半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知一种半导体存储装置，具备半导体衬底、沿着与该半导体衬底的表面交叉的积层方向积层的多个导电层、与这多个导电层对向的半导体层、及设置在导电层与半导体层之间的电荷蓄积膜。电荷蓄积膜例如具备氮化硅(sin)等绝缘性电荷蓄积膜或浮动栅极等导电性电荷蓄积膜等可存储数据的存储器部。

技术实现思路

1、提供一种可高集成化的半导体存储装置。

2、一实施方式的半导体存储装置具备：第1结构，具有多个第1导电层，所述第1导电层在第1方向上连续，且在与所述第1方向交叉的积层方向上积层；以及第2结构，具有多个第2导电层，所述第2导电层在所述第1方向上连续，在所述积层方向上积层，相对于所述第1导电层，在与所述第1方向及所述积层方向交叉的第2方向上排列，且与所述第1导电层电独立；包含所述第1结构及所述第2结构的存储平面区域具备：第1存储器区域、第2存储器区域及第3存储器区域，分别包含多个半导体柱及多个电荷蓄积膜，且在所述第1方向上排列，所述半导体柱在所述积层方向上延伸；所述第1存储器区域与所述第2存储器区域之间的第1区域；以及所述第2存储器区域与所述第3存储器区域之间的第2区域；并且对于所述第1结构，在与所述积层方向相反方向上设置有多个第1晶体管及多个第3晶体管；对于所述第2结构，在与所述积层方向相反方向上设置有多个第2晶体管及多个第4晶体管；所述第2存储器区域设置在所述第1存储器区域与所述第3存储器区域之间；所述第1结构还具备多个第1通孔接触电极，所述第1通孔接触电极设置在所述第1区域，在所述积层方向上延伸，且连接于所述多个第1导电层的至少一部分；所述第2结构还具备多个第2通孔接触电极，所述第2通孔接触电极设置在所述第2区域，在所述积层方向上延伸，且连接于所述多个第2导电层的至少一部分；从所述积层方向观察，所述多个第1通孔接触电极的一部分电连接于设置在所述第1结构与所述第1区域重叠的位置的所述多个第1晶体管的至少一部分；从所述积层方向观察，所述多个第1通孔接触电极的另一部分电连接于设置在所述第2结构与所述第1区域重叠的位置的所述多个第2晶体管的至少一部分；从所述积层方向观察，所述多个第2通孔接触电极的一部分电连接于设置在所述第1结构与所述第2区域重叠的位置的所述多个第3晶体管的至少一部分；从所述积层方向观察，所述多个第2通孔接触电极的另一部分电连接于设置在所述第2结构与所述第2区域重叠的位置的所述多个第4晶体管的至少一部分。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中

技术总结
本发明提供一种可高集成化的半导体存储装置。所述装置具备：第1结构，具有多个第1导电层，所述第1导电层在第1方向上连续，且在与第1方向交叉的积层方向上积层；及第2结构，具有多个第2导电层，所述第2导电层相对于第1导电层，在与第1方向及积层方向交叉的第2方向上排列，且与第1导电层电独立。从积层方向观察，多个第1通孔接触电极的一部分电连接于多个第1晶体管的至少一部分；多个第1通孔接触电极的另一部分电连接于多个第2晶体管的至少一部分；多个第2通孔接触电极的一部分电连接于多个第3晶体管的至少一部分，多个第2通孔接触电极的另一部分电连接于多个第4晶体管的至少一部分。

技术研发人员：桥本寿文
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24