传输层500发生断路，电阻增大。公共第一类传输层500在第一子像素2001和第二子像素2002之间发生断裂，公共第一类传输层500在第一子像素2001和第二子像素2002之间形成断路，第一子像素2001的公共第一类传输层500的空穴不会或减少传输至第二子像素2002，第一子像素2001的空穴不会与第二子像素2002的电子在第二子像素2002的独立发光层600中复合引起第二子像素2002偷亮，同理第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第一子像素2001，第二子像素2002的空穴不会与第一子像素2001的电子在第一子像素2001的独立发光层600中复合引起第一子像素2001偷亮；公共第一类传输层500在第二子像素2002和第三子像素2003之间发生了断裂，公共第一类传输层500在第二子像素2002和第三子像素2003之间形成断路，第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第三子像素2003，第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴不会在第三子像素2003的独立发光层600中复合引起第三子像素2003偷亮，同理第三子像素2003的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第二子像素2002，第三子像素2003的公共第一类传输层500的空虚不会在的第二子像素2002的独立发光层600中复合引起第二子像素2002偷亮。
73.相对于相关技术，本发明的显示面板至少具有以下有益效果：
74.本发明的显示面板1000包括衬底基板10、位于衬底基板10一侧的阵列层11、位于阵列层11远离衬底基板10一侧依次设置的并在垂直于衬底基板10所在平面的方向上与子像素2000的开口交叠的第一电极300、像素定义层400、公共第一类传输层500、独立发光层600、第二类传输层700、第二电极800，像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，该粗糙面401至少设置在相邻的且颜色不同的两个子像素2000之间，在形成公共第一类传输层500时，公共第一类传输层500会在粗糙面401的位置发生断裂或者不连续的现象，对应粗糙面401的位置处的公共第一类传输层500相当于发生断路电阻增大，由此降低了公共第一类传输层500的空穴向相邻子像素2000的漏流的传输能力，横向载流子无法或者减少传输至相邻子像素2000中，减小了相邻子像素2000偷亮的风险。
75.在一些可选的实施例中，继续参照图3和参照图4，图4是图3中m区域的局部放大图，粗糙面401包括向衬底基板10一侧凹陷的凹槽，凹槽在第一方向f1上的高度为h1，像素定义层400在第一方向f1上的高度为h2，h1与h2的比值为1/5～1/3；第一方向f1为垂直于阵列基板方向。
76.需要说明的是，粗糙面401可以包括向衬底基板10一侧凹陷的多个凹槽，沿行方向x上，这多个凹槽可以是连续的，也可以是不连续的，这里不做具体限定。
77.可以理解的是，沿第一方向f1上，凹槽的深度越大，在沉积公共第一类传输层500
时，越容易造成公共第一类传输层500在凹槽的位置发生断裂，相反，沿第一方向f1上，凹槽的深度越小，在沉积公共第一类传输层500时，越不容易造成公共第一类传输层500在凹槽的位置发生断裂；当然沿第一方向f1上凹槽的深度也不能过大，凹槽的深度过大一方面需要更多功耗去制作这些凹槽，另外凹槽深度过大会引起像素定义层400强度的减小，显示面板1000的可靠性会降低。沿第一方向f1上凹槽的深度也不能过小，凹槽的深度过小，凹槽的阻值就会很小，无法达到降低公共第一类传输层500的空穴向相邻子像素2000的漏流的传输能力。
78.可选的，凹槽可以通过等离子体轰击的方式形成粗糙面401的凹槽，具体的，可以通过调整等离子轰击时的能量来形成不同高度的凹槽，具体的，显示面板1000尺寸的大小以及粗糙度不同，所需要的轰击能力不同。等离子体表面处理会对高分子材料产生刻蚀作用，等离子体中的电子、离子等活性粒子撞击材料表面引起的溅射侵蚀(主要是惰性气体)，另外等离子体中的高能粒子不断轰击材料表面，使材料表面变得粗糙，增加比表面积。此外由于等离子体轰击后在像素定义层400表面形成的凹槽深度不一定相同，本发明中的凹槽的深度是指形成的最大深度。
79.本实施例中，凹槽在第一方向f1上的高度h1与像素定义层400在第一方向f1上的高度h2的比值为1/5～1/3，既能够保证公共第一类传输层500在凹槽的位置发生断裂，增加凹槽的阻值，降低公共第一类传输层500的空穴向相邻子像素2000的漏流的传输能力，减小相邻子像素2000偷亮的风险，而且还不会耗费过多的功耗去制作凹槽，同时也不会引起像素定义层400强度降低，保证显示面板1000的可靠性。
80.在一些可选的实施例中，参照图5，图5是本发明提供的又一种显示面板的平面结构示意图，显示面板1000包括呈矩阵排列的多个像素重复单元200，像素重复单元200包括两个第一子像素2001、两个第二子像素2002以及四个第三子像素2003，第一子像素2001、第二子像素2002以及第三子像素2003的发光颜色不同；
81.同一个像素重复单元200中，两个第一子像素2001和两个第二子像素2002形成两行两列排布，且同行或同列设置的两个子像素2000的发光颜色不同；
82.两个第一子像素2001的中心和两个第二子像素2002的中心构成第一虚拟四边形x1，第三子像素2003位于第一虚拟四边形x1的内部；
83.四个第三子像素2003的几何中心构成第二虚拟四边形x2，第一子像素2001或者第二子像素2002位于第二虚拟四边形x2的内部；
84.第二子像素2002与第一子像素2001之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，第一子像素2001与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，和/或第二子像素2002与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401。
85.可选地，本实施例的子像素2000排布方式为钻石排布，第一子像素2001、第二子像素2002和第三子像素2003分别为红色子像素2000、蓝色子像素2000以及绿色子像素2000中的一种且各不相同，采用如图5所示的像素排布结构时，相邻的第一子像素2001、第二子像素2002与第三子像素2003的中心相连构成的三角形中，根据三角形三边关系中：三角形的大角对大边。那么，第一子像素2001和第二子像素2002中心之间的距离大于第二子像素2001和第三子像素2002以及第一子像素2001和第三子像素2003的中心之间的距离。此时，
第一子像素2001和第二子像素2002的间距大，由此在一定程度上会增加载流子漏流时的路径长度。同理，在相邻的两个第三子像素2003和一个第二子像素2002的中心相连构成的三角形中，根据三角形三边关系中：三角形的大角对大边。那么，两个第三子像素2003中心之间的距离大于任一第三子像素2003与第二子像素2002中心之间的距离。因此，本发明的子像素2000以钻石排布为优选的排布方式，任一两子像素中心之间的距离较大，这在一定程度上会增加载流子漏流时的路径长度，提高改善像素之间偷亮的效率。
86.同时，在第二子像素2002与第一子像素2001之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，也可以在第一子像素2001与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，也可以在第二子像素2002与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，这里不做具体限定，对于粗糙面401的结构图可以参照图3中的结构，这里不再赘述。
87.在第二子像素2002与第一子像素2001之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，公共第一类传输层500在第一子像素2001和第二子像素2002之间发生断裂，公共第一类传输层500在第一子像素2001和第二子像素2002之间形成断路，第一子像素2001的公共第一类传输层500的空穴不会或减少传输至第二子像素2002，第一子像素2001的空穴不会与第二子像素2002的电子在第二子像素2002的独立发光层600中复合引起第二子像素2002偷亮，同理第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第一子像素2001，第二子像素2002的空穴不会与第一子像素2001的电子在第一子像素2001的独立发光层600中复合引起第一子像素2001偷亮，再加之本实施例中采用钻石排布的方式，第二子像素2002与第一子像素2001之间的像素定义层400间隔较大，能够延长载流子发生横向漏流时的路径，改善偷亮的效果更好。
88.在第一子像素2001与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，公共第一类传输层500在第一子像素2001和第三子像素2003之间发生断裂，公共第一类传输层500在第一子像素2001和第三子像素2003之间形成断路，第一子像素2001的公共第一类传输层500的空穴不会或减少传输至第三子像素2003，第一子像素2001的空穴不会与第三子像素2003的电子在第三子像素2003的独立发光层600中复合引起第三子像素2003偷亮，同理第三子像素2003的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第一子像素2001，第三子像素2003的空穴不会与第一子像素2001的电子在第一子像素2001的独立发光层600中复合引起第一子像素2001偷亮，再加之本实施例中采用钻石排布的方式，第三子像素2003与第一子像素2001之间的像素定义层400间隔较大，能够延长载流子发生横向漏流时的路径，改善偷亮的效果更好。
89.在第二子像素2002与第三子像素2003之间的像素定义层400远离衬底基板10一侧具有不规则粗糙面401，公共第一类传输层500在第二子像素2002和第三子像素2003之间发生了断裂，公共第一类传输层500在第二子像素2002和第三子像素2003之间形成断路，第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第三子像素2003，第二子像素2002的公共第一类传输层500的空穴不会在第三子像素2003的独立发光层600中复合引起第三子像素2003偷亮，同理第三子像素2003的公共第一类传输层500的空穴也不会或减少传输至第二子像素2002，第三子像素2003的公共第一类传输层500的空虚不会在的第二子像素2002的独立发光层600中复合引起第二子像素2002偷亮，再加之本实施例中采用
钻石排布的方式，第二子像素2002与第三子像素2003之间的像素定义层400间隔较大，能够延长载流子发生横向漏流时的路径，改善偷亮的效果更好。
90.基于同一方面思想，本发明还提供了一种等离子体掩膜装置，参照图6和图7，图6是本发明提供的一种等离子体掩膜装置的结构示意图，图7是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图，并结合图2、图3和图5，本发明的等离子体掩膜装置30用于制作上述任一实施例的显示面板1000，包括：多个遮挡块31，遮挡块31与子像素2000相对应；第一连接部32，第一连接部32连接沿行方向x上相邻的两个遮挡块31；第二连接部33，第二连接部33连接沿列方向y上相邻的两个遮挡块31。
91.具体的，遮挡块31与显示面板1000中的子像素2000相对应，确切的说，遮挡块31用于遮挡显示面板1000中形成子像素2000的开口，未被遮挡块31遮挡的部位对应的是像素定义层400。遮挡块31的位置与形状与子像素2000的位置、形状一一对应，如图6和图2所示，图6中的遮挡块31与显示面板1000中的子像素2000一一对应，同样，如图7和图5所示，图7中的遮挡块31与显示面板1000中的子像素2000一一对应。
92.可选的，遮挡块31、第一连接部32和第二连接部33为一体成型结构，
93.第一连接部32和第二连接部33的作用是分别在行方向x和列方向y连接并支撑遮挡块31。
94.通过第一连接部32将多个遮挡块31在行方向x上连接起来，通过第二连接部33将多个遮挡块31在列方向y上连接起来，由于第一子像素2001和第二子像素2002中心之间的距离大于第二子像素2001和第三子像素2002以及第一子像素2001和第三子像素2003的中心之间的距离，那么第一子像素2001和第二子像素2002之间的像素定义层400距离也比第二子像素2001和第三子像素2002以及第一子像素2001和第三子像素2003的像素定义层400距离更大。同理，两个第三子像素2003之间的像素定义层400距离也大于任一第三子像素2003与第二子像素2002之间的像素定义层400距离。像素定义层400的跨距越大，漏电路径就越大，相邻子像素2000的漏电流的传输能力就会越弱，像素定义层400的跨距越小，漏电路径就越小，相邻子像素2000的漏电流的传输能力就会越强。被连接部遮挡住的像素定义层难以形成防止漏电流的粗糙面，因此将连接部设置间距较大的子像素之间(如相邻第一子像素2001和第二子像素2002、相邻的两个第三子像素2003之间)，不将连接部设置间距较小的子像素之间，可以避免间距较小的子像素对应的跨距较小像素定义层400因设置连接部而难以形成防止漏电流的粗糙面，造成漏电路径较小的相邻子像素之间产生漏电流偷亮的情形。
95.在制作显示面板1000时，在衬底基板10上形成阵列层11后，再在阵列层11上形成第一电极300和像素定义层400，而后将遮挡块31遮挡住子像素2000的开口，对于未被遮挡块31遮挡的位置对应的是像素定义层400，此时可对像素定义层400进行等离子体轰击，使像素定义层400的表面形成不规则的粗糙面401，后续再在制作公共第一传输层时，公共第一传输层会在粗糙面401的位置发生断裂，降低公共第一类传输层500的空穴向相邻子像素2000的漏流的传输能力，横向载流子无法或者减少传输至相邻子像素2000中，减小相邻子像素2000偷亮的风险。
96.在一些可选的实施例中，参照图8，图8是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图，结合图4，第一连接部32包括贯穿第一连接部32的第一镂空部34。
97.具体的，图8中仅以第一镂空部34在遮挡块31所在平面的正投影形状为圆形做示意性说明，当然也可以为其它形状，这里不做具体限定。图8中第一镂空部34的数量仅为示意性说明，对于相邻两个遮挡块31之间第一镂空部34的数量可以为一个也可以为两个，以包括第一镂空部34后第一连接部32能够支撑遮挡块31为目的即可。
98.可以理解的是，本发明中遮挡块31用于遮挡住子像素2000的开口位置，除去遮挡块31以外的位置对应的是像素定义层400，第一连接部32的设置会遮挡住一部分像素定义层400，这样被第一连接部32遮挡住的位置则不能够在等离子轰击时形成粗糙面401。本实施例中第一连接部32包括贯穿第一连接部32的第一镂空部34，这样能够增加像素定义层400裸露的面积，尽可能多的在像素定义层400远离衬底基板10的一侧形成粗糙面401，提高公共第一传输层会在粗糙面401的位置发生断裂的可能性。
99.在一些可选的实施例中，继续参照图8，第一镂空部34的形状为圆形、椭圆形和多边形中的一种或几种。
100.图8中仅以第一镂空部34的形状为圆形为例进行示意性说明，当然第一镂空部34还可以为椭圆形或多边形，优选的为正多边形，或者部分第一镂空部34为圆形、部分第一镂空部34为椭圆形、部分第一镂空部34为多边形。
101.圆形、椭圆形和多边形为规整图形，容易通过刻蚀、冲击等工艺在第一连接部32上形成第一镂空部34。
102.在一些可选的实施例中，参照图9，图9是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图，结合图4，第二连接部33包括贯穿第二连接部33的第二镂空部35。
103.具体的，图9中仅以第二镂空部35在遮挡块31所在平面的正投影形状为椭圆形，当然也可以为其它形状，这里不做具体限定。图9中第二镂空部35的数量仅为示意性说明，对于相邻两个遮挡块31之间第二镂空部35的数量可以为一个也可以为两个，以包括第二镂空部35后第二连接部33能够支撑遮挡块31为目的即可。
104.可以理解的是，本发明中遮挡块31用于遮挡住子像素2000的开口位置，除去遮挡块31以外的位置对应的是像素定义层400，第二连接部33的设置会遮挡住一部分像素定义层400，这样被第二连接部33遮挡住的位置则不能够在等离子轰击时形成粗糙面401。本实施例中第二连接部33包括贯穿第二连接部33的第二镂空部35，这样能够增加像素定义层400裸露的面积，尽可能多的在像素定义层400远离衬底基板10的一侧形成粗糙面401，提高公共第一传输层会在粗糙面401的位置发生断裂的可能性。
105.在一些可选的实施例中，继续参照图9，第二镂空部35的形状为圆形、椭圆形和多边形中的一种或几种。
106.图9中仅以第二镂空部35的形状为椭圆形为例进行示意性说明，当然第二镂空部35还可以为圆形或多边形，优选的为正多边形，或者部分第二镂空部35为圆形、部分第二镂空部35为椭圆形、部分第二镂空部35为多边形。
107.圆形、椭圆形和多边形为规整图形，容易通过刻蚀、冲击等工艺在第一连接部32上形成第二镂空部35。
108.在一些可选的实施例中，参照图10，图10是本发明提供的又一种等离子体掩膜装置的结构示意图，图10中第一连接部32包括贯穿第一连接部32的第一镂空部34，第二连接部33包括贯穿第二连接部33的第二镂空部35，图10中仅以第一镂空部34的形状为圆形、第
二镂空部35的形状为圆形为例。
109.结合图4，本发明中遮挡块31用于遮挡住子像素2000的开口位置，除去遮挡块31以外的位置对应的是像素定义层400，第一连接部32和第二连接部33的设置会遮挡住一部分像素定义层400，这样被第一连接部32和第二连接部33遮挡住的位置则不能够在等离子轰击时形成粗糙面401。本实施例中第一连接部32包括贯穿第一连接部32的第一镂空部34，第二连接部33包括贯穿第二连接部33的第二镂空部35，这样能够进一步增加像素定义层400裸露的面积，尽可能多的在像素定义层400远离衬底基板10的一侧形成粗糙面401，提高公共第一传输层会在粗糙面401的位置发生断裂的可能性。
110.在一些可选的实施例中，参照图11，图11是图6中n区域的局部放大图，结合图3，第一连接部32在列方向y上的宽度m1为遮挡块31在列方向y上的宽度w1的1/4～1/3；和/或，第二连接部33在方向上的宽度为遮挡块31在行方向x上的宽度w2的1/4～1/3。
111.具体的，第一连接部32在列方向y上的宽度m1与第二连接部33在行方向x上的宽度m2可以相等也可以不相等，图11中仅以第一连接部32在列方向y上的宽度m1与第二连接部33在行方向x上的宽度m2不相等为例进行示意性说明。
112.在一些可选的实施例中，第一连接部32在列方向y上的宽度m1为遮挡块31在列方向y上的宽度w1的1/4～1/3；在一些可选的实施例中，第二连接部33在方向上的宽度为遮挡块31在行方向x上的宽度w2的1/4～1/3。在一些可选的实施例中第一连接部32在列方向y上的宽度m1为遮挡块31在列方向y上的宽度w1的1/4～1/3，同时第二连接部33在方向上的宽度为遮挡块31在行方向x上的宽度w2的1/4～1/3。
113.需要说明的是，第一连接部32在行方向x上的长度是由两个遮挡块31在行方向x上的间距决定的(即相邻两个子像素2000之间的间距)，第二连接部33在列方向y上的长度也是由两个遮挡块31在列方向y上的间距决定的。
114.当然本实施例中的第一连接部32可以设置第一镂空部(图中未示出)，第二连接部可以设置第二镂空部(图中未示出)，这里不做具体限定，当第一连接部32设置第一镂空部时，第一连接部32在列方向y上的宽度m1需要适当增加，第二连接部33设置第二镂空部时，第二连接部33在行方向x上的宽度m2也需要适当增加。
115.第一连接部32的作用是在行方向x上连接两个遮挡块31，第二连接部33的作用是在列方向y上连接两个遮挡块31，同时第一连接部32和第二连接部33还需要支撑起遮挡块31，第一连接部32和第二连接部33需要具有一定的强度以免部分遮挡块31下而影响显示面板的制作，此时第一连接部32在列方向y上的宽度m1过小第一连接部32的强度不足以支撑起遮挡块31，同理第二连接部33在行方向x上的宽度m2过小第二连接部33的强度也不足以支撑起遮挡块31。
116.当然，第一连接部32在列方向y上的宽度m1也不能过大，第一连接部32在列方向y上的宽度m1过大一方面会浪费材料增加成本，另一方面第一连接部32在列方向y上的宽度m1过大也会增加遮挡像素定义层400的面积，不利于在像素定义层400的表面形成粗糙面401。第二连接部33在行方向x上的宽度m2也不能过大，第二连接部33在行方向x上的宽度m2过大一方面会浪费材料增加成本，另一方面第二连接部33在行方向x上的宽度m2过大也会增加遮挡像素定义层400的面积，不利于在像素定义层400的表面形成粗糙面401。
117.本实施例中，第一连接部32在列方向y上的宽度m1为遮挡块31在列方向y上的宽度
w1的1/4～1/3；和/或，第二连接部33在方向上的宽度为遮挡块31在行方向x上的宽度w2的1/4～1/3，第一连接部32的强度足够支撑起遮挡块31，第二连接部33的强度足够支撑起遮挡块31，另外不会造成材料的浪费有利于降低成本，而且在行方向x或列方向y上能够尽量减少对像素定义层400的遮挡，提高在像素定义层400的表面形成粗糙面401的面积，提高公共第一传输层断裂的可能性。
118.在一些可选的实施例中，参照图12，图12是图6中b-b’向的一种剖面图，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第一连接部32的厚度大于等于100μm且小于等于200μm；和/或，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第二连接部33的厚度大于等于100μm且小于等于200μm。
119.具体的，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上遮挡块31的厚度为h1，第一连接部32的厚度为h2，第二连接部33的厚度为h3，可选的，h2＞h1，也可以h3＞h1。需要说明的是，第一连接部32和第二连接部33需要具有足够的强度才能够支撑起遮挡块31，所以第一连接部32在垂直于遮挡块31所在平面的方向上的厚度需要足够大，第一连接部32的强度可以保证能够支撑起遮挡块31，但是第一连接部32的厚度又不能够过大，否则整体等离子体掩膜装置30的重量过大；第二连接部33在垂直于遮挡块31所在平面的方向上的厚度需要足够大，以保证能够支撑起遮挡块31，但是第二连接部33的厚度又不能够过大，否则整体等离子体掩膜装置30的重量也会过大，而且也造成材料的浪费增加成本。
120.在一些可选的实施例中在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第一连接部32的厚度大于等于100μm且小于等于200μm；在一些可选的实施例中，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第二连接部33的厚度大于等于100μm且小于等于200μm；在一些可选的实施例中，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第一连接部32的厚度大于等于100μm且小于等于200μm，同时，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第二连接部33的厚度大于等于100μm且小于等于200μm。
121.本实施例中，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第一连接部32的厚度大于等于100μm且小于等于200μm；和/或，在垂直于遮挡块31所在平面的方向上，第二连接部33的厚度大于等于100μm且小于等于200μm，能够保证第一连接部32具有足够的强度支撑起遮挡块31，第二连接部33具有足够的强度支撑起遮挡块31，又不会造成整体等离子体掩膜装置30的重量过大，不会造成材料的浪费增加成本。
122.基于同一发明思想，本发明还提供了一种显示面板的制作方法，参照图13、图14、图15、图16和图17，图13是本发明提供的一种显示面板的制作方法流程图，图14是步骤s2对应的结构图，图15是步骤s3对应的结构图，图16步骤s4对应的结构图，图17是步骤s5对应的结构图，图3中显示面板1000的制作方法包括以下步骤：
123.s1：提供衬底基板10；
124.s2：在衬底基板10一侧形成阵列层11；
125.s3：在阵列层11远离衬底基板10的一侧依次形成第一电极300和像素定义层400，像素定义层400具有与显示面板1000的子像素2000对应的开口；
126.s4：将等离子体掩膜装置30放置在像素定义层400上，使得遮挡块31与开口相对应；
127.s5：对像素定义层400的表面进行等离子体处理，使像素定义层400的表面粗糙化；
128.s6：在开口上远离基板一侧依次形成公共第一类传输层500、独立发光层600、第二类传输层700和第二电极800。
129.如图15所示，步骤s3形成的像素定义层400远离衬底基板10的一侧是光滑的表面，步骤s4中将等离子体掩膜装置30放置在像素定义层400上，使得遮挡块31与开口相对应；再经过步骤s5等离子体轰击处理后，像素定义层400远离衬底基板10的一侧表面粗糙化形成了粗糙面401，后续步骤s6形成公共第一类传输层500时，公共第一类传输层500会在粗糙面401的位置发生断裂或者不连续的现象，对应粗糙面401的位置处的公共第一类传输层500相当于发生断路电阻增大，由此降低了公共第一类传输层500的空穴向相邻子像素2000的漏流的传输能力，减小了相邻子像素2000偷亮的风险。
130.通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板及其制作方法、等离子体掩膜装置，至少实现了如下的有益效果：
131.一方面，本发明的显示面板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的阵列层、位于阵列层远离衬底基板一侧依次设置的并在垂直于衬底基板所在平面的方向上与子像素的开口交叠的第一电极、像素定义层、公共第一类传输层、独立发光层、第二类传输层、第二电极，像素定义层远离衬底基板一侧具有不规则粗糙面，该粗糙面至少设置在相邻的且颜色不同的两个子像素之间，在形成公共第一类传输层时，公共第一类传输层会在粗糙面的位置发生断裂或者不连续的现象，对应粗糙面的位置处的公共第一类传输层相当于发生断路电阻增大，由此降低了公共第一类传输层的空穴向相邻子像素的漏流的传输能力，减小了相邻子像素偷亮的风险。
132.另一方面，本发明还提供了一种等离子体掩膜装置，包括多个遮挡块，所述遮挡块与所述子像素相对应；第一连接部，所述第一连接部连接沿行方向上相邻的两个所述遮挡块；第二连接部，所述第二连接部连接沿列方向上相邻的两个所述遮挡块，第一连接部和第二连接部连接遮挡块并且支撑遮挡块，该等离子体掩膜装置的遮挡块遮挡住子像素的开口，通过离子轰击遮挡块以外的区域使像素定义层远离衬底基板的一侧形成粗糙面，到达降低公共第一类传输层的空穴向相邻子像素的漏流的传输能力、减小相邻子像素偷亮的风险的目的。
133.虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。